Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (18)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (24)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (3)Публикации об УрО РАН (3)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (3)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (6)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (14)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (4)Расплавы (4)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=НАПРЯЖЕНИЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-23 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 28
Автор(ы) : Адамов Д. Ю., Матвеенко О. С.
Заглавие : Усовершенствование структур моп-транзисторов в нанометровых технологиях
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 2. - С. 47-53: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 62-63 919 назв)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моп-транзисторы--напряжение
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 64
Автор(ы) : Акопьян В. А., Захаров Ю. Н., Матвеев С. Ю., Панич А. А., Рожков Е. В.
Заглавие : Анализ стабильности электрофизических характеристик пьезокерамик различных составов, используемых для пьезоэлектрических генераторов повышенной мощности
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 1. - С. 37-41: табл., рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 41 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований влияния амплитуд сжимающих напряжений на значение пьезоэлектрических констант и на генерируемый пьезоэлементами электрический заряд. Показано, что наибольшая стабильность выходного электрического напряжения имеет место у пьезоэлементов из керамики, спеченной по горячепрессованной технологии, в частности у пьезокерамики ПКР-78. Установлено, что среди основных параметров, характеризующих стабильность выходной мощности nьезогенераторов наиболее достоверным является пьезомодуль d33 сегнетокерамического материала
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 79
Заглавие : Болометр с термочувствительным слоем из оксида ванадия VO x
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 44-52: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 52 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): чувствительность вольтовая--способность болометров обнаружительная--болометр--оксид ванадия
Аннотация: Исследованы электрические параметры термочувствительного слоя болометра VO x и морфология его поверхности. Определена относительная погрешность измерения, вносимая оксидным слоем VO x. Представлены расчетные и экспериментальные данные нагрева слоя VO x на 1 и 200 °С в диапазонах длин волн 0.5—3.39 мкм и 5.0—12 мкм в зависимости от длительности импульса излучения в диапазоне 1 — 10 -9 с на различных подложках. Исследованы зависимости: постоянной времени, вольтовой чувствительности болометра от размера приемной площадки и материала подложки. Рассчитаны: постоянная времени болометра, вольтовая чувствительность и эквивалентные значения напряжений фундаментальных шумов в зависимости от размеров приемной площадки, материалов подложки и частоты регистрируемого излучения. Приведены значения удельного теплового потока и обнаружительной способности болометров на частотах 1, 10, 20 Гц, выполненных на различных диэлектрических подложках. Описана модульная конструкция болометра, включающая герметичный корпус с приемным окном и преобразователь сопротивление-напряжение. Приведены зависимости напряжения с выхода болометра от величины воздействующего постоянного и импульсного излучения
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 55
Автор(ы) : Глухова О. Е., Колесникова А. C.
Заглавие : Стабильность тонких углеродных бамбукоподобных нанотрубок
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 2-6: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 6 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Теоретический поиск стабильных наноструктур осуществлялся с помощью определения расстояния между атомами после процесса оптимизации структуры методом сильной связи. Поиск стабильности бамбукоподобных нанотрубок проводился путем нахождения локального напряжения атомной сетки с помощью эмпирического метода. Карта напряжений рассчитывалась для бамбукоподобных нанотрубок различного диаметра. Показано, что бамбукоподобные нанотрубки диаметром 2,024 нм являются стабильными нанотрубками наименьшего диаметра и не разрушаются после процесса оптимизации.
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 55
Автор(ы) : Глухова О. Е., Слепченков М. М.
Заглавие : Теоретическое исследование распределения локальных напряжений графеновой наноленты
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 7. - С. 2-4: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 4 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Предложена методика расчета поля локальных напряжений, основанная на квантовой модели графеновой конечноразмерной наноленты и эмпирическом подходе в расчете энергии одного атома. С помощью данной методики рассчитано поле локальных напряжений сжатой на 6 % графеновой наноленты. Установлено, что распределение максимальных значений напряжения совпадет с распределением максимальных углов пирамидализации атомного каркаса. С помощью разработанной методики возможно прогнозировать появление дефектов при деформации
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 55
Автор(ы) : Глухова О. Е., Шунаев В. В.
Заглавие : Исследование прочности на разрыв моно- и бислойного графена
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 25-29: рис., табл., граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 29 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): метод молекулярной динамики-- метод атом-атомных потенциалов--напряжение критическое--сила предельная--графен--графен бислойный и монослойный
Аннотация: С помощью метода молекулярной динамики исследованы механические свойства однослойного и бислойного графена: определены критические напряжения и предельные силы для данных структур. Критические напряжения для однослойного и бислойного графена составляют 126 и 196 ГПа соответственно. Значение предельной силы для однослойного графена равно 437,83 нН, для бислойного - 679,81 нН
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/З-17
Автор(ы) : Зайцев А. А.
Заглавие : Метод построения высокочастотного помехоустойчивого управляемого генератора для "системы на кристалле" субмикронного КМОП-базиса
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 49-52: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 52 (3 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кмоп-генератора,--схема построения высокочастотного помехоустойчивого кмоп-генератора--напряжение--"система на кристалле"--расширение диапазона генерируемых частот--помехоустойчивость
Аннотация: Представлены новый метод и схема построения высокочастотного помехоустойчивого КМОП-генератора, управляемого напряжением и предназначенного для использования в составе "системы на кристалле". Технический результат — расширение диапазона генерируемых частот и повышение помехоустойчивости. Приведены диаграммы математического моделирования при реализации генератора в субмикронном КМОП-базисе 180 нм
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 58
Автор(ы) : Кожушнер М. А.
Заглавие : Молекулярный холодильник и термоэлектрические явления в условиях туннельно-резонансной проводимости
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 1-2. - С. 46-51. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 51 (33 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): холодильник молекулярный--проводимость туненельно-резонансная--явления термоэлектрические--металл-молекула-металл -- ток резонансный--коэффициент пельтье--напряжение--электрод--коэффициент зеебека
Аннотация: Развита теория термоэлектрических явлений в цепи металл-молекула-металл в случае осуществления резонансной проводимости через молекулу. Показано, что резонансный ток может охлаждать один из электродов при напряжениях, когда резонансный уровень несколько не доходит до уровня Ферми: при электронном резонансе электронный уровень выше уровня Ферми охлаждающегося катода, а при дырочном резонансе дырочный уровень ниже уровня Ферми охлаждающегося анода. Охлаждающий электрод поток энергии пропорционален резонансному току, и каждый электрон тока уносит из соответствующего электрода энергию несколько больше kT. Такой молекулярный холодильник эффективен, пока kT больше, чем полная ширина резонансного уровня. Найдены коэффициенты Пельтье и Зеебека для случая, когда резонансный уровень близок к уровню Ферми уже при нулевом напряжении
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 60
Автор(ы) : Колмогоров Г. Л., Чернова Т. В., Власова Ю. А.
Заглавие : Особенности технологии производства низкотемпературных нанокомпозитных сверхпроводников
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 23-26: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 26 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В статье рассматриваются температурные режимы нанокомпозитных сверхпроводников для международного термоядерного экспериментального реактора (ИТЭР). Предложен критерий сохранения последеформационной сплошности низкотемпературной сверхпроводниковой заготовки из условий термоупругого состояния компонентов нанокомпозита с целью обеспечения условия безобрывности деформируемой заготовки в процессе волочения
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 68
Автор(ы) : Королева В. А., Болтунов Д. В., Жуков А. А.
Заглавие : Оценка характеристик микроразмерных слоистых исполнительных элементов устройств микросистемной техники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 4. - С. 42-45: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 45 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проведена расчетно-экспериментальная оценка характеристик подвижных исполнительных элементов электростатических актюаторов: деформации от нагрузки, с последующим расчетом их изгибной жесткости, модуля Юнга конструкционного материала, электрического напряжения срабатывания. Показано, что с увеличением толщины слоя никеля возрастают расчетно-экспериментальные значения изгибной жесткости конструкции. Установлено, что напряжение срабатывания уменьшается при уменьшении толщины слоя никеля. Измеренные значения превышают расчетные, что может быть связано с особенностями технологии изготовления
Найти похожие

 1-10    11-20   21-23 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика