Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (18)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (24)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (3)Публикации об УрО РАН (3)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (3)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (6)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (14)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (4)Расплавы (4)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=НАПРЯЖЕНИЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-23 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 76
Автор(ы) : Глухова О. Е., Кириллова И. В., Маслякова Г. Н., Коссович Е. Л., Заярский Д. А., Фадеев А. А.
Заглавие : Применение атомной силовой микроскопии в исследованиях взаимодействия липопротеидов с интимой артерий
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 34-39: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 39 (23 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эндотелей--деформация--напряжение нормальное--напряжение касательное--моделирование конечно-элементное--липопротеид--микроскопия атомно-силовая--интима артерий
Аннотация: Разработана оригинальная методика сканирования морфологии интимы артерий с помощью атомной силовой микроскопии с применением зондовой нанолаборатории NTEGRASpectra (НТ-МДТ, Россия). Получены картины топологии интимы коронарной артерии с разрешением 1 нм. Построена 3D-модель комплекса "поверхность эндотелиальной клетки - ЛНП" и с помощью пакета ANSYS рассчитана деформация липопротеидов низкой плотности (ЛНП), а также карта напряжений при соударении макромолекулы с поверхностью эндотелия. В месте взаимодействия ЛНП с поверхностью наблюдаются наибольшие нормальные и касательные напряжения, равные 2,173 и 0,053 кПа соответственно. Показано, что структура ЛНП испытывает сильные деформации, которые приводят к сжатию молекулы с одновременным замятием. Таким образом, при попадании ЛНП в щель между клетками макромолекула будет испытывать всесторонние деформации и значительную модификацию молекулярной структуры
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 79
Заглавие : Болометр с термочувствительным слоем из оксида ванадия VO x
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 44-52: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 52 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): чувствительность вольтовая--способность болометров обнаружительная--болометр--оксид ванадия
Аннотация: Исследованы электрические параметры термочувствительного слоя болометра VO x и морфология его поверхности. Определена относительная погрешность измерения, вносимая оксидным слоем VO x. Представлены расчетные и экспериментальные данные нагрева слоя VO x на 1 и 200 °С в диапазонах длин волн 0.5—3.39 мкм и 5.0—12 мкм в зависимости от длительности импульса излучения в диапазоне 1 — 10 -9 с на различных подложках. Исследованы зависимости: постоянной времени, вольтовой чувствительности болометра от размера приемной площадки и материала подложки. Рассчитаны: постоянная времени болометра, вольтовая чувствительность и эквивалентные значения напряжений фундаментальных шумов в зависимости от размеров приемной площадки, материалов подложки и частоты регистрируемого излучения. Приведены значения удельного теплового потока и обнаружительной способности болометров на частотах 1, 10, 20 Гц, выполненных на различных диэлектрических подложках. Описана модульная конструкция болометра, включающая герметичный корпус с приемным окном и преобразователь сопротивление-напряжение. Приведены зависимости напряжения с выхода болометра от величины воздействующего постоянного и импульсного излучения
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 55
Автор(ы) : Глухова О. Е., Шунаев В. В.
Заглавие : Исследование прочности на разрыв моно- и бислойного графена
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 25-29: рис., табл., граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 29 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): метод молекулярной динамики-- метод атом-атомных потенциалов--напряжение критическое--сила предельная--графен--графен бислойный и монослойный
Аннотация: С помощью метода молекулярной динамики исследованы механические свойства однослойного и бислойного графена: определены критические напряжения и предельные силы для данных структур. Критические напряжения для однослойного и бислойного графена составляют 126 и 196 ГПа соответственно. Значение предельной силы для однослойного графена равно 437,83 нН, для бислойного - 679,81 нН
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 60
Автор(ы) : Колмогоров Г. Л., Чернова Т. В., Власова Ю. А.
Заглавие : Особенности технологии производства низкотемпературных нанокомпозитных сверхпроводников
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 23-26: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 26 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В статье рассматриваются температурные режимы нанокомпозитных сверхпроводников для международного термоядерного экспериментального реактора (ИТЭР). Предложен критерий сохранения последеформационной сплошности низкотемпературной сверхпроводниковой заготовки из условий термоупругого состояния компонентов нанокомпозита с целью обеспечения условия безобрывности деформируемой заготовки в процессе волочения
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 68
Автор(ы) : Королева В. А., Болтунов Д. В., Жуков А. А.
Заглавие : Оценка характеристик микроразмерных слоистых исполнительных элементов устройств микросистемной техники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 4. - С. 42-45: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 45 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проведена расчетно-экспериментальная оценка характеристик подвижных исполнительных элементов электростатических актюаторов: деформации от нагрузки, с последующим расчетом их изгибной жесткости, модуля Юнга конструкционного материала, электрического напряжения срабатывания. Показано, что с увеличением толщины слоя никеля возрастают расчетно-экспериментальные значения изгибной жесткости конструкции. Установлено, что напряжение срабатывания уменьшается при уменьшении толщины слоя никеля. Измеренные значения превышают расчетные, что может быть связано с особенностями технологии изготовления
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 58
Автор(ы) : Кожушнер М. А.
Заглавие : Молекулярный холодильник и термоэлектрические явления в условиях туннельно-резонансной проводимости
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 1-2. - С. 46-51. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 51 (33 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): холодильник молекулярный--проводимость туненельно-резонансная--явления термоэлектрические--металл-молекула-металл -- ток резонансный--коэффициент пельтье--напряжение--электрод--коэффициент зеебека
Аннотация: Развита теория термоэлектрических явлений в цепи металл-молекула-металл в случае осуществления резонансной проводимости через молекулу. Показано, что резонансный ток может охлаждать один из электродов при напряжениях, когда резонансный уровень несколько не доходит до уровня Ферми: при электронном резонансе электронный уровень выше уровня Ферми охлаждающегося катода, а при дырочном резонансе дырочный уровень ниже уровня Ферми охлаждающегося анода. Охлаждающий электрод поток энергии пропорционален резонансному току, и каждый электрон тока уносит из соответствующего электрода энергию несколько больше kT. Такой молекулярный холодильник эффективен, пока kT больше, чем полная ширина резонансного уровня. Найдены коэффициенты Пельтье и Зеебека для случая, когда резонансный уровень близок к уровню Ферми уже при нулевом напряжении
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 45
Автор(ы) : Платонов В. В., Генералов С. С., Смехова В. И., Амеличев В. В., Поломошнов С. А.
Заглавие : Электростатический МЭМС-ключ на структуре кремний—стекло
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 7. - С. 43-47: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с.
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): имэмс-переключатели--мэмс-ключ электростатический --структура кремний—стекло--напряжение рабочее
Аннотация: Рассмотрены основные преимущества МЭМС-переключателей. Приведены результаты реализации конструкции кремний—стекло с балочным креплением подвижных электродов, не имеющей в технологии изготовления операцию удаления жертвенного слоя. Представлены основные результаты исследования разработанных МЭМС-ключей
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 53.087.92/М 12
Автор(ы) : Амеличев В. В., Благов Е. В., Костюк Д. В., Васильев Д. В., Беляков П. А., Орлов Е. П., Абанин И. Е., Тахов В. С., Руковишников А. И., Россуканый Н. М.
Заглавие : Магниторезистивная микросистема контроля электрического тока в проводнике
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 1. - С. 39-42. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 42 (3 назв.)
УДК : 53.087.92
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магниторезистивная микросистема--контроль силы тока--магниторезистивный эффект
Аннотация: Магниторезистивная микросистема контроля силы тока и его флуктуаций позволяет бесконтактным способом определять силу тока и частоту флуктуаций в проводнике с возможностью визуализации полученных результатов. В качестве чувствительного элемента микросистемы выступают магниторезисторы, соединенные в мостовую схему Уитстона. Проводник с током, являющийся источником внешнего магнитного поля, располагается на фиксированном расстоянии от чувствительного элемента магниторезистивного преобразователя (МП). В зависимости от подаваемой в проводник силы тока изменяется выходное напряжение в МП. С использованием закона Био— Савара—Лапласа определяется расчетное значение силы тока в проводнике. Отличительной особенностью микросистемы является возможность прецизионной регистрации импульсных и переменных изменений силы тока как с малой (2 мА), так и с высокой (50 А) амплитудой
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/З-17
Автор(ы) : Зайцев А. А.
Заглавие : Метод построения высокочастотного помехоустойчивого управляемого генератора для "системы на кристалле" субмикронного КМОП-базиса
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 49-52: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 52 (3 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кмоп-генератора,--схема построения высокочастотного помехоустойчивого кмоп-генератора--напряжение--"система на кристалле"--расширение диапазона генерируемых частот--помехоустойчивость
Аннотация: Представлены новый метод и схема построения высокочастотного помехоустойчивого КМОП-генератора, управляемого напряжением и предназначенного для использования в составе "системы на кристалле". Технический результат — расширение диапазона генерируемых частот и повышение помехоустойчивости. Приведены диаграммы математического моделирования при реализации генератора в субмикронном КМОП-базисе 180 нм
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 96
Автор(ы) : Бурдин Д. А., Фетисов Ю. К., Чашин Д. А., Экономов Н. А., Савченко Е. М.
Заглавие : Пьезоэлектрический резонансный датчик магнитного поля с планарной возбуждающей катушкой
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 37-40: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 40 (9 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): датчик магнитного поля--датчик пьезоэлектрический резонансный--сила ампера--пьезоэффект--пластина биморфная --пьезоэлектрик
Аннотация: Изготовлен и исследован пьезоэлектрический датчик постоянного магнитного поля, использующий комбинацию силы Ампера, пьезоэффекта и акустического резонанса. Датчик представляет собой биморфную пластину из цирконата-титаната свинца, один конец которой закреплен, а на другом расположена планарная электромагнитная катушка. При пропускании через катушку тока с частотой, равной частоте изгибных колебаний пластины, пьезоэлектрик генерирует переменное напряжение, амплитуда которого пропорциональна постоянному полю. Датчик имеет чувствительность ~200 В/(А • Тл) в диапазоне полей ~10 -7...0,3 Тл и диапазоне температур 220...370К
Найти похожие
 1-10    11-20   21-23 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика