Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (11)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=НАНОЭЛЕКТРОНИКИ<.>)
Общее количество найденных документов : 31
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-31 
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 648.4/З-47
Автор(ы) : Зебрев, Геннадий Иванович
Заглавие : Физические основы кремниевой наноэлектроники : учеб. пособие для вузов
Выходные данные : М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011
Колич.характеристики :240 с
Серия: Нанотехнологии
Примечания : Библиогр.: с. 225-232. - Прил.: с. 233-234
ISBN, Цена 978-5-9963-0181-2: 240.00 р.
ГРНТИ : 47
ББК : 648.441я73
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

2.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 648.4/Р 24
Автор(ы) : Раскин, Александр Александрович
Заглавие : Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники: учеб. пособие для вузов/ А. А. Раскин, В. К. Прокофьева. Ч. 2
Выходные данные : М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010
Колич.характеристики :179, [1] с
Примечания : Библиогр.: с. 180
ISBN, Цена 978-5-94774-909-0: 240.00 р.
ГРНТИ : 47
ББК : 648.441я73 + 648.6я73
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА-- КВАНТОВАЯ РАДИОТЕХНИКА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

3.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 648.4/Р 24
Автор(ы) : Раскин, Александр Александрович
Заглавие : Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники: учеб. пособие для вузов/ А. А. Раскин, В. К. Прокофьева. Ч. 1
Выходные данные : М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010
Колич.характеристики :163 с
Примечания : Библиогр.: с. 164
ISBN, Цена 978-5-94774-909-0: 240.00 р.
ГРНТИ : 47
ББК : 648.441я73 + 648.6я73
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА-- КВАНТОВАЯ РАДИОТЕХНИКА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 541.1/Ф 94
Заглавие : Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники
Выходные данные : Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2013
Колич.характеристики :175 с
Коллективы : Ин-т неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН
Серия: Интеграционные проекты СО РАН; вып. 37
Разночтения заглавия :Загл. на доп.тит.листе: Fundamental bases of chemical vapour deposition procesess of films and structures for nanoelectronics
Примечания : Библиогр.: с. 156-171
ISBN, Цена 978-5-7692-0669-6: 830.00 р.
ГРНТИ : 31.15.19
ББК : 541.171
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ-- ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
  Оглавление
Найти похожие

5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З84/Г 12
Автор(ы) : Гаврилов С. А., Белов А. Н.
Заглавие : Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники : учебное пособие для вузов . -2-е изд.
Выходные данные : М.: РИОР: Инфра-М, 2014
Колич.характеристики :238, [1] с
Серия: Высшее образование. Бакалавриат
Примечания : Библиогр.: с. 235-236
ISBN, Цена 978-5-369-01299-4: 363.88 р.
ГРНТИ : 47.01
ББК : З844я73 + 541.13я73
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА
ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ-- ЭЛЕКТРОХИМИЯ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 648.4/Б 26
Автор(ы) : Барыбин, Анатолий Андреевич, Томилин, Виктор Иванович, Шаповалов, Виктор Иванович
Заглавие : Физико-технологические основы макро-, микро- и наноэлектроники : учебное пособие для вузов
Выходные данные : М.: Физматлит, 2011
Колич.характеристики :782 с
Примечания : Предм. указ.: с. 773-782
ISBN, Цена 978-5-9221-2: 783.75 р.
ГРНТИ : 47.33.37
ББК : 648.441я73
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 642/Г 37
Автор(ы) : Герасименко, Николай Николаевич, Пархоменко, Юрий Николаевич
Заглавие : Кремний - материал наноэлектроники : учебное пособие для вузов
Выходные данные : М.: Техносфера, 2007
Колич.характеристики :351 с
Серия: Мир материалов и технологий
ISBN, Цена 5-94836-101-2: 215.00 р.
ISBN, Цена 978-5-94836-101-7: Б.ц.
ГРНТИ : 45.01
ББК : 642.331.2я73
Предметные рубрики: ЭНЕРГЕТИКА-- ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКА-- ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний (применение)--наноэлектроника (приборы)--нанофотоника (приборы)
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 648.4/Д 72
Автор(ы) : Драгунов, Валерий Павлович, Неизвестный, Игорь Георгиевич, Гридчин, Виктор Алексеевич
Заглавие : Основы наноэлектроники : учеб. пособие
Выходные данные : Новосибирск: НГТУ, 2004
Колич.характеристики :494 с.: ил.
Серия: Учебники НГТУ
Примечания : Библиогр. в конце разд.
ISBN, Цена 5-7782-0387-X: 263.00 р.
ГРНТИ : 47.33.37
ББК : 648.441я73
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектроника (основы)--нанотранзисторы (основы)--микроэлектроника (основы)--компьютеры квантовые
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 648.4/Д 72
Автор(ы) : Драгунов, Валерий Павлович, Неизвестный, Игорь Георгиевич, Гридчин, Виктор Алексеевич
Заглавие : Основы наноэлектроники : учеб. пособие
Выходные данные : М.: Физматкнига: Логос, 2006
Колич.характеристики :494 с.: ил.
Серия: Новая университетская библиотека
Примечания : Библиогр. в конце разд.
ISBN, Цена 5-98704-054-X: Б.ц.
ISBN, Цена 5-89155-149-7: Б.ц.
ГРНТИ : 47.33.37
ББК : 648.441я73
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектроника (основы)--нанотранзисторы (основы)--микроэлектроника (основы)--компьютеры квантовые
Экземпляры : всего : кх(2)
Свободны : кх(2)
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Д 37
Автор(ы) : Деспотули А. Л., Андреева А. В.
Заглавие : Компьютерное моделирование на субнанометровом масштабе ион-транспортных характеристик блокирующих гетеропереходов электронный проводник/твердый электролит
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 11. - С. 15-23: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 23 (16 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование компьютерное--наноионика--приборы наноионные--электролиты твердые--гетеропереходы блокирующие--равновесие детальное--уравнение кинетическое
Аннотация: На основе нового структурно-динамико-кинетического подхода наноионики выполнены вычислительные эксперименты, в которых процессы быстрого ионного транспорта (БИТ) в области идеально поляризуемых когерентных гетеропереходов электронный проводник/твердый электролит—передовой суперионный проводник (ПСИП) исследованы с субнанометровым разрешением. Ион-транспортные "скрытые" переменные и наблюдаемые физические величины рассчитаны на временных масштабах 10—10 -7 с. Предложенная компьютерная модель позволяет предсказывать БИТ-характеристики суперконденсаторов на основе ПСИП-приборов, которые необходимы для развития наноэлектроники и микросистемной техники
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Д 15
Автор(ы) : Далидчик Ф. И., Ковалевский С. А., Буданов Б. А.
Заглавие : Крупномасштабные отрицательные дифференциальные сопротивления в туннельном транспорте электронов через молекулы гетерополисоединений
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 11-12. - С. 70-74: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 74 (41 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктуры--молекулы фосфорномолибденовой кислоты --молекулы гетерополисоединений--одс (отрицательные дифференциальные сопротивления)--квантовый эффект локализации ванье-штарка
Аннотация: В высоковакуумных экспериментах с СТМ при комнатных температурах измерены туннельные спектры для молекул фосфорномолибденовой кислоты (H 3PMo 12O 40) - «классического» примера гетерополисоединений, перспективных для создания на их основе новых элементов наноэлектроники. Впервые обнаружены примеры спектров, содержащих множественные ОДС (отрицательные дифференциальные сопротивления) с аномально большими отношениями «пик-долина» (до 10 2). Установлены зависимости обнаруженных ОДС от вакуумного зазора, полярности приложенного напряжения, величины и направления туннельного тока. Предложен новый механизм формирования крупномасштабных множественных ОДС в наноструктурах, основу которого составляет квантовый эффект локализации Ванье-Штарка
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Д 37
Автор(ы) : Деспотули А. Л., Андреева А. В.
Заглавие : Модель, метод и формализм нового подхода к описанию процессов ионного транспорта на блокирующих гетеропереходах твердый электролит/электронный проводник
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 16-21: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 21 (29 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электролиты твердые--принцип детального равновесия--проводники суперионные передовые--подход динамо-кинетический в наноионике--гетеропереход идеально попяризуемый--слой электрический двойной
Аннотация: Предложен новый динамико-кинетический подход в наноионике для детального описания процессов быстрого ионного транспорта (БИТ) в области идеально поляризуемых гетеропереходов твердый электролит/электронный проводник (ТЭ/ЭП) - функциональных элементов перспективных приборов наноэлектроники и нано(микро)системной техники. Подход включает: структурно-динамическую модель, которая с единых позиций рассматривает быстрые и медленные процессы в области ТЭ/ЭП как движение ионов подвижного сорта в потенциальном рельефе, искаженном на гетерогранице; метод "скрытых" переменных, описывающий на субнанометровом масштабе процессы БИТ в терминах концентраций подвижных ионов на кристаллографических плоскостях в области тонкой структуры двойного электрического слоя; физико-математический формализм, который оперирует "скрытыми" переменными и базируется на принципе детального равновесия и кинетическом уравнении в форме закона сохранения частиц
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 51
Автор(ы) : Смолин В. К.
Заглавие : Мемристоры — перспективная элементная база микро-и наноэлектроники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 27-30: табл., схема. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 30 (32 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мемристор--память типа мrам, fram, reram
Аннотация: Дан обзор конструкторско-технологических особенностей выполнения устройств энергонезависимой памяти на основе резисторов с памятью — мемристоров. Определены перспективы развития этого вида памяти
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть III
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 45-54: табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 54 (84 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектроника--мозг --интерпретация электронная
Аннотация: Приведена новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлектроники, созданного Природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро-и наноэлектроники. Проводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показано, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части III даны ответы на вопросы: "Достаточно ли для описания работы мозга, включая сознание, мысль, другие психические функции, квантовой механики? Как далее исследовать мозг?"
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть IV
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 49-53. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 53 (32 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектроники--интерпретация электронная--мозг
Аннотация: Приводится новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлектроники, созданного Природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро- и наноэлектроники. Проводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показывается, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части IV дается ответ на вопрос: "А что же дальше?"
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть II
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 45-53. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 53 (41 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектроника--мозг--интерпретация электронная
Аннотация: Приводится новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлекmроники, созданного природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро- и наноэлекmроники. Доводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показывается, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части II дается ответ на вопрос: "Как приблизительно функционирует мозг с точки зрения специалиста в области электроники?"
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Х 12
Автор(ы) : Хабибуллин Р. А.
Заглавие : Технология создания наногетероструктур AL xGa 1 – xAs/In yGA 1 – yAs/Al xGa 1 – xAs на арсениде галлия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 6-8: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 8 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзистор полевой --эпитаксия молекулярно-лучевая--наноэлектроника--наногетероструктура--слой барьерный подзатворный тонкий
Аннотация: Представлены разработка и исследование перспективного материала для наноэлектроники — наногетероструктур с приповерхностными квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьерным слоем. Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц.
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть I
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 52-54. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 54 (28 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектроника--мозг--интерпретация электронная
Аннотация: Приводится новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлектроники, созданного Природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро- и наноэлектроники. Проводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показывается, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части I дается ответ на вопрос: "Почему мозг может интерпретироваться как объект органической гибридной наноэлектроники?"
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-62
Автор(ы) : Агеев О. А., Ильин О. И., Коломийцев А. С., Коноплев Б. Г., Рубашкина М. В., Смирнов В. А., Федотов А. А.
Заглавие : Определение геометрических параметров массива вертикально ориентированных углеродных нанотрубок методом атомно-силовой микроскопии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 9-13: табл., рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 13 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований геометрических параметров углеродных нанотрубок и плотности массива вертикально ориентированных углеродных нанотрубок (ВОУНТ) в контактном, полуконтактном и бесконтактном режимах атомно-силовой микроскопии (АСМ). Разработана экспресс-методика определения высоты массива ВОУНТ методом АСМ, с использованием которой определены значения максимальной и средней высоты нанотрубок в экспериментальном образце массива ВОУНТ, которые составили 1,98 мкм и 1,12 ± 0,45 мкм соответственно. В бесконтактном режиме АСМ определена плотность нанотрубок в экспериментальном образце массива ВОУНТ, равная 31 мкм-2. Полученные результаты могут быть использованы при разработке методов нанодиагностики, а также технологических процессов формирования элементов микро- и наноэлектроники на основе ВОУНТ
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Р 68
Автор(ы) : Бобринецкий И. И., Неволин В. К., Симунин М. М., Комаров И. А.
Заглавие : Роль поверхности тонкопленочных катализаторов при росте углеродных нанотрубок в задачах электроники и сенсорной техники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 5. - С. 2-5: табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 5 (12 наим.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотрубки--катализатор--осаждение химическое--пленки тонкие
Аннотация: Исследованы аспекты роста углеродных нанотрубок на тонкопленочных катализаторах для решения задачи создания элементной базы интегральной наноэлектроники, а также особенности влияния диспергирования ультратонких пленок катализатора при нагреве до 650 °C на диаметр получаемых углеродных нанотрубок. Установлена зависимость диаметра углеродных нанотрубок от шероховатости поверхности ультратонких пленок. Разработаны методики синтеза планарных углеродных нанотрубок на многослойных катализаторах типа Cr-Ni-Cr?? ??
Найти похожие

 1-20    21-31 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика