Поисковый запрос: (<.>K=НАНОЭЛЕКТРОНИКИ<.>) |
Общее количество найденных документов : 31
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1. 
| Инвентарный номер: нет.
А 16
Абрамов, И. И.
Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть I / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 52-54. - Библиогр.: с. 54 (28 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МОЗГ -- ИНТЕРПРЕТАЦИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ
Аннотация: Приводится новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлектроники, созданного Природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро- и наноэлектроники. Проводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показывается, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части I дается ответ на вопрос: "Почему мозг может интерпретироваться как объект органической гибридной наноэлектроники?"
Найти похожие
|
2.
| Инвентарный номер: нет.
П 37
Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде / С. А. Пивоваренок [и др.] // Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 69-71 : рис. - Библиогр. : с. 71 (6 назв.)
. - ISSN 1816-4498ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТРАВЛЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНОЕ GAAS -- ПЛАЗМА -- ХЛОР -- ХЛОРОВОДОРОД
Аннотация: Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и хлороводорода применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС. Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, который является одним из самых перспективных материалов электроники будущего. Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1]
Найти похожие
|
3.
| Инвентарный номер: нет.
Г 55
Глухова , О. Е.
Программный комплекс для наноэлектроники / О. Е. Глухова , Р. Ю. Жничков, М. М. Слепченков // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 1. - С. 5-11 : рис. - Библиогр. : с. 11 (12 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВЫЧИСЛЕНИЯ ПАРАЛЛЕЛЬНЫЕ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- НАНОЛЕНТА -- МЕТОД СИЛЬНОЙ СВЯЗИ -- СПЕКТР ЭЛЕКТРОННЫЙ
Аннотация: Разработан программно-вычислительный комплекс, теоретическую основу которого составляет квантово-химический метод сильной связи. С помощью данного комплекса рассчитан электронный спектр сжатых на различное число процентов графеновых нанолент. Установлено, что сжатые наноленты обладают улучшенными эмиссионными свойствами. С помощью разработанного комплекса можно исследовать атомное строение и свойства многоатомных наноструктур
Найти похожие
|
4.
| Инвентарный номер: нет.
Д 37
Деспотули, А. Л.
Наноионика: новые материалы и суперконденсаторы / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 7-8 . - С. 89-99 : рис., табл. - Библиогр. : с. 99 (64 назв.)
. - ISSN 1992-7223ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛИОНИКА -- НАКОПИТЕЛИ ИМПУЛЬСНЫЕ ВЫСОКОЕМКИЕ СУБВОЛЬТОВЫЕ -- ПАМЯТЬ И ЛОГИКА КОМПЬЮТЕРНАЯ ВЫСОКОПЛОТНАЯ
Аннотация: В обзоре представлены результаты исследований твердотельных наноматериалов и наносистем с быстрым ионным транспортом: обнаружены новые оптически активные наносистемы Ag(Cu)I - М с рекордно высокими концентрациями примесей редкоземельных и переходных металлов (М); показаны возможности разработки нового класса высокоемких субвольтовых импульсных накопителей с когерентными гетеропереходами - «наноионных суперконденсаторов»; выполнен поиск областей применения наноионных приборов, необходимых в ближайшие 5-10 лет для развития глубоко субвольтовой наноэлектроники и связанных с ней технологий, а в дальнейшем - для создания высокоплотной компьютерной логики и памяти, функционирующих за счет сочетания в гибридных наноструктурах квантового транспорта электронов и классического движения ионов (наноэлионика)
Найти похожие
|
5.
| Инвентарный номер: нет.
А 16
Абрамов, И. И.
Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 29-42. - Библиогр. : с. 42 (148 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СТРУКТУРА МДП
Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания «эры» данного типа приборных структур
Найти похожие
|
6.
| Инвентарный номер: нет.
Ч-58
Чигирев, П. М.
Методы получения графена для целей наноэлектроники / П. М. Чигирев // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 30-34 : рис. - Библиогр. : с. 34 (20 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГРАФЕН -- МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ГРАФЕНА -- ПРОИЗВОДСТВА ГРАФЕНА -- СВОЙСТВА ГРАФЕНА
Аннотация: Рассмотрены основные физические и химические свойства графена. Описаны известные методы его получения для создания электронных приборов. Рассмотрены основные достоинства и недостатки этих методов. Также описаны существующие промышленные производства
Найти похожие
|
7.
| Инвентарный номер: нет.
С 51
Смолин, В. К.
Мемристоры — перспективная элементная база микро-и наноэлектроники / В. К. Смолин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 27-30 : табл., схема. - Библиогр.: с. 30 (32 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕМРИСТОР -- ПАМЯТЬ ТИПА МRАМ, FRAM, RERAM
Аннотация: Дан обзор конструкторско-технологических особенностей выполнения устройств энергонезависимой памяти на основе резисторов с памятью — мемристоров. Определены перспективы развития этого вида памяти
Найти похожие
|
8.
| Инвентарный номер: нет.
Д 37
Деспотули, А. Л.
Компьютерное моделирование на субнанометровом масштабе ион-транспортных характеристик блокирующих гетеропереходов электронный проводник/твердый электролит / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 11. - С. 15-23 : рис. - Библиогр.: с. 23 (16 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- НАНОИОНИКА -- ПРИБОРЫ НАНОИОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ БЛОКИРУЮЩИЕ -- РАВНОВЕСИЕ ДЕТАЛЬНОЕ -- УРАВНЕНИЕ КИНЕТИЧЕСКОЕ
Аннотация: На основе нового структурно-динамико-кинетического подхода наноионики выполнены вычислительные эксперименты, в которых процессы быстрого ионного транспорта (БИТ) в области идеально поляризуемых когерентных гетеропереходов электронный проводник/твердый электролит—передовой суперионный проводник (ПСИП) исследованы с субнанометровым разрешением. Ион-транспортные "скрытые" переменные и наблюдаемые физические величины рассчитаны на временных масштабах 10—10 -7 с. Предложенная компьютерная модель позволяет предсказывать БИТ-характеристики суперконденсаторов на основе ПСИП-приборов, которые необходимы для развития наноэлектроники и микросистемной техники
Найти похожие
|
9.
| Инвентарный номер: нет.
Д 15
Далидчик, Ф. И.
Крупномасштабные отрицательные дифференциальные сопротивления в туннельном транспорте электронов через молекулы гетерополисоединений / Ф. И. Далидчик, С. А. Ковалевский, Б. А. Буданов // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 11-12. - С. 70-74 : рис. - Библиогр.: с. 74 (41 назв.)
. - ISSN 1992-7223ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ -- МОЛЕКУЛЫ ФОСФОРНОМОЛИБДЕНОВОЙ КИСЛОТЫ -- МОЛЕКУЛЫ ГЕТЕРОПОЛИСОЕДИНЕНИЙ -- ОДС (ОТРИЦАТЕЛЬНЫЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ) -- КВАНТОВЫЙ ЭФФЕКТ ЛОКАЛИЗАЦИИ ВАНЬЕ-ШТАРКА
Аннотация: В высоковакуумных экспериментах с СТМ при комнатных температурах измерены туннельные спектры для молекул фосфорномолибденовой кислоты (H 3PMo 12O 40) - «классического» примера гетерополисоединений, перспективных для создания на их основе новых элементов наноэлектроники. Впервые обнаружены примеры спектров, содержащих множественные ОДС (отрицательные дифференциальные сопротивления) с аномально большими отношениями «пик-долина» (до 10 2). Установлены зависимости обнаруженных ОДС от вакуумного зазора, полярности приложенного напряжения, величины и направления туннельного тока. Предложен новый механизм формирования крупномасштабных множественных ОДС в наноструктурах, основу которого составляет квантовый эффект локализации Ванье-Штарка
Найти похожие
|
10.
| Инвентарный номер: нет.
О-62
Определение геометрических параметров массива вертикально ориентированных углеродных нанотрубок методом атомно-силовой микроскопии / О. А. Агеев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 9-13 : табл., рис. - Библиогр. : с. 13 (8 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОДИАГНОСТИКА -- РЕЖИМЫ СКАНИРОВАНИЯ АСМ -- МИКРОСКОПИЯ РАСТРОВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ -- НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований геометрических параметров углеродных нанотрубок и плотности массива вертикально ориентированных углеродных нанотрубок (ВОУНТ) в контактном, полуконтактном и бесконтактном режимах атомно-силовой микроскопии (АСМ). Разработана экспресс-методика определения высоты массива ВОУНТ методом АСМ, с использованием которой определены значения максимальной и средней высоты нанотрубок в экспериментальном образце массива ВОУНТ, которые составили 1,98 мкм и 1,12 ± 0,45 мкм соответственно. В бесконтактном режиме АСМ определена плотность нанотрубок в экспериментальном образце массива ВОУНТ, равная 31 мкм-2. Полученные результаты могут быть использованы при разработке методов нанодиагностики, а также технологических процессов формирования элементов микро- и наноэлектроники на основе ВОУНТ
Найти похожие
|
11.
| Инвентарный номер: нет.
Х 12
Хабибуллин, Р. А.
Технология создания наногетероструктур AL xGa 1 – xAs/In yGA 1 – yAs/Al xGa 1 – xAs на арсениде галлия / Р. А. Хабибуллин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 6-8 : рис. - Библиогр.: с. 8 (4 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВОЙ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА -- СЛОЙ БАРЬЕРНЫЙ ПОДЗАТВОРНЫЙ ТОНКИЙ
Аннотация: Представлены разработка и исследование перспективного материала для наноэлектроники — наногетероструктур с приповерхностными квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьерным слоем. Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц.
Найти похожие
|
12.
| Инвентарный номер: нет.
Д 37
Деспотули, А. Л.
Модель, метод и формализм нового подхода к описанию процессов ионного транспорта на блокирующих гетеропереходах твердый электролит/электронный проводник / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 16-21 : граф. - Библиогр.: с. 21 (29 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ПРИНЦИП ДЕТАЛЬНОГО РАВНОВЕСИЯ -- ПРОВОДНИКИ СУПЕРИОННЫЕ ПЕРЕДОВЫЕ -- ПОДХОД ДИНАМО-КИНЕТИЧЕСКИЙ В НАНОИОНИКЕ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОД ИДЕАЛЬНО ПОПЯРИЗУЕМЫЙ -- СЛОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВОЙНОЙ
Аннотация: Предложен новый динамико-кинетический подход в наноионике для детального описания процессов быстрого ионного транспорта (БИТ) в области идеально поляризуемых гетеропереходов твердый электролит/электронный проводник (ТЭ/ЭП) - функциональных элементов перспективных приборов наноэлектроники и нано(микро)системной техники. Подход включает: структурно-динамическую модель, которая с единых позиций рассматривает быстрые и медленные процессы в области ТЭ/ЭП как движение ионов подвижного сорта в потенциальном рельефе, искаженном на гетерогранице; метод "скрытых" переменных, описывающий на субнанометровом масштабе процессы БИТ в терминах концентраций подвижных ионов на кристаллографических плоскостях в области тонкой структуры двойного электрического слоя; физико-математический формализм, который оперирует "скрытыми" переменными и базируется на принципе детального равновесия и кинетическом уравнении в форме закона сохранения частиц
Найти похожие
|
13.
| Инвентарный номер: нет.
А 16
Абрамов, И. И.
Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. VII. Структуры на квантовых проволоках / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 8. - С. 7-23 : рис. - Библиогр. : с. 18-23 (228 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КВАНТОВЫЕ ПРОВОЛОКИ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Найти похожие
|
14.
| Инвентарный номер: нет.
А 28
Адамов, Д. Ю.
Нанопроводникии для наноэлектроники / Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, Н. М. Горшкова // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 9-14 : рис. - Библиогр. : с. 14 (12 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
НАНОПРОВОДНИК -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОТРУБКА УГЛЕРОДНАЯ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПЛАНАРНАЯ -- НАНОПРОВОДНИК ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЙ -- ЛИТОГРАФИЯ -- ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПРОВОДНИКОВ
Найти похожие
|
15.
| Инвентарный номер: нет.
А 16
Абрамов, И. И.
Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. VII. Структуры на квантовых проволоках / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 7. - С. 14-29 : рис., табл. - Библиогр. : с. 26-29 (113 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КВАНТОВЫЕ ПРОВОЛОКИ -- ПРИБОРНЫЕ СТРУКТУРЫ
Найти похожие
|
16.
| Инвентарный номер: нет.
А 16
Абрамов, И. И.
Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть IV / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 49-53. - Библиогр.: с. 53 (32 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ -- ИНТЕРПРЕТАЦИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ -- МОЗГ
Аннотация: Приводится новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлектроники, созданного Природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро- и наноэлектроники. Проводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показывается, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части IV дается ответ на вопрос: "А что же дальше?"
Найти похожие
|
17.
| Инвентарный номер: нет.
Д 37
Деспотулин, А. Л.
Перспективы развития в России глубоко субвольтовой наноэлектроники и связанных с ней технологий [Текст] / А. Л. Деспотулин, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 10. - С. 2-11 : рис. - Библиогр.: с. 9 (87 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГЛУБОКО СУБВОЛЬТОВАЯ НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОИОННЫЕ СУПЕРКОНДЕНСАТОРЫ
Найти похожие
|
18.
| Инвентарный номер: нет.
А 16
Абрамов, И. И.
Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1) / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 27-37. - Библиогр. : с. 37 (82 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Аннотация: Проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие
|
19.
| Инвентарный номер: нет.
А 16
Абрамов, И. И.
Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 28-41. - Библиогр. : с. 41 (148 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК
Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие
|
20.
| Инвентарный номер: нет.
Р 68
Роль поверхности тонкопленочных катализаторов при росте углеродных нанотрубок в задачах электроники и сенсорной техники / И. И. Бобринецкий , В. К. Неволин , М. М. Симунин, И. А. Комаров // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 5. - С. 2-5 : табл. - Библиогр. : с. 5 (12 наим.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРУБКИ -- КАТАЛИЗАТОР -- ОСАЖДЕНИЕ ХИМИЧЕСКОЕ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ
Аннотация: Исследованы аспекты роста углеродных нанотрубок на тонкопленочных катализаторах для решения задачи создания элементной базы интегральной наноэлектроники, а также особенности влияния диспергирования ультратонких пленок катализатора при нагреве до 650 °C на диаметр получаемых углеродных нанотрубок. Установлена зависимость диаметра углеродных нанотрубок от шероховатости поверхности ультратонких пленок. Разработаны методики синтеза планарных углеродных нанотрубок на многослойных катализаторах типа Cr-Ni-Cr?? ??
Найти похожие
|
|
|
|
Главная
Новые поступления
Шлюз Z39.50
Каталог книг и продолжающихся изданий
Описание базы данных