Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (11)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=НАНОЭЛЕКТРОНИКИ<.>)
Общее количество найденных документов : 31
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-31 
1.
Инвентарный номер: 210421 - кх.
   648.4
   З-47


    Зебрев, Геннадий Иванович.
    Физические основы кремниевой наноэлектроники [] : учеб. пособие для вузов / Г. И. Зебрев. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. - 240 с. - (Нанотехнологии). - Библиогр.: с. 225-232. - ISBN 978-5-9963-0181-2 : 240.00 р.
Прил.: с. 233-234
ГРНТИ
ББК 648.441я73
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: 207197 - кх.
   648.4
   Р 24


   Раскин, Александр Александрович

    Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники [Текст] : учеб. пособие для вузов / А. А. Раскин, В. К. Прокофьева. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010 - . - ISBN 978-5-94774-913-7.
   Ч. 2. - 2010. - 179, [1] с. - Библиогр.: с. 180. - ISBN 978-5-94774-909-0 : 240.00 р.
ГРНТИ
ББК 648.441я73 + 648.6я73
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--КВАНТОВАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: 207196 - кх.
   648.4
   Р 24


   Раскин, Александр Александрович

    Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники [Текст] : учеб. пособие для вузов / А. А. Раскин, В. К. Прокофьева. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010 - . - ISBN 978-5-94774-913-7.
   Ч. 1. - 2010. - 163 с. - Библиогр.: с. 164. - ISBN 978-5-94774-909-0 : 240.00 р.
ГРНТИ
ББК 648.441я73 + 648.6я73
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--КВАНТОВАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: 220190 - кх.
   541.1
   Ф 94


   
    Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники [] : монография / РАН, СО, Ин-т неорганической химии им. А. В. Николаева [и др.] ; отв. ред. Т. П. Смирнова. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2013. - 175 с. - (Интеграционные проекты СО РАН ; вып. 37). - Загл. на доп.тит.листе : Fundamental bases of chemical vapour deposition procesess of films and structures for nanoelectronics. - Библиогр.: с. 156-171. - ISBN 978-5-7692-0669-6 : 830.00 р.
ГРНТИ
ББК 541.171
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА

  Оглавление
Найти похожие

5.
Инвентарный номер: 219295 - кх.
   З84
   Г 12


    Гаврилов, С. А.
    Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники [] : учебное пособие для вузов / С. А. Гаврилов, А. Н. Белов. - 2-е изд. - М. : РИОР : Инфра-М, 2014. - 238, [1] с. - (Высшее образование. Бакалавриат). - Библиогр.: с. 235-236. - ISBN 978-5-369-01299-4 : 363.88 р.
ГРНТИ
ББК З844я73 + 541.13я73
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
   ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ЭЛЕКТРОХИМИЯ


Найти похожие

6.
Инвентарный номер: 213149 - кх.
   648.4
   Б 26


    Барыбин, Анатолий Андреевич.
    Физико-технологические основы макро-, микро- и наноэлектроники [] : учебное пособие для вузов / А. А. Барыбин, В. И. Томилин, В. И. Шаповалов ; под общ. ред. А. А. Барыбина. - М. : Физматлит, 2011. - 782 с. - Предм. указ.: с. 773-782. - ISBN 978-5-9221-2 : 783.75 р.
ГРНТИ
ББК 648.441я73
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: 200768 - кх.
   642
   Г 37


    Герасименко, Николай Николаевич.
    Кремний - материал наноэлектроники [] : учебное пособие для вузов / Н. Н. Герасименко, Ю. Н. Пархоменко. - М. : Техносфера, 2007. - 351 с. - (Мир материалов и технологий). - ISBN 5-94836-101-2. - ISBN 978-5-94836-101-7 : 215.00 р.
ГРНТИ
ББК 642.331.2я73
Рубрики: ЭНЕРГЕТИКА--ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКА--ЭЛЕКТРОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ (ПРИМЕНЕНИЕ) -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ПРИБОРЫ) -- НАНОФОТОНИКА (ПРИБОРЫ)

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: 199198 - кх.
   648.4
   Д 72


    Драгунов, Валерий Павлович.
    Основы наноэлектроники [] : учеб. пособие / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин ; [ред. Ю. А. Афанасьев [и др.]. - Новосибирск : НГТУ, 2004. - 494 с. : ил. - (Учебники НГТУ). - Библиогр. в конце разд. - ISBN 5-7782-0387-X : 263.00 р.
ГРНТИ
ББК 648.441я73
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- НАНОТРАНЗИСТОРЫ (ОСНОВЫ) -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- КОМПЬЮТЕРЫ КВАНТОВЫЕ

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: 198958 - кх; 201493 - кх.
   648.4
   Д 72


    Драгунов, Валерий Павлович.
    Основы наноэлектроники [] : учеб. пособие / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин. - М. : Физматкнига : Логос, 2006. - 494 с. : ил. - (Новая университетская библиотека). - Библиогр. в конце разд. - ISBN 5-98704-054-X. - ISBN 5-89155-149-7 : 322.00 р., 319.44 р.
ГРНТИ
ББК 648.441я73
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- НАНОТРАНЗИСТОРЫ (ОСНОВЫ) -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- КОМПЬЮТЕРЫ КВАНТОВЫЕ

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 37


    Деспотули, А. Л.
    Компьютерное моделирование на субнанометровом масштабе ион-транспортных характеристик блокирующих гетеропереходов электронный проводник/твердый электролит / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 11. - С. 15-23 : рис. - Библиогр.: с. 23 (16 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- НАНОИОНИКА -- ПРИБОРЫ НАНОИОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ БЛОКИРУЮЩИЕ -- РАВНОВЕСИЕ ДЕТАЛЬНОЕ -- УРАВНЕНИЕ КИНЕТИЧЕСКОЕ
Аннотация: На основе нового структурно-динамико-кинетического подхода наноионики выполнены вычислительные эксперименты, в которых процессы быстрого ионного транспорта (БИТ) в области идеально поляризуемых когерентных гетеропереходов электронный проводник/твердый электролит—передовой суперионный проводник (ПСИП) исследованы с субнанометровым разрешением. Ион-транспортные "скрытые" переменные и наблюдаемые физические величины рассчитаны на временных масштабах 10—10 -7 с. Предложенная компьютерная модель позволяет предсказывать БИТ-характеристики суперконденсаторов на основе ПСИП-приборов, которые необходимы для развития наноэлектроники и микросистемной техники

Найти похожие

11.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 15


    Далидчик, Ф. И.
    Крупномасштабные отрицательные дифференциальные сопротивления в туннельном транспорте электронов через молекулы гетерополисоединений / Ф. И. Далидчик, С. А. Ковалевский, Б. А. Буданов // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 11-12. - С. 70-74 : рис. - Библиогр.: с. 74 (41 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ -- МОЛЕКУЛЫ ФОСФОРНОМОЛИБДЕНОВОЙ КИСЛОТЫ -- МОЛЕКУЛЫ ГЕТЕРОПОЛИСОЕДИНЕНИЙ -- ОДС (ОТРИЦАТЕЛЬНЫЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ) -- КВАНТОВЫЙ ЭФФЕКТ ЛОКАЛИЗАЦИИ ВАНЬЕ-ШТАРКА
Аннотация: В высоковакуумных экспериментах с СТМ при комнатных температурах измерены туннельные спектры для молекул фосфорномолибденовой кислоты (H 3PMo 12O 40) - «классического» примера гетерополисоединений, перспективных для создания на их основе новых элементов наноэлектроники. Впервые обнаружены примеры спектров, содержащих множественные ОДС (отрицательные дифференциальные сопротивления) с аномально большими отношениями «пик-долина» (до 10 2). Установлены зависимости обнаруженных ОДС от вакуумного зазора, полярности приложенного напряжения, величины и направления туннельного тока. Предложен новый механизм формирования крупномасштабных множественных ОДС в наноструктурах, основу которого составляет квантовый эффект локализации Ванье-Штарка

Найти похожие

12.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 37


    Деспотули, А. Л.
    Модель, метод и формализм нового подхода к описанию процессов ионного транспорта на блокирующих гетеропереходах твердый электролит/электронный проводник / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 16-21 : граф. - Библиогр.: с. 21 (29 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ПРИНЦИП ДЕТАЛЬНОГО РАВНОВЕСИЯ -- ПРОВОДНИКИ СУПЕРИОННЫЕ ПЕРЕДОВЫЕ -- ПОДХОД ДИНАМО-КИНЕТИЧЕСКИЙ В НАНОИОНИКЕ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОД ИДЕАЛЬНО ПОПЯРИЗУЕМЫЙ -- СЛОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВОЙНОЙ
Аннотация: Предложен новый динамико-кинетический подход в наноионике для детального описания процессов быстрого ионного транспорта (БИТ) в области идеально поляризуемых гетеропереходов твердый электролит/электронный проводник (ТЭ/ЭП) - функциональных элементов перспективных приборов наноэлектроники и нано(микро)системной техники. Подход включает: структурно-динамическую модель, которая с единых позиций рассматривает быстрые и медленные процессы в области ТЭ/ЭП как движение ионов подвижного сорта в потенциальном рельефе, искаженном на гетерогранице; метод "скрытых" переменных, описывающий на субнанометровом масштабе процессы БИТ в терминах концентраций подвижных ионов на кристаллографических плоскостях в области тонкой структуры двойного электрического слоя; физико-математический формализм, который оперирует "скрытыми" переменными и базируется на принципе детального равновесия и кинетическом уравнении в форме закона сохранения частиц

Найти похожие

13.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 51


    Смолин, В. К.
    Мемристоры — перспективная элементная база микро-и наноэлектроники / В. К. Смолин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 27-30 : табл., схема. - Библиогр.: с. 30 (32 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕМРИСТОР -- ПАМЯТЬ ТИПА МRАМ, FRAM, RERAM
Аннотация: Дан обзор конструкторско-технологических особенностей выполнения устройств энергонезависимой памяти на основе резисторов с памятью — мемристоров. Определены перспективы развития этого вида памяти

Найти похожие

14.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть III / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 45-54 : табл. - Библиогр.: с. 54 (84 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МОЗГ -- ИНТЕРПРЕТАЦИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ
Аннотация: Приведена новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлектроники, созданного Природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро-и наноэлектроники. Проводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показано, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части III даны ответы на вопросы: "Достаточно ли для описания работы мозга, включая сознание, мысль, другие психические функции, квантовой механики? Как далее исследовать мозг?"

Найти похожие

15.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть IV / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 49-53. - Библиогр.: с. 53 (32 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ -- ИНТЕРПРЕТАЦИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ -- МОЗГ
Аннотация: Приводится новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлектроники, созданного Природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро- и наноэлектроники. Проводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показывается, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части IV дается ответ на вопрос: "А что же дальше?"

Найти похожие

16.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть II / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 45-53. - Библиогр.: с. 53 (41 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МОЗГ -- ИНТЕРПРЕТАЦИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ
Аннотация: Приводится новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлекmроники, созданного природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро- и наноэлекmроники. Доводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показывается, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части II дается ответ на вопрос: "Как приблизительно функционирует мозг с точки зрения специалиста в области электроники?"

Найти похожие

17.
Инвентарный номер: нет.
   
   Х 12


    Хабибуллин, Р. А.
    Технология создания наногетероструктур AL xGa 1 – xAs/In yGA 1 – yAs/Al xGa 1 – xAs на арсениде галлия / Р. А. Хабибуллин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 6-8 : рис. - Библиогр.: с. 8 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВОЙ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА -- СЛОЙ БАРЬЕРНЫЙ ПОДЗАТВОРНЫЙ ТОНКИЙ
Аннотация: Представлены разработка и исследование перспективного материала для наноэлектроники — наногетероструктур с приповерхностными квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьерным слоем. Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц.

Найти похожие

18.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть I / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 52-54. - Библиогр.: с. 54 (28 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МОЗГ -- ИНТЕРПРЕТАЦИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ
Аннотация: Приводится новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлектроники, созданного Природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро- и наноэлектроники. Проводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показывается, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части I дается ответ на вопрос: "Почему мозг может интерпретироваться как объект органической гибридной наноэлектроники?"

Найти похожие

19.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-62


   
    Определение геометрических параметров массива вертикально ориентированных углеродных нанотрубок методом атомно-силовой микроскопии / О. А. Агеев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 9-13 : табл., рис. - Библиогр. : с. 13 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОДИАГНОСТИКА -- РЕЖИМЫ СКАНИРОВАНИЯ АСМ -- МИКРОСКОПИЯ РАСТРОВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ -- НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований геометрических параметров углеродных нанотрубок и плотности массива вертикально ориентированных углеродных нанотрубок (ВОУНТ) в контактном, полуконтактном и бесконтактном режимах атомно-силовой микроскопии (АСМ). Разработана экспресс-методика определения высоты массива ВОУНТ методом АСМ, с использованием которой определены значения максимальной и средней высоты нанотрубок в экспериментальном образце массива ВОУНТ, которые составили 1,98 мкм и 1,12 ± 0,45 мкм соответственно. В бесконтактном режиме АСМ определена плотность нанотрубок в экспериментальном образце массива ВОУНТ, равная 31 мкм-2. Полученные результаты могут быть использованы при разработке методов нанодиагностики, а также технологических процессов формирования элементов микро- и наноэлектроники на основе ВОУНТ

Найти похожие

20.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 68


   
    Роль поверхности тонкопленочных катализаторов при росте углеродных нанотрубок в задачах электроники и сенсорной техники / И. И. Бобринецкий , В. К. Неволин , М. М. Симунин, И. А. Комаров // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 5. - С. 2-5 : табл. - Библиогр. : с. 5 (12 наим.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРУБКИ -- КАТАЛИЗАТОР -- ОСАЖДЕНИЕ ХИМИЧЕСКОЕ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ
Аннотация: Исследованы аспекты роста углеродных нанотрубок на тонкопленочных катализаторах для решения задачи создания элементной базы интегральной наноэлектроники, а также особенности влияния диспергирования ультратонких пленок катализатора при нагреве до 650 °C на диаметр получаемых углеродных нанотрубок. Установлена зависимость диаметра углеродных нанотрубок от шероховатости поверхности ультратонких пленок. Разработаны методики синтеза планарных углеродных нанотрубок на многослойных катализаторах типа Cr-Ni-Cr?? ??

Найти похожие

 1-20    21-31 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика