Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (18)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (24)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (3)Публикации об УрО РАН (3)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (3)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (6)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (14)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (4)Расплавы (4)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=НАПРЯЖЕНИЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-23 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 45
Автор(ы) : Платонов В. В., Генералов С. С., Смехова В. И., Амеличев В. В., Поломошнов С. А.
Заглавие : Электростатический МЭМС-ключ на структуре кремний—стекло
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 7. - С. 43-47: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с.
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): имэмс-переключатели--мэмс-ключ электростатический --структура кремний—стекло--напряжение рабочее
Аннотация: Рассмотрены основные преимущества МЭМС-переключателей. Приведены результаты реализации конструкции кремний—стекло с балочным креплением подвижных электродов, не имеющей в технологии изготовления операцию удаления жертвенного слоя. Представлены основные результаты исследования разработанных МЭМС-ключей
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 38
Автор(ы) : Белоус А. И., Гасенкова И. В., Дрозд С. Е., Коннов Е. В., Мухуров Н. И., Белоус В. А.
Заглавие : Технологический вариант реализации конструкции бис преобразователя емкость-напряжение для микроэлектромеханических датчиков
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 8. - С. 2-6: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 6 (6 наим.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): датчики микроэлектромеханические--конструкция и технология построения--преобразователь емкость-напряжение
Аннотация: Рассмотрен один из вариантов конструктивно-технологического построения и создания БИС преобразователя емкость-напряжение для электронной схемы миниатюрных микроэлектромеханических датчиков с емкостным выходом. Предлагаемая БИС может быть использована для построения широкой номенклатуры МЭМС с емкостным выходом от чувствительного элемента на основе анодного оксида алюминия
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 92
Автор(ы) : Белоус А. И., Емельянов В. А., Дрозд С. Е., Коннов Е. В., Мухуров Н. И., Плебанович В. А.
Заглавие : Схемотехническое конструирование БИС преобразователя емкость - напряжение для микроэлектромеханических датчиков
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 8. - С. 19-19: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 19 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дифференциальный конденсатор--мэмс-технология--технология интегральных сил
Аннотация: Рассматриваются вопросы схемотехнического конструирования БИС преобразователя емкость - напряжение для электронной схемы микромеханического сенсора общего назначения. Предлагаемая структурная схема БИС может быть использована для построения МЭМС с емкостным выходом от чувствительного элемента
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 96
Автор(ы) : Бурдин Д. А., Фетисов Ю. К., Чашин Д. А., Экономов Н. А., Савченко Е. М.
Заглавие : Пьезоэлектрический резонансный датчик магнитного поля с планарной возбуждающей катушкой
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 37-40: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 40 (9 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): датчик магнитного поля--датчик пьезоэлектрический резонансный--сила ампера--пьезоэффект--пластина биморфная --пьезоэлектрик
Аннотация: Изготовлен и исследован пьезоэлектрический датчик постоянного магнитного поля, использующий комбинацию силы Ампера, пьезоэффекта и акустического резонанса. Датчик представляет собой биморфную пластину из цирконата-титаната свинца, один конец которой закреплен, а на другом расположена планарная электромагнитная катушка. При пропускании через катушку тока с частотой, равной частоте изгибных колебаний пластины, пьезоэлектрик генерирует переменное напряжение, амплитуда которого пропорциональна постоянному полю. Датчик имеет чувствительность ~200 В/(А • Тл) в диапазоне полей ~10 -7...0,3 Тл и диапазоне температур 220...370К
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 76
Автор(ы) : Глухова О. Е., Кириллова И. В., Маслякова Г. Н., Коссович Е. Л., Заярский Д. А., Фадеев А. А.
Заглавие : Применение атомной силовой микроскопии в исследованиях взаимодействия липопротеидов с интимой артерий
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 34-39: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 39 (23 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эндотелей--деформация--напряжение нормальное--напряжение касательное--моделирование конечно-элементное--липопротеид--микроскопия атомно-силовая--интима артерий
Аннотация: Разработана оригинальная методика сканирования морфологии интимы артерий с помощью атомной силовой микроскопии с применением зондовой нанолаборатории NTEGRASpectra (НТ-МДТ, Россия). Получены картины топологии интимы коронарной артерии с разрешением 1 нм. Построена 3D-модель комплекса "поверхность эндотелиальной клетки - ЛНП" и с помощью пакета ANSYS рассчитана деформация липопротеидов низкой плотности (ЛНП), а также карта напряжений при соударении макромолекулы с поверхностью эндотелия. В месте взаимодействия ЛНП с поверхностью наблюдаются наибольшие нормальные и касательные напряжения, равные 2,173 и 0,053 кПа соответственно. Показано, что структура ЛНП испытывает сильные деформации, которые приводят к сжатию молекулы с одновременным замятием. Таким образом, при попадании ЛНП в щель между клетками макромолекула будет испытывать всесторонние деформации и значительную модификацию молекулярной структуры
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/П 75
Автор(ы) : Гуляев Ю. В., Лобанов Б. С., Митягин А. Ю., Фесенко М. В., Хлопов Б. В.
Заглавие : Прибор для уничтожения информации с флеш-носителей
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 11. - С. 42-46: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 46 (11 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ-- ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 53
Автор(ы) : Шкляр Т. Ф., Дьячкова Е. П., Динисламова О. А., Сафронов А. П., Лейман Д. В., Бляхман Ф. А.
Заглавие : Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 89-94: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 94 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзистор--слои ультратонкие--элементы кни мдп-нанотранзистора--метод высокочастотного магнетронного распыления--диэлектрик--структура кристаллическая пленок hfo2 --кни-структура--сопротивление поверхностное--имплантация
Аннотация: Рассмотрены методы получения и свойства таких элементов КНИ МДП-нанотранзистора, как затвор/подзатворный диэлектрик, области истока/стока и омические контакты. Затворные структуры HfO2(50 нм)/Si (100) и W/HfO2(4 нм)/Si (100) создавались методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что кристаллическая структура пленок HfO2 и их электрические характеристики (напряжение пробоя) являются взаимосвязанными. Для создания ультрамелких областей стока/истока использовалась высокодозовая плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора. В процессе быстрого термического отжига имплантированных слоев обнаружено существенное снижение количества бора у поверхности в КНИ-структуре. Образование омических контактов CoSi2 осуществлялось с использованием структур Ti(8 нм)/Co(10 нм)/Ti(5 нм), сформированных на Si-подложке ориентации (100). Установлено, что образовавшаясяся в результате двухстадийного отжига пленка CoSi2 обладает поверхностным сопротивлением 20 Ом/□
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/М 99
Автор(ы) : Мятиев А. А., Рязанцев С. Н., Кречетов И. С.
Заглавие : Нанесение диэлектрических нанопленок на пористую поверхность анодной конденсаторной фольги
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 3. - С. 23-29: рис.
Примечания : Библиогр. : с. 29 (6 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электролитический конденсатор--диэлектрические нанопленки--электроемкость--рабочее напряжение
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 92
Автор(ы) : Мухуров Н. И., Ефремов Г.И., Жвавый С. П.
Заглавие : Теоретическое моделирование плоскопараллельных двухэлектродных микроактюаторов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 15-23: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 23 (16 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микроактюатор--напряжение--ток--заряд--конструкция планарная
Аннотация: Предложен обобщенный метод расчета двухэлектродных электромеханических актюаторов. Определены основные соотношения электрических и механических сил в электростатических, электротоковых, электрозарядных актюаторах в полном рабочем цикле. Приведены соответствующие графические зависимости расчетов в конфетных вариантах конструкции
Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 648.4/М 53
Автор(ы) : Месяц, Геннадий Андреевич, Пегель, Игорь Валериевич
Заглавие : Введение в наносекундную импульсную энергетику и электронику : курс лекций для физиков и инженеров
Выходные данные : М.: ФИАН, 2009
Колич.характеристики :191, [1] с.: граф., ил., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 189-191
ISBN, Цена 978-5-902622-17-8: 20.00 р.
ГРНТИ : 47.09.99
ББК : 648.47я7-2
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА
Экземпляры : всего : бр.ф.(1), кх(1)
Свободны : бр.ф.(1), кх(1)
Найти похожие

 1-10    11-20   21-23 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика