Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (39)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (14)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (311)Расплавы (9)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ОКСИД ВАНАДИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 535.231.6+621.382/О-75
Автор(ы) : Жукова С. А., Обижаев Д. Ю., Турков В. Е., Рискин Д. Д., Кудрявцев П. Н., Четверов Ю. С.
Заглавие : Особенности технологии изготовления высокочувствительных неохлаждаемых микроболометрических матриц
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 41-47: граф., табл., рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 47 (4 назв.)
УДК : 535.231.6+621.382
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): неохлаждаемая микроболометрическая матрица--температурный коэффициент сопротивления--микромостиковая структура-- нитрид кремния--оксид ванадия-- поглощение инфракрасного излучения--тепловая постоянная времени
Аннотация: Представлены результаты комплексных исследований основных характеристик микромостиковых структур, а также их зависимость от режимов изготовления и конструктивных особенностей. Изготовленные микромостиковые структуры обеспечивают оптическую плотность полосы поглощения ИК-излучения 1000 см -1 на уровне примерно 0,5, температурный коэффициент сопротивления термочувствительного слоя 1,7 %, тепловую постоянную времени в диапазоне 11,9...12,6 мс
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 79
Заглавие : Болометр с термочувствительным слоем из оксида ванадия VO x
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 44-52: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 52 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): чувствительность вольтовая--способность болометров обнаружительная--болометр--оксид ванадия
Аннотация: Исследованы электрические параметры термочувствительного слоя болометра VO x и морфология его поверхности. Определена относительная погрешность измерения, вносимая оксидным слоем VO x. Представлены расчетные и экспериментальные данные нагрева слоя VO x на 1 и 200 °С в диапазонах длин волн 0.5—3.39 мкм и 5.0—12 мкм в зависимости от длительности импульса излучения в диапазоне 1 — 10 -9 с на различных подложках. Исследованы зависимости: постоянной времени, вольтовой чувствительности болометра от размера приемной площадки и материала подложки. Рассчитаны: постоянная времени болометра, вольтовая чувствительность и эквивалентные значения напряжений фундаментальных шумов в зависимости от размеров приемной площадки, материалов подложки и частоты регистрируемого излучения. Приведены значения удельного теплового потока и обнаружительной способности болометров на частотах 1, 10, 20 Гц, выполненных на различных диэлектрических подложках. Описана модульная конструкция болометра, включающая герметичный корпус с приемным окном и преобразователь сопротивление-напряжение. Приведены зависимости напряжения с выхода болометра от величины воздействующего постоянного и импульсного излучения
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика