Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (3)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=НИТРИД КРЕМНИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/С 25
Автор(ы) : Обижаев Д. Ю., Жукова С. А., Бабаевский П. Г., Четверов Ю. С.
Заглавие : Свойства и структура нанотолщинных слоев нитрида кремния, формируемых на поверхности полиимида низкотемпературным плазмохимическим синтезом
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 9. - С. 14-20: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 20 (19 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 12
Автор(ы) : Бабуров В. А., Павлов А. Ю.
Заглавие : Исследование и разработка прецизионных конденсаторов, работающих в сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 36-39: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 39 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование--нитрид кремния--конденсаторы тонкопленочные--s-параметры
Аннотация: Представлены результаты разработки и измерений S-параметров тонкопленочных конденсаторов. Конденсаторы формируются на подложках из арсенида галлия. На основе полученных данных удалось с помощью специального программного обеспечения смоделировать конденсаторы различной топологии, работающие на частотах до 40 ГГц
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 53.06:661.55/А 13
Автор(ы) : Абдуллаев Д. А., Зайцев А. А., Кельм Е. А.
Заглавие : Селективное плазмохимическое травление нитрида кремния относительно оксида кремния
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 2. - С. 17-19. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 17 (3 назв.)
УДК : 53.06:661.55
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): плазохимическое травление (пхт)--селективное травление--нитрид кремния--оксид кремния--пассивационные слои--интегральная микросхема (имс)
Аннотация: Представлены результаты серии экспериментов по определению параметров селективного плазмохимического травления нитрида кремния относительно оксида кремния
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика