Поисковый запрос: (<.>K=НАНОЭЛЕКТРОНИКИ<.>) |
Общее количество найденных документов : 31
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1.
| Инвентарный номер: 199198 - кх. 648.4 Д 72
Драгунов, Валерий Павлович. Основы наноэлектроники [] : учеб. пособие / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин ; [ред. Ю. А. Афанасьев [и др.]. - Новосибирск : НГТУ, 2004. - 494 с. : ил. - (Учебники НГТУ). - Библиогр. в конце разд. - ISBN 5-7782-0387-X : 263.00 р.ББК 648.441я73 Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ Кл.слова (ненормированные): НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- НАНОТРАНЗИСТОРЫ (ОСНОВЫ) -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- КОМПЬЮТЕРЫ КВАНТОВЫЕ
Найти похожие
|
2.
| Инвентарный номер: 198958 - кх; 201493 - кх. 648.4 Д 72
Драгунов, Валерий Павлович. Основы наноэлектроники [] : учеб. пособие / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин. - М. : Физматкнига : Логос, 2006. - 494 с. : ил. - (Новая университетская библиотека). - Библиогр. в конце разд. - ISBN 5-98704-054-X. - ISBN 5-89155-149-7 : 322.00 р., 319.44 р.ББК 648.441я73 Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ Кл.слова (ненормированные): НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- НАНОТРАНЗИСТОРЫ (ОСНОВЫ) -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- КОМПЬЮТЕРЫ КВАНТОВЫЕ
Найти похожие
|
3.
| Инвентарный номер: 200768 - кх. 642 Г 37
Герасименко, Николай Николаевич. Кремний - материал наноэлектроники [] : учебное пособие для вузов / Н. Н. Герасименко, Ю. Н. Пархоменко. - М. : Техносфера, 2007. - 351 с. - (Мир материалов и технологий). - ISBN 5-94836-101-2. - ISBN 978-5-94836-101-7 : 215.00 р.ББК 642.331.2я73 Рубрики: ЭНЕРГЕТИКА--ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКА--ЭЛЕКТРОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЙ (ПРИМЕНЕНИЕ) -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ПРИБОРЫ) -- НАНОФОТОНИКА (ПРИБОРЫ)
Найти похожие
|
4.
| Инвентарный номер: нет. Д 37
Деспотулин, А. Л. Перспективы развития в России глубоко субвольтовой наноэлектроники и связанных с ней технологий [Текст] / А. Л. Деспотулин, А. В. Андреева> // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 10. - С. 2-11 : рис. - Библиогр.: с. 9 (87 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ГЛУБОКО СУБВОЛЬТОВАЯ НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОИОННЫЕ СУПЕРКОНДЕНСАТОРЫ
Найти похожие
|
5.
| Инвентарный номер: нет. А 28
Адамов, Д. Ю. Нанопроводникии для наноэлектроники / Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, Н. М. Горшкова> // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 9-14 : рис. - Библиогр. : с. 14 (12 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА Кл.слова (ненормированные): НАНОПРОВОДНИК -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОТРУБКА УГЛЕРОДНАЯ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПЛАНАРНАЯ -- НАНОПРОВОДНИК ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЙ -- ЛИТОГРАФИЯ -- ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПРОВОДНИКОВ
Найти похожие
|
6.
| Инвентарный номер: нет. А 16
Абрамов, И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. VII. Структуры на квантовых проволоках / И. И. Абрамов> // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 8. - С. 7-23 : рис. - Библиогр. : с. 18-23 (228 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КВАНТОВЫЕ ПРОВОЛОКИ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Найти похожие
|
7.
| Инвентарный номер: нет. А 16
Абрамов, И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. VII. Структуры на квантовых проволоках / И. И. Абрамов> // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 7. - С. 14-29 : рис., табл. - Библиогр. : с. 26-29 (113 назв.)
ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КВАНТОВЫЕ ПРОВОЛОКИ -- ПРИБОРНЫЕ СТРУКТУРЫ
Найти похожие
|
8.
| Инвентарный номер: нет. А 16
Абрамов, И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой / И. И. Абрамов> // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 28-41. - Библиогр. : с. 41 (148 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие
|
9.
| Инвентарный номер: нет. Д 37
Деспотули, А. Л. Наноионика: новые материалы и суперконденсаторы / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева> // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 7-8 . - С. 89-99 : рис., табл. - Библиогр. : с. 99 (64 назв.)
. - ISSN 1992-7223ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОЭЛИОНИКА -- НАКОПИТЕЛИ ИМПУЛЬСНЫЕ ВЫСОКОЕМКИЕ СУБВОЛЬТОВЫЕ -- ПАМЯТЬ И ЛОГИКА КОМПЬЮТЕРНАЯ ВЫСОКОПЛОТНАЯ Аннотация: В обзоре представлены результаты исследований твердотельных наноматериалов и наносистем с быстрым ионным транспортом: обнаружены новые оптически активные наносистемы Ag(Cu)I - М с рекордно высокими концентрациями примесей редкоземельных и переходных металлов (М); показаны возможности разработки нового класса высокоемких субвольтовых импульсных накопителей с когерентными гетеропереходами - «наноионных суперконденсаторов»; выполнен поиск областей применения наноионных приборов, необходимых в ближайшие 5-10 лет для развития глубоко субвольтовой наноэлектроники и связанных с ней технологий, а в дальнейшем - для создания высокоплотной компьютерной логики и памяти, функционирующих за счет сочетания в гибридных наноструктурах квантового транспорта электронов и классического движения ионов (наноэлионика)
Найти похожие
|
10.
| Инвентарный номер: нет. А 16
Абрамов, И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой / И. И. Абрамов> // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 29-42. - Библиогр. : с. 42 (148 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СТРУКТУРА МДП Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания «эры» данного типа приборных структур
Найти похожие
|
11.
| Инвентарный номер: нет. А 16
Абрамов, И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1) / И. И. Абрамов> // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 27-37. - Библиогр. : с. 37 (82 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА Аннотация: Проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие
|
12.
| Инвентарный номер: 207196 - кх. 648.4 Р 24
Раскин, Александр Александрович Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники [Текст] : учеб. пособие для вузов / А. А. Раскин, В. К. Прокофьева. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010 - . - ISBN 978-5-94774-913-7. Ч. 1. - 2010. - 163 с. - Библиогр.: с. 164. - ISBN 978-5-94774-909-0 : 240.00 р.ББК 648.441я73 + 648.6я73 Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--КВАНТОВАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Найти похожие
|
13.
| Инвентарный номер: 207197 - кх. 648.4 Р 24
Раскин, Александр Александрович Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники [Текст] : учеб. пособие для вузов / А. А. Раскин, В. К. Прокофьева. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010 - . - ISBN 978-5-94774-913-7. Ч. 2. - 2010. - 179, [1] с. - Библиогр.: с. 180. - ISBN 978-5-94774-909-0 : 240.00 р.ББК 648.441я73 + 648.6я73 Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--КВАНТОВАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Найти похожие
|
14.
| Инвентарный номер: нет. Р 68
Роль поверхности тонкопленочных катализаторов при росте углеродных нанотрубок в задачах электроники и сенсорной техники / И. И. Бобринецкий , В. К. Неволин , М. М. Симунин, И. А. Комаров> // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 5. - С. 2-5 : табл. - Библиогр. : с. 5 (12 наим.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТРУБКИ -- КАТАЛИЗАТОР -- ОСАЖДЕНИЕ ХИМИЧЕСКОЕ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ Аннотация: Исследованы аспекты роста углеродных нанотрубок на тонкопленочных катализаторах для решения задачи создания элементной базы интегральной наноэлектроники, а также особенности влияния диспергирования ультратонких пленок катализатора при нагреве до 650 °C на диаметр получаемых углеродных нанотрубок. Установлена зависимость диаметра углеродных нанотрубок от шероховатости поверхности ультратонких пленок. Разработаны методики синтеза планарных углеродных нанотрубок на многослойных катализаторах типа Cr-Ni-Cr?? ??
Найти похожие
|
15.
| Инвентарный номер: нет. П 37
Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде / С. А. Пивоваренок [и др.]> // Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 69-71 : рис. - Библиогр. : с. 71 (6 назв.)
. - ISSN 1816-4498ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТРАВЛЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНОЕ GAAS -- ПЛАЗМА -- ХЛОР -- ХЛОРОВОДОРОД Аннотация: Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и хлороводорода применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС. Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, который является одним из самых перспективных материалов электроники будущего. Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1]
Найти похожие
|
16.
| Инвентарный номер: 213149 - кх. 648.4 Б 26
Барыбин, Анатолий Андреевич. Физико-технологические основы макро-, микро- и наноэлектроники [] : учебное пособие для вузов / А. А. Барыбин, В. И. Томилин, В. И. Шаповалов ; под общ. ред. А. А. Барыбина. - М. : Физматлит, 2011. - 782 с. - Предм. указ.: с. 773-782. - ISBN 978-5-9221-2 : 783.75 р.ББК 648.441я73 Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Найти похожие
|
17.
| Инвентарный номер: нет. Ч-58
Чигирев, П. М. Методы получения графена для целей наноэлектроники / П. М. Чигирев> // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 30-34 : рис. - Библиогр. : с. 34 (20 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ГРАФЕН -- МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ГРАФЕНА -- ПРОИЗВОДСТВА ГРАФЕНА -- СВОЙСТВА ГРАФЕНА Аннотация: Рассмотрены основные физические и химические свойства графена. Описаны известные методы его получения для создания электронных приборов. Рассмотрены основные достоинства и недостатки этих методов. Также описаны существующие промышленные производства
Найти похожие
|
18.
| Инвентарный номер: 210421 - кх. 648.4 З-47
Зебрев, Геннадий Иванович. Физические основы кремниевой наноэлектроники [] : учеб. пособие для вузов / Г. И. Зебрев. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. - 240 с. - (Нанотехнологии). - Библиогр.: с. 225-232. - ISBN 978-5-9963-0181-2 : 240.00 р. Прил.: с. 233-234ББК 648.441я73 Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Найти похожие
|
19.
| Инвентарный номер: нет. С 51
Смолин, В. К. Мемристоры — перспективная элементная база микро-и наноэлектроники / В. К. Смолин> // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 27-30 : табл., схема. - Библиогр.: с. 30 (32 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЕМРИСТОР -- ПАМЯТЬ ТИПА МRАМ, FRAM, RERAM Аннотация: Дан обзор конструкторско-технологических особенностей выполнения устройств энергонезависимой памяти на основе резисторов с памятью — мемристоров. Определены перспективы развития этого вида памяти
Найти похожие
|
20.
| Инвентарный номер: нет. Д 15
Далидчик, Ф. И. Крупномасштабные отрицательные дифференциальные сопротивления в туннельном транспорте электронов через молекулы гетерополисоединений / Ф. И. Далидчик, С. А. Ковалевский, Б. А. Буданов > // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 11-12. - С. 70-74 : рис. - Библиогр.: с. 74 (41 назв.)
. - ISSN 1992-7223ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОСТРУКТУРЫ -- МОЛЕКУЛЫ ФОСФОРНОМОЛИБДЕНОВОЙ КИСЛОТЫ -- МОЛЕКУЛЫ ГЕТЕРОПОЛИСОЕДИНЕНИЙ -- ОДС (ОТРИЦАТЕЛЬНЫЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ) -- КВАНТОВЫЙ ЭФФЕКТ ЛОКАЛИЗАЦИИ ВАНЬЕ-ШТАРКА Аннотация: В высоковакуумных экспериментах с СТМ при комнатных температурах измерены туннельные спектры для молекул фосфорномолибденовой кислоты (H 3PMo 12O 40) - «классического» примера гетерополисоединений, перспективных для создания на их основе новых элементов наноэлектроники. Впервые обнаружены примеры спектров, содержащих множественные ОДС (отрицательные дифференциальные сопротивления) с аномально большими отношениями «пик-долина» (до 10 2). Установлены зависимости обнаруженных ОДС от вакуумного зазора, полярности приложенного напряжения, величины и направления туннельного тока. Предложен новый механизм формирования крупномасштабных множественных ОДС в наноструктурах, основу которого составляет квантовый эффект локализации Ванье-Штарка
Найти похожие
|
|
|