Поисковый запрос: (<.>K=НАНОЭЛЕКТРОНИКИ<.>) |
Общее количество найденных документов : 31
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: 219295 - кх. З84 Г 12
Гаврилов, С. А. Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники [] : учебное пособие для вузов / С. А. Гаврилов, А. Н. Белов. - 2-е изд. - М. : РИОР : Инфра-М, 2014. - 238, [1] с. - (Высшее образование. Бакалавриат). - Библиогр.: с. 235-236. - ISBN 978-5-369-01299-4 : 363.88 р.ББК З844я73 + 541.13я73 Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ЭЛЕКТРОХИМИЯ
Найти похожие
|
2. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: 220190 - кх. 541.1 Ф 94
Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники [] : монография / РАН, СО, Ин-т неорганической химии им. А. В. Николаева [и др.] ; отв. ред. Т. П. Смирнова. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2013. - 175 с. - (Интеграционные проекты СО РАН ; вып. 37). - Загл. на доп.тит.листе : Fundamental bases of chemical vapour deposition procesess of films and structures for nanoelectronics. - Библиогр.: с. 156-171. - ISBN 978-5-7692-0669-6 : 830.00 р.ББК 541.171 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА
Оглавление Найти похожие
|
3. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: 210421 - кх. 648.4 З-47
Зебрев, Геннадий Иванович. Физические основы кремниевой наноэлектроники [] : учеб. пособие для вузов / Г. И. Зебрев. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. - 240 с. - (Нанотехнологии). - Библиогр.: с. 225-232. - ISBN 978-5-9963-0181-2 : 240.00 р. Прил.: с. 233-234ББК 648.441я73 Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Найти похожие
|
4. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: 213149 - кх. 648.4 Б 26
Барыбин, Анатолий Андреевич. Физико-технологические основы макро-, микро- и наноэлектроники [] : учебное пособие для вузов / А. А. Барыбин, В. И. Томилин, В. И. Шаповалов ; под общ. ред. А. А. Барыбина. - М. : Физматлит, 2011. - 782 с. - Предм. указ.: с. 773-782. - ISBN 978-5-9221-2 : 783.75 р.ББК 648.441я73 Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Найти похожие
|
5. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. Х 12
Хабибуллин, Р. А. Технология создания наногетероструктур AL xGa 1 – xAs/In yGA 1 – yAs/Al xGa 1 – xAs на арсениде галлия / Р. А. Хабибуллин> // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 6-8 : рис. - Библиогр.: с. 8 (4 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВОЙ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА -- СЛОЙ БАРЬЕРНЫЙ ПОДЗАТВОРНЫЙ ТОНКИЙ Аннотация: Представлены разработка и исследование перспективного материала для наноэлектроники — наногетероструктур с приповерхностными квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьерным слоем. Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц.
Найти похожие
|
6. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: 207196 - кх. 648.4 Р 24
Раскин, Александр Александрович Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники [Текст] : учеб. пособие для вузов / А. А. Раскин, В. К. Прокофьева. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010 - . - ISBN 978-5-94774-913-7. Ч. 1. - 2010. - 163 с. - Библиогр.: с. 164. - ISBN 978-5-94774-909-0 : 240.00 р.ББК 648.441я73 + 648.6я73 Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--КВАНТОВАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Найти похожие
|
7. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: 207197 - кх. 648.4 Р 24
Раскин, Александр Александрович Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники [Текст] : учеб. пособие для вузов / А. А. Раскин, В. К. Прокофьева. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010 - . - ISBN 978-5-94774-913-7. Ч. 2. - 2010. - 179, [1] с. - Библиогр.: с. 180. - ISBN 978-5-94774-909-0 : 240.00 р.ББК 648.441я73 + 648.6я73 Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--КВАНТОВАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Найти похожие
|
8. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. Р 68
Роль поверхности тонкопленочных катализаторов при росте углеродных нанотрубок в задачах электроники и сенсорной техники / И. И. Бобринецкий , В. К. Неволин , М. М. Симунин, И. А. Комаров> // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 5. - С. 2-5 : табл. - Библиогр. : с. 5 (12 наим.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТРУБКИ -- КАТАЛИЗАТОР -- ОСАЖДЕНИЕ ХИМИЧЕСКОЕ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ Аннотация: Исследованы аспекты роста углеродных нанотрубок на тонкопленочных катализаторах для решения задачи создания элементной базы интегральной наноэлектроники, а также особенности влияния диспергирования ультратонких пленок катализатора при нагреве до 650 °C на диаметр получаемых углеродных нанотрубок. Установлена зависимость диаметра углеродных нанотрубок от шероховатости поверхности ультратонких пленок. Разработаны методики синтеза планарных углеродных нанотрубок на многослойных катализаторах типа Cr-Ni-Cr?? ??
Найти похожие
|
9. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. Г 55
Глухова , О. Е. Программный комплекс для наноэлектроники / О. Е. Глухова , Р. Ю. Жничков, М. М. Слепченков> // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 1. - С. 5-11 : рис. - Библиогр. : с. 11 (12 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ВЫЧИСЛЕНИЯ ПАРАЛЛЕЛЬНЫЕ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- НАНОЛЕНТА -- МЕТОД СИЛЬНОЙ СВЯЗИ -- СПЕКТР ЭЛЕКТРОННЫЙ Аннотация: Разработан программно-вычислительный комплекс, теоретическую основу которого составляет квантово-химический метод сильной связи. С помощью данного комплекса рассчитан электронный спектр сжатых на различное число процентов графеновых нанолент. Установлено, что сжатые наноленты обладают улучшенными эмиссионными свойствами. С помощью разработанного комплекса можно исследовать атомное строение и свойства многоатомных наноструктур
Найти похожие
|
10. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. А 16
Абрамов, И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1) / И. И. Абрамов> // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 27-37. - Библиогр. : с. 37 (82 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА Аннотация: Проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие
|
11. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. А 16
Абрамов, И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой / И. И. Абрамов> // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 28-41. - Библиогр. : с. 41 (148 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие
|
12. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. А 16
Абрамов, И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой / И. И. Абрамов> // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 29-42. - Библиогр. : с. 42 (148 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СТРУКТУРА МДП Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания «эры» данного типа приборных структур
Найти похожие
|
13. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. А 16
Абрамов, И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. VII. Структуры на квантовых проволоках / И. И. Абрамов> // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 8. - С. 7-23 : рис. - Библиогр. : с. 18-23 (228 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КВАНТОВЫЕ ПРОВОЛОКИ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Найти похожие
|
14. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. А 16
Абрамов, И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. VII. Структуры на квантовых проволоках / И. И. Абрамов> // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 7. - С. 14-29 : рис., табл. - Библиогр. : с. 26-29 (113 назв.)
ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КВАНТОВЫЕ ПРОВОЛОКИ -- ПРИБОРНЫЕ СТРУКТУРЫ
Найти похожие
|
15. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. П 37
Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде / С. А. Пивоваренок [и др.]> // Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 69-71 : рис. - Библиогр. : с. 71 (6 назв.)
. - ISSN 1816-4498ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТРАВЛЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНОЕ GAAS -- ПЛАЗМА -- ХЛОР -- ХЛОРОВОДОРОД Аннотация: Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и хлороводорода применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС. Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, который является одним из самых перспективных материалов электроники будущего. Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1]
Найти похожие
|
16. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. Д 37
Деспотулин, А. Л. Перспективы развития в России глубоко субвольтовой наноэлектроники и связанных с ней технологий [Текст] / А. Л. Деспотулин, А. В. Андреева> // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 10. - С. 2-11 : рис. - Библиогр.: с. 9 (87 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ГЛУБОКО СУБВОЛЬТОВАЯ НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОИОННЫЕ СУПЕРКОНДЕНСАТОРЫ
Найти похожие
|
17. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: 198958 - кх; 201493 - кх. 648.4 Д 72
Драгунов, Валерий Павлович. Основы наноэлектроники [] : учеб. пособие / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин. - М. : Физматкнига : Логос, 2006. - 494 с. : ил. - (Новая университетская библиотека). - Библиогр. в конце разд. - ISBN 5-98704-054-X. - ISBN 5-89155-149-7 : 322.00 р., 319.44 р.ББК 648.441я73 Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ Кл.слова (ненормированные): НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- НАНОТРАНЗИСТОРЫ (ОСНОВЫ) -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- КОМПЬЮТЕРЫ КВАНТОВЫЕ
Найти похожие
|
18. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: 199198 - кх. 648.4 Д 72
Драгунов, Валерий Павлович. Основы наноэлектроники [] : учеб. пособие / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин ; [ред. Ю. А. Афанасьев [и др.]. - Новосибирск : НГТУ, 2004. - 494 с. : ил. - (Учебники НГТУ). - Библиогр. в конце разд. - ISBN 5-7782-0387-X : 263.00 р.ББК 648.441я73 Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ Кл.слова (ненормированные): НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- НАНОТРАНЗИСТОРЫ (ОСНОВЫ) -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- КОМПЬЮТЕРЫ КВАНТОВЫЕ
Найти похожие
|
19. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. О-62
Определение геометрических параметров массива вертикально ориентированных углеродных нанотрубок методом атомно-силовой микроскопии / О. А. Агеев [и др.]> // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 9-13 : табл., рис. - Библиогр. : с. 13 (8 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОДИАГНОСТИКА -- РЕЖИМЫ СКАНИРОВАНИЯ АСМ -- МИКРОСКОПИЯ РАСТРОВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ -- НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований геометрических параметров углеродных нанотрубок и плотности массива вертикально ориентированных углеродных нанотрубок (ВОУНТ) в контактном, полуконтактном и бесконтактном режимах атомно-силовой микроскопии (АСМ). Разработана экспресс-методика определения высоты массива ВОУНТ методом АСМ, с использованием которой определены значения максимальной и средней высоты нанотрубок в экспериментальном образце массива ВОУНТ, которые составили 1,98 мкм и 1,12 ± 0,45 мкм соответственно. В бесконтактном режиме АСМ определена плотность нанотрубок в экспериментальном образце массива ВОУНТ, равная 31 мкм-2. Полученные результаты могут быть использованы при разработке методов нанодиагностики, а также технологических процессов формирования элементов микро- и наноэлектроники на основе ВОУНТ
Найти похожие
|
20. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. А 28
Адамов, Д. Ю. Нанопроводникии для наноэлектроники / Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, Н. М. Горшкова> // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 9-14 : рис. - Библиогр. : с. 14 (12 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА Кл.слова (ненормированные): НАНОПРОВОДНИК -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОТРУБКА УГЛЕРОДНАЯ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПЛАНАРНАЯ -- НАНОПРОВОДНИК ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЙ -- ЛИТОГРАФИЯ -- ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПРОВОДНИКОВ
Найти похожие
|
|
|