Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (11)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=НАНОЭЛЕКТРОНИКИ<.>)
Общее количество найденных документов : 31
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-31 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 37


    Деспотули, А. Л.
    Компьютерное моделирование на субнанометровом масштабе ион-транспортных характеристик блокирующих гетеропереходов электронный проводник/твердый электролит / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 11. - С. 15-23 : рис. - Библиогр.: с. 23 (16 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- НАНОИОНИКА -- ПРИБОРЫ НАНОИОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ БЛОКИРУЮЩИЕ -- РАВНОВЕСИЕ ДЕТАЛЬНОЕ -- УРАВНЕНИЕ КИНЕТИЧЕСКОЕ
Аннотация: На основе нового структурно-динамико-кинетического подхода наноионики выполнены вычислительные эксперименты, в которых процессы быстрого ионного транспорта (БИТ) в области идеально поляризуемых когерентных гетеропереходов электронный проводник/твердый электролит—передовой суперионный проводник (ПСИП) исследованы с субнанометровым разрешением. Ион-транспортные "скрытые" переменные и наблюдаемые физические величины рассчитаны на временных масштабах 10—10 -7 с. Предложенная компьютерная модель позволяет предсказывать БИТ-характеристики суперконденсаторов на основе ПСИП-приборов, которые необходимы для развития наноэлектроники и микросистемной техники

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: 200768 - кх.
   642
   Г 37


    Герасименко, Николай Николаевич.
    Кремний - материал наноэлектроники [] : учебное пособие для вузов / Н. Н. Герасименко, Ю. Н. Пархоменко. - М. : Техносфера, 2007. - 351 с. - (Мир материалов и технологий). - ISBN 5-94836-101-2. - ISBN 978-5-94836-101-7 : 215.00 р.
ГРНТИ
ББК 642.331.2я73
Рубрики: ЭНЕРГЕТИКА--ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКА--ЭЛЕКТРОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ (ПРИМЕНЕНИЕ) -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ПРИБОРЫ) -- НАНОФОТОНИКА (ПРИБОРЫ)

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 15


    Далидчик, Ф. И.
    Крупномасштабные отрицательные дифференциальные сопротивления в туннельном транспорте электронов через молекулы гетерополисоединений / Ф. И. Далидчик, С. А. Ковалевский, Б. А. Буданов // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 11-12. - С. 70-74 : рис. - Библиогр.: с. 74 (41 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ -- МОЛЕКУЛЫ ФОСФОРНОМОЛИБДЕНОВОЙ КИСЛОТЫ -- МОЛЕКУЛЫ ГЕТЕРОПОЛИСОЕДИНЕНИЙ -- ОДС (ОТРИЦАТЕЛЬНЫЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ) -- КВАНТОВЫЙ ЭФФЕКТ ЛОКАЛИЗАЦИИ ВАНЬЕ-ШТАРКА
Аннотация: В высоковакуумных экспериментах с СТМ при комнатных температурах измерены туннельные спектры для молекул фосфорномолибденовой кислоты (H 3PMo 12O 40) - «классического» примера гетерополисоединений, перспективных для создания на их основе новых элементов наноэлектроники. Впервые обнаружены примеры спектров, содержащих множественные ОДС (отрицательные дифференциальные сопротивления) с аномально большими отношениями «пик-долина» (до 10 2). Установлены зависимости обнаруженных ОДС от вакуумного зазора, полярности приложенного напряжения, величины и направления туннельного тока. Предложен новый механизм формирования крупномасштабных множественных ОДС в наноструктурах, основу которого составляет квантовый эффект локализации Ванье-Штарка

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 51


    Смолин, В. К.
    Мемристоры — перспективная элементная база микро-и наноэлектроники / В. К. Смолин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 27-30 : табл., схема. - Библиогр.: с. 30 (32 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕМРИСТОР -- ПАМЯТЬ ТИПА МRАМ, FRAM, RERAM
Аннотация: Дан обзор конструкторско-технологических особенностей выполнения устройств энергонезависимой памяти на основе резисторов с памятью — мемристоров. Определены перспективы развития этого вида памяти

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ч-58


    Чигирев, П. М.
    Методы получения графена для целей наноэлектроники / П. М. Чигирев // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 30-34 : рис. - Библиогр. : с. 34 (20 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГРАФЕН -- МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ГРАФЕНА -- ПРОИЗВОДСТВА ГРАФЕНА -- СВОЙСТВА ГРАФЕНА
Аннотация: Рассмотрены основные физические и химические свойства графена. Описаны известные методы его получения для создания электронных приборов. Рассмотрены основные достоинства и недостатки этих методов. Также описаны существующие промышленные производства

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 37


    Деспотули, А. Л.
    Модель, метод и формализм нового подхода к описанию процессов ионного транспорта на блокирующих гетеропереходах твердый электролит/электронный проводник / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 16-21 : граф. - Библиогр.: с. 21 (29 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ПРИНЦИП ДЕТАЛЬНОГО РАВНОВЕСИЯ -- ПРОВОДНИКИ СУПЕРИОННЫЕ ПЕРЕДОВЫЕ -- ПОДХОД ДИНАМО-КИНЕТИЧЕСКИЙ В НАНОИОНИКЕ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОД ИДЕАЛЬНО ПОПЯРИЗУЕМЫЙ -- СЛОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВОЙНОЙ
Аннотация: Предложен новый динамико-кинетический подход в наноионике для детального описания процессов быстрого ионного транспорта (БИТ) в области идеально поляризуемых гетеропереходов твердый электролит/электронный проводник (ТЭ/ЭП) - функциональных элементов перспективных приборов наноэлектроники и нано(микро)системной техники. Подход включает: структурно-динамическую модель, которая с единых позиций рассматривает быстрые и медленные процессы в области ТЭ/ЭП как движение ионов подвижного сорта в потенциальном рельефе, искаженном на гетерогранице; метод "скрытых" переменных, описывающий на субнанометровом масштабе процессы БИТ в терминах концентраций подвижных ионов на кристаллографических плоскостях в области тонкой структуры двойного электрического слоя; физико-математический формализм, который оперирует "скрытыми" переменными и базируется на принципе детального равновесия и кинетическом уравнении в форме закона сохранения частиц

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть I / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 52-54. - Библиогр.: с. 54 (28 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МОЗГ -- ИНТЕРПРЕТАЦИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ
Аннотация: Приводится новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлектроники, созданного Природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро- и наноэлектроники. Проводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показывается, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части I дается ответ на вопрос: "Почему мозг может интерпретироваться как объект органической гибридной наноэлектроники?"

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть II / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 45-53. - Библиогр.: с. 53 (41 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МОЗГ -- ИНТЕРПРЕТАЦИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ
Аннотация: Приводится новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлекmроники, созданного природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро- и наноэлекmроники. Доводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показывается, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части II дается ответ на вопрос: "Как приблизительно функционирует мозг с точки зрения специалиста в области электроники?"

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть III / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 45-54 : табл. - Библиогр.: с. 54 (84 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МОЗГ -- ИНТЕРПРЕТАЦИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ
Аннотация: Приведена новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлектроники, созданного Природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро-и наноэлектроники. Проводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показано, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части III даны ответы на вопросы: "Достаточно ли для описания работы мозга, включая сознание, мысль, другие психические функции, квантовой механики? Как далее исследовать мозг?"

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть IV / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 49-53. - Библиогр.: с. 53 (32 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ -- ИНТЕРПРЕТАЦИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ -- МОЗГ
Аннотация: Приводится новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлектроники, созданного Природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро- и наноэлектроники. Проводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показывается, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части IV дается ответ на вопрос: "А что же дальше?"

Найти похожие

11.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 37


    Деспотули, А. Л.
    Наноионика: новые материалы и суперконденсаторы / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 7-8 . - С. 89-99 : рис., табл. - Библиогр. : с. 99 (64 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛИОНИКА -- НАКОПИТЕЛИ ИМПУЛЬСНЫЕ ВЫСОКОЕМКИЕ СУБВОЛЬТОВЫЕ -- ПАМЯТЬ И ЛОГИКА КОМПЬЮТЕРНАЯ ВЫСОКОПЛОТНАЯ
Аннотация: В обзоре представлены результаты исследований твердотельных наноматериалов и наносистем с быстрым ионным транспортом: обнаружены новые оптически активные наносистемы Ag(Cu)I - М с рекордно высокими концентрациями примесей редкоземельных и переходных металлов (М); показаны возможности разработки нового класса высокоемких субвольтовых импульсных накопителей с когерентными гетеропереходами - «наноионных суперконденсаторов»; выполнен поиск областей применения наноионных приборов, необходимых в ближайшие 5-10 лет для развития глубоко субвольтовой наноэлектроники и связанных с ней технологий, а в дальнейшем - для создания высокоплотной компьютерной логики и памяти, функционирующих за счет сочетания в гибридных наноструктурах квантового транспорта электронов и классического движения ионов (наноэлионика)

Найти похожие

12.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 28


    Адамов, Д. Ю.
    Нанопроводникии для наноэлектроники / Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, Н. М. Горшкова // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 9-14 : рис. - Библиогр. : с. 14 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
НАНОПРОВОДНИК -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОТРУБКА УГЛЕРОДНАЯ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПЛАНАРНАЯ -- НАНОПРОВОДНИК ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЙ -- ЛИТОГРАФИЯ -- ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПРОВОДНИКОВ

Найти похожие

13.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-62


   
    Определение геометрических параметров массива вертикально ориентированных углеродных нанотрубок методом атомно-силовой микроскопии / О. А. Агеев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 9-13 : табл., рис. - Библиогр. : с. 13 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОДИАГНОСТИКА -- РЕЖИМЫ СКАНИРОВАНИЯ АСМ -- МИКРОСКОПИЯ РАСТРОВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ -- НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований геометрических параметров углеродных нанотрубок и плотности массива вертикально ориентированных углеродных нанотрубок (ВОУНТ) в контактном, полуконтактном и бесконтактном режимах атомно-силовой микроскопии (АСМ). Разработана экспресс-методика определения высоты массива ВОУНТ методом АСМ, с использованием которой определены значения максимальной и средней высоты нанотрубок в экспериментальном образце массива ВОУНТ, которые составили 1,98 мкм и 1,12 ± 0,45 мкм соответственно. В бесконтактном режиме АСМ определена плотность нанотрубок в экспериментальном образце массива ВОУНТ, равная 31 мкм-2. Полученные результаты могут быть использованы при разработке методов нанодиагностики, а также технологических процессов формирования элементов микро- и наноэлектроники на основе ВОУНТ

Найти похожие

14.
Инвентарный номер: 198958 - кх; 201493 - кх.
   648.4
   Д 72


    Драгунов, Валерий Павлович.
    Основы наноэлектроники [] : учеб. пособие / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин. - М. : Физматкнига : Логос, 2006. - 494 с. : ил. - (Новая университетская библиотека). - Библиогр. в конце разд. - ISBN 5-98704-054-X. - ISBN 5-89155-149-7 : 322.00 р., 319.44 р.
ГРНТИ
ББК 648.441я73
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- НАНОТРАНЗИСТОРЫ (ОСНОВЫ) -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- КОМПЬЮТЕРЫ КВАНТОВЫЕ

Найти похожие

15.
Инвентарный номер: 199198 - кх.
   648.4
   Д 72


    Драгунов, Валерий Павлович.
    Основы наноэлектроники [] : учеб. пособие / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин ; [ред. Ю. А. Афанасьев [и др.]. - Новосибирск : НГТУ, 2004. - 494 с. : ил. - (Учебники НГТУ). - Библиогр. в конце разд. - ISBN 5-7782-0387-X : 263.00 р.
ГРНТИ
ББК 648.441я73
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- НАНОТРАНЗИСТОРЫ (ОСНОВЫ) -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- КОМПЬЮТЕРЫ КВАНТОВЫЕ

Найти похожие

16.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 37


    Деспотулин, А. Л.
    Перспективы развития в России глубоко субвольтовой наноэлектроники и связанных с ней технологий [Текст] / А. Л. Деспотулин, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 10. - С. 2-11 : рис. - Библиогр.: с. 9 (87 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГЛУБОКО СУБВОЛЬТОВАЯ НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОИОННЫЕ СУПЕРКОНДЕНСАТОРЫ

Найти похожие

17.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 37


   
    Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде / С. А. Пивоваренок [и др.] // Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 69-71 : рис. - Библиогр. : с. 71 (6 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТРАВЛЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНОЕ GAAS -- ПЛАЗМА -- ХЛОР -- ХЛОРОВОДОРОД
Аннотация: Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и хлороводорода применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС. Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, который является одним из самых перспективных материалов электроники будущего. Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1]

Найти похожие

18.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. VII. Структуры на квантовых проволоках / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 7. - С. 14-29 : рис., табл. - Библиогр. : с. 26-29 (113 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КВАНТОВЫЕ ПРОВОЛОКИ -- ПРИБОРНЫЕ СТРУКТУРЫ

Найти похожие

19.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. VII. Структуры на квантовых проволоках / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 8. - С. 7-23 : рис. - Библиогр. : с. 18-23 (228 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КВАНТОВЫЕ ПРОВОЛОКИ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА

Найти похожие

20.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 29-42. - Библиогр. : с. 42 (148 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СТРУКТУРА МДП
Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания «эры» данного типа приборных структур

Найти похожие

 1-20    21-31 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика