Поисковый запрос: (<.>K=НАНОЭЛЕКТРОНИКИ<.>) |
Общее количество найденных документов : 31
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : З84/Г 12
Автор(ы) : Гаврилов С. А., Белов А. Н.
Заглавие : Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники
: учебное пособие для вузов
. -2-е изд. Выходные данные : М.: РИОР: Инфра-М, 2014 Колич.характеристики :238, [1] с
Серия: Высшее образование. Бакалавриат
Примечания : Библиогр.: с. 235-236
ISBN, Цена 978-5-369-01299-4: 363.88 р.
ГРНТИ : 47.01 ББК : З844я73 + 541.13я73 Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ-- ЭЛЕКТРОХИМИЯ
Экземпляры :кх(1) Свободны : кх(1) Найти похожие
|
2. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 541.1/Ф 94
Заглавие : Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники
Выходные данные : Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2013 Колич.характеристики :175 с
Коллективы :
Ин-т неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН Серия: Интеграционные проекты СО РАН; вып. 37
Разночтения заглавия :Загл. на доп.тит.листе: Fundamental bases of chemical vapour deposition procesess of films and structures for nanoelectronics
Примечания : Библиогр.: с. 156-171
ISBN, Цена 978-5-7692-0669-6: 830.00 р.
ГРНТИ : 31.15.19 ББК : 541.171 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ-- ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА
Экземпляры :кх(1) Свободны : кх(1) Оглавление Найти похожие
![](/WEBIRBIS/CGI/irbis64r_11/cgiirbis_64.exe?LNG=&C21COM=3&P21DBN=NANO&I21DBN=NANO&BINARY_RESOURCE_OCC=1&BINARY_RESOURCE_MFN=2305)
|
3. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 648.4/З-47
Автор(ы) : Зебрев, Геннадий Иванович
Заглавие : Физические основы кремниевой наноэлектроники
: учеб. пособие для вузов
Выходные данные : М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011 Колич.характеристики :240 с
Серия: Нанотехнологии
Примечания : Библиогр.: с. 225-232. - Прил.: с. 233-234
ISBN, Цена 978-5-9963-0181-2: 240.00 р.
ГРНТИ : 47 ББК : 648.441я73 Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА
Экземпляры :кх(1) Свободны : кх(1) Найти похожие
|
4. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 648.4/Б 26
Автор(ы) : Барыбин, Анатолий Андреевич, Томилин, Виктор Иванович, Шаповалов, Виктор Иванович
Заглавие : Физико-технологические основы макро-, микро- и наноэлектроники
: учебное пособие для вузов
Выходные данные : М.: Физматлит, 2011 Колич.характеристики :782 с
Примечания : Предм. указ.: с. 773-782
ISBN, Цена 978-5-9221-2: 783.75 р.
ГРНТИ : 47.33.37 ББК : 648.441я73 Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА
Экземпляры :кх(1) Свободны : кх(1) Найти похожие
|
5. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Х 12
Автор(ы) : Хабибуллин Р. А.
Заглавие : Технология создания наногетероструктур AL xGa 1 – xAs/In yGA 1 – yAs/Al xGa 1 – xAs на арсениде галлия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 6-8: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 8 (4 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзистор полевой --эпитаксия молекулярно-лучевая--наноэлектроника--наногетероструктура--слой барьерный подзатворный тонкий Аннотация: Представлены разработка и исследование перспективного материала для наноэлектроники — наногетероструктур с приповерхностными квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьерным слоем. Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц.
Найти похожие
|
6. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : 648.4/Р 24
Автор(ы) : Раскин, Александр Александрович
Заглавие : Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники: учеб. пособие для вузов/ А. А. Раскин, В. К. Прокофьева. Ч. 1
Выходные данные : М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010 Колич.характеристики :163 с
Примечания : Библиогр.: с. 164
ISBN, Цена 978-5-94774-909-0: 240.00 р.
ГРНТИ : 47 ББК : 648.441я73 + 648.6я73 Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА-- КВАНТОВАЯ РАДИОТЕХНИКА
Экземпляры :кх(1) Свободны : кх(1) Найти похожие
|
7. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : 648.4/Р 24
Автор(ы) : Раскин, Александр Александрович
Заглавие : Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники: учеб. пособие для вузов/ А. А. Раскин, В. К. Прокофьева. Ч. 2
Выходные данные : М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010 Колич.характеристики :179, [1] с
Примечания : Библиогр.: с. 180
ISBN, Цена 978-5-94774-909-0: 240.00 р.
ГРНТИ : 47 ББК : 648.441я73 + 648.6я73 Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА-- КВАНТОВАЯ РАДИОТЕХНИКА
Экземпляры :кх(1) Свободны : кх(1) Найти похожие
|
8. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Р 68
Автор(ы) : Бобринецкий И. И., Неволин В. К., Симунин М. М., Комаров И. А.
Заглавие : Роль поверхности тонкопленочных катализаторов при росте углеродных нанотрубок в задачах электроники и сенсорной техники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 5. - С. 2-5: табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 5 (12 наим.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотрубки--катализатор--осаждение химическое--пленки тонкие Аннотация: Исследованы аспекты роста углеродных нанотрубок на тонкопленочных катализаторах для решения задачи создания элементной базы интегральной наноэлектроники, а также особенности влияния диспергирования ультратонких пленок катализатора при нагреве до 650 °C на диаметр получаемых углеродных нанотрубок. Установлена зависимость диаметра углеродных нанотрубок от шероховатости поверхности ультратонких пленок. Разработаны методики синтеза планарных углеродных нанотрубок на многослойных катализаторах типа Cr-Ni-Cr?? ??
Найти похожие
|
9. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Г 55
Автор(ы) : Глухова О. Е., Жничков Р. Ю., Слепченков М. М.
Заглавие : Программный комплекс для наноэлектроники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 1. - С. 5-11: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 11 (12 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Разработан программно-вычислительный комплекс, теоретическую основу которого составляет квантово-химический метод сильной связи. С помощью данного комплекса рассчитан электронный спектр сжатых на различное число процентов графеновых нанолент. Установлено, что сжатые наноленты обладают улучшенными эмиссионными свойствами. С помощью разработанного комплекса можно исследовать атомное строение и свойства многоатомных наноструктур
Найти похожие
|
10. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1)
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 27-37. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 37 (82 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--металл-диэлектрик-полупроводник--наноэлектроника Аннотация: Проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие
|
11. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 28-41. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 41 (148 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--наноэлектроника--металл-диэлектрик-полупроводник Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие
|
12. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 29-42. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 42 (148 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--наноэлектроника--структура мдп Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания «эры» данного типа приборных структур
Найти похожие
|
13. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 623.7/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. VII. Структуры на квантовых проволоках
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 8. - С. 7-23: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 18-23 (228 назв.)
ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квантовые проволоки--наноэлектроника
Найти похожие
|
14. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 623.7/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. VII. Структуры на квантовых проволоках
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 7. - С. 14-29: рис., табл. Примечания : Библиогр. : с. 26-29 (113 назв.)
ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квантовые проволоки--приборные структуры
Найти похожие
|
15. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/П 37
Автор(ы) : Пивоваренок С. А., Дунаев А. В., Ефремов А. М., Светцов В. И.
Заглавие : Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 69-71: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498 Примечания : Библиогр. : с. 71 (6 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и хлороводорода применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС. Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, который является одним из самых перспективных материалов электроники будущего. Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1]
Найти похожие
|
16. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Д 37
Автор(ы) : Деспотулин А. Л., Андреева А. В.
Заглавие : Перспективы развития в России глубоко субвольтовой наноэлектроники и связанных с ней технологий
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 10. - С. 2-11: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 9 (87 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): глубоко субвольтовая наноэлектроника --наноионные суперконденсаторы
Найти похожие
|
17. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 648.4/Д 72
Автор(ы) : Драгунов, Валерий Павлович, Неизвестный, Игорь Георгиевич, Гридчин, Виктор Алексеевич
Заглавие : Основы наноэлектроники
: учеб. пособие
Выходные данные : М.: Физматкнига: Логос, 2006 Колич.характеристики :494 с.:
ил.
Серия: Новая университетская библиотека
Примечания : Библиогр. в конце разд.
ISBN, Цена 5-98704-054-X: Б.ц.
ISBN, Цена 5-89155-149-7: Б.ц.
ГРНТИ : 47.33.37 ББК : 648.441я73 Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектроника (основы)--нанотранзисторы (основы)--микроэлектроника (основы)--компьютеры квантовые
Экземпляры : всего : кх(2) Свободны : кх(2) Найти похожие
|
18. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 648.4/Д 72
Автор(ы) : Драгунов, Валерий Павлович, Неизвестный, Игорь Георгиевич, Гридчин, Виктор Алексеевич
Заглавие : Основы наноэлектроники
: учеб. пособие
Выходные данные : Новосибирск: НГТУ, 2004 Колич.характеристики :494 с.:
ил.
Серия: Учебники НГТУ
Примечания : Библиогр. в конце разд.
ISBN, Цена 5-7782-0387-X: 263.00 р.
ГРНТИ : 47.33.37 ББК : 648.441я73 Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектроника (основы)--нанотранзисторы (основы)--микроэлектроника (основы)--компьютеры квантовые
Экземпляры :кх(1) Свободны : кх(1) Найти похожие
|
19. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/О-62
Автор(ы) : Агеев О. А., Ильин О. И., Коломийцев А. С., Коноплев Б. Г., Рубашкина М. В., Смирнов В. А., Федотов А. А.
Заглавие : Определение геометрических параметров массива вертикально ориентированных углеродных нанотрубок методом атомно-силовой микроскопии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 9-13: табл., рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 13 (8 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований геометрических параметров углеродных нанотрубок и плотности массива вертикально ориентированных углеродных нанотрубок (ВОУНТ) в контактном, полуконтактном и бесконтактном режимах атомно-силовой микроскопии (АСМ). Разработана экспресс-методика определения высоты массива ВОУНТ методом АСМ, с использованием которой определены значения максимальной и средней высоты нанотрубок в экспериментальном образце массива ВОУНТ, которые составили 1,98 мкм и 1,12 ± 0,45 мкм соответственно. В бесконтактном режиме АСМ определена плотность нанотрубок в экспериментальном образце массива ВОУНТ, равная 31 мкм-2. Полученные результаты могут быть использованы при разработке методов нанодиагностики, а также технологических процессов формирования элементов микро- и наноэлектроники на основе ВОУНТ
Найти похожие
|
20. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 623.7/А 28
Автор(ы) : Адамов Д. Ю., Адамов Ю. Ф., Горшкова Н. М.
Заглавие : Нанопроводникии для наноэлектроники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 9-14: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 14 (12 назв.)
ББК : 623.7 Предметные рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Найти похожие
|
|
|