Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (18)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (24)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (3)Публикации об УрО РАН (3)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (3)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (6)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (14)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (4)Расплавы (4)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=НАПРЯЖЕНИЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-23 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 12

   
    Магниторезистивная микросистема контроля электрического тока в проводнике / В. В. Амеличев, Е. В. Благов, Д. В. Костюк, Д. В. Васильев, П. А. Беляков, Е. П. Орлов, И. Е. Абанин, В. С. Тахов, А. И. Руковишников, Н. М. Россуканый // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 1. - С. 39-42. - Библиогр.: с. 42 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
53.087.92
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ МИКРОСИСТЕМА -- КОНТРОЛЬ СИЛЫ ТОКА -- МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ
Аннотация: Магниторезистивная микросистема контроля силы тока и его флуктуаций позволяет бесконтактным способом определять силу тока и частоту флуктуаций в проводнике с возможностью визуализации полученных результатов. В качестве чувствительного элемента микросистемы выступают магниторезисторы, соединенные в мостовую схему Уитстона. Проводник с током, являющийся источником внешнего магнитного поля, располагается на фиксированном расстоянии от чувствительного элемента магниторезистивного преобразователя (МП). В зависимости от подаваемой в проводник силы тока изменяется выходное напряжение в МП. С использованием закона Био— Савара—Лапласа определяется расчетное значение силы тока в проводнике. Отличительной особенностью микросистемы является возможность прецизионной регистрации импульсных и переменных изменений силы тока как с малой (2 мА), так и с высокой (50 А) амплитудой

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 96

   
    Пьезоэлектрический резонансный датчик магнитного поля с планарной возбуждающей катушкой / Д. А. Бурдин, Ю. К. Фетисов, Д. А. Чашин, Н. А. Экономов, Е. М. Савченко // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 37-40 : рис. - Библиогр.: с. 40 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- ДАТЧИК ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАНСНЫЙ -- СИЛА АМПЕРА -- ПЬЕЗОЭФФЕКТ -- ПЛАСТИНА БИМОРФНАЯ -- ПЬЕЗОЭЛЕКТРИК
Аннотация: Изготовлен и исследован пьезоэлектрический датчик постоянного магнитного поля, использующий комбинацию силы Ампера, пьезоэффекта и акустического резонанса. Датчик представляет собой биморфную пластину из цирконата-титаната свинца, один конец которой закреплен, а на другом расположена планарная электромагнитная катушка. При пропускании через катушку тока с частотой, равной частоте изгибных колебаний пластины, пьезоэлектрик генерирует переменное напряжение, амплитуда которого пропорциональна постоянному полю. Датчик имеет чувствительность ~200 В/(А • Тл) в диапазоне полей ~10 -7...0,3 Тл и диапазоне температур 220...370К

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 58

    Кожушнер, М. А.
    Молекулярный холодильник и термоэлектрические явления в условиях туннельно-резонансной проводимости / М. А. Кожушнер // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 1-2. - С. 46-51. - Библиогр.: с. 51 (33 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХОЛОДИЛЬНИК МОЛЕКУЛЯРНЫЙ -- ПРОВОДИМОСТЬ ТУНЕНЕЛЬНО-РЕЗОНАНСНАЯ -- ЯВЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- МЕТАЛЛ-МОЛЕКУЛА-МЕТАЛЛ -- ТОК РЕЗОНАНСНЫЙ -- КОЭФФИЦИЕНТ ПЕЛЬТЬЕ -- НАПРЯЖЕНИЕ -- ЭЛЕКТРОД -- КОЭФФИЦИЕНТ ЗЕЕБЕКА
Аннотация: Развита теория термоэлектрических явлений в цепи металл-молекула-металл в случае осуществления резонансной проводимости через молекулу. Показано, что резонансный ток может охлаждать один из электродов при напряжениях, когда резонансный уровень несколько не доходит до уровня Ферми: при электронном резонансе электронный уровень выше уровня Ферми охлаждающегося катода, а при дырочном резонансе дырочный уровень ниже уровня Ферми охлаждающегося анода. Охлаждающий электрод поток энергии пропорционален резонансному току, и каждый электрон тока уносит из соответствующего электрода энергию несколько больше kT. Такой молекулярный холодильник эффективен, пока kT больше, чем полная ширина резонансного уровня. Найдены коэффициенты Пельтье и Зеебека для случая, когда резонансный уровень близок к уровню Ферми уже при нулевом напряжении

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 53

   
    Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора / Т. Ф. Шкляр, Е. П. Дьячкова, О. А. Динисламова, А. П. Сафронов, Д. В. Лейман, Ф. А. Бляхман // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 89-94 : рис. - Библиогр.: с. 94 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОР -- СЛОИ УЛЬТРАТОНКИЕ -- ЭЛЕМЕНТЫ КНИ МДП-НАНОТРАНЗИСТОРА -- МЕТОД ВЫСОКОЧАСТОТНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНОК HFO2 -- КНИ-СТРУКТУРА -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ИМПЛАНТАЦИЯ
Аннотация: Рассмотрены методы получения и свойства таких элементов КНИ МДП-нанотранзистора, как затвор/подзатворный диэлектрик, области истока/стока и омические контакты. Затворные структуры HfO2(50 нм)/Si (100) и W/HfO2(4 нм)/Si (100) создавались методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что кристаллическая структура пленок HfO2 и их электрические характеристики (напряжение пробоя) являются взаимосвязанными. Для создания ультрамелких областей стока/истока использовалась высокодозовая плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора. В процессе быстрого термического отжига имплантированных слоев обнаружено существенное снижение количества бора у поверхности в КНИ-структуре. Образование омических контактов CoSi2 осуществлялось с использованием структур Ti(8 нм)/Co(10 нм)/Ti(5 нм), сформированных на Si-подложке ориентации (100). Установлено, что образовавшаясяся в результате двухстадийного отжига пленка CoSi2 обладает поверхностным сопротивлением 20 Ом/□

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45

   
    Электростатический МЭМС-ключ на структуре кремний—стекло / В. В. Платонов, С. С. Генералов, В. И. Смехова, В. В. Амеличев, С. А. Поломошнов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 7. - С. 43-47 : рис. - Библиогр.: с. . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ИМЭМС-ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ -- МЭМС-КЛЮЧ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ -- СТРУКТУРА КРЕМНИЙ—СТЕКЛО -- НАПРЯЖЕНИЕ РАБОЧЕЕ
Аннотация: Рассмотрены основные преимущества МЭМС-переключателей. Приведены результаты реализации конструкции кремний—стекло с балочным креплением подвижных электродов, не имеющей в технологии изготовления операцию удаления жертвенного слоя. Представлены основные результаты исследования разработанных МЭМС-ключей

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   З-17

    Зайцев, А. А.
    Метод построения высокочастотного помехоустойчивого управляемого генератора для "системы на кристалле" субмикронного КМОП-базиса / А. А. Зайцев // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 49-52 : рис. - Библиогр.: с. 52 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КМОП-генератора, -- СХЕМА ПОСТРОЕНИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ПОМЕХОУСТОЙЧИВОГО КМОП-ГЕНЕРАТОРА -- НАПРЯЖЕНИЕ -- "СИСТЕМА НА КРИСТАЛЛЕ" -- РАСШИРЕНИЕ ДИАПАЗОНА ГЕНЕРИРУЕМЫХ ЧАСТОТ -- ПОМЕХОУСТОЙЧИВОСТЬ
Аннотация: Представлены новый метод и схема построения высокочастотного помехоустойчивого КМОП-генератора, управляемого напряжением и предназначенного для использования в составе "системы на кристалле". Технический результат — расширение диапазона генерируемых частот и повышение помехоустойчивости. Приведены диаграммы математического моделирования при реализации генератора в субмикронном КМОП-базисе 180 нм

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 68

    Королева, В. А.
    Оценка характеристик микроразмерных слоистых исполнительных элементов устройств микросистемной техники / В. А. Королева, Д. В. Болтунов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 4. - С. 42-45 : рис., табл. - Библиогр. : с. 45 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕХНИКА МИКРОСИСТЕМНАЯ -- ДЕФОРМАЦИЯ -- ЗАВИСИМОСТЬ "НАГРУЗКА-ДЕФОРМАЦИЯ" -- ЖЕСТКОСТЬ ИЗГИБНАЯ ИСПОЛНИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА
Аннотация: Проведена расчетно-экспериментальная оценка характеристик подвижных исполнительных элементов электростатических актюаторов: деформации от нагрузки, с последующим расчетом их изгибной жесткости, модуля Юнга конструкционного материала, электрического напряжения срабатывания. Показано, что с увеличением толщины слоя никеля возрастают расчетно-экспериментальные значения изгибной жесткости конструкции. Установлено, что напряжение срабатывания уменьшается при уменьшении толщины слоя никеля. Измеренные значения превышают расчетные, что может быть связано с особенностями технологии изготовления

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Г 55

    Глухова , О. Е.
    Стабильность тонких углеродных бамбукоподобных нанотрубок / О. Е. Глухова , А. C. Колесникова // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 2-6 : рис. - Библиогр. : с. 6 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СИНТЕЗ -- НАНОТРУБКИ БАМБУКОПОДОБНЫЕ -- НАПРЯЖЕНИЕ ЛОКАЛЬНОЕ -- ПЛОТНОСТЬ ЭНЕРГИИ ОБЪЕМНАЯ
Аннотация: Теоретический поиск стабильных наноструктур осуществлялся с помощью определения расстояния между атомами после процесса оптимизации структуры методом сильной связи. Поиск стабильности бамбукоподобных нанотрубок проводился путем нахождения локального напряжения атомной сетки с помощью эмпирического метода. Карта напряжений рассчитывалась для бамбукоподобных нанотрубок различного диаметра. Показано, что бамбукоподобные нанотрубки диаметром 2,024 нм являются стабильными нанотрубками наименьшего диаметра и не разрушаются после процесса оптимизации.

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Г 55

    Глухова, О. Е.
    Исследование прочности на разрыв моно- и бислойного графена / О. Е. Глухова, В. В. Шунаев // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 25-29 : рис., табл., граф. - Библиогр.: с. 29 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ -- МЕТОД АТОМ-АТОМНЫХ ПОТЕНЦИАЛОВ -- НАПРЯЖЕНИЕ КРИТИЧЕСКОЕ -- СИЛА ПРЕДЕЛЬНАЯ -- ГРАФЕН -- ГРАФЕН БИСЛОЙНЫЙ И МОНОСЛОЙНЫЙ
Аннотация: С помощью метода молекулярной динамики исследованы механические свойства однослойного и бислойного графена: определены критические напряжения и предельные силы для данных структур. Критические напряжения для однослойного и бислойного графена составляют 126 и 196 ГПа соответственно. Значение предельной силы для однослойного графена равно 437,83 нН, для бислойного - 679,81 нН

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 79

   
    Болометр с термочувствительным слоем из оксида ванадия VO x // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 44-52 : рис., табл. - Библиогр.: с. 52 (13 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ВОЛЬТОВАЯ -- СПОСОБНОСТЬ БОЛОМЕТРОВ ОБНАРУЖИТЕЛЬНАЯ -- БОЛОМЕТР -- ОКСИД ВАНАДИЯ
Аннотация: Исследованы электрические параметры термочувствительного слоя болометра VO x и морфология его поверхности. Определена относительная погрешность измерения, вносимая оксидным слоем VO x. Представлены расчетные и экспериментальные данные нагрева слоя VO x на 1 и 200 °С в диапазонах длин волн 0.5—3.39 мкм и 5.0—12 мкм в зависимости от длительности импульса излучения в диапазоне 1 — 10 -9 с на различных подложках. Исследованы зависимости: постоянной времени, вольтовой чувствительности болометра от размера приемной площадки и материала подложки. Рассчитаны: постоянная времени болометра, вольтовая чувствительность и эквивалентные значения напряжений фундаментальных шумов в зависимости от размеров приемной площадки, материалов подложки и частоты регистрируемого излучения. Приведены значения удельного теплового потока и обнаружительной способности болометров на частотах 1, 10, 20 Гц, выполненных на различных диэлектрических подложках. Описана модульная конструкция болометра, включающая герметичный корпус с приемным окном и преобразователь сопротивление-напряжение. Приведены зависимости напряжения с выхода болометра от величины воздействующего постоянного и импульсного излучения

Найти похожие
 1-10    11-20   21-23 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика