Поисковый запрос: (<.>K=ОПРЕДЕЛЕНИЯ<.>) |
Общее количество найденных документов : 51
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Аверин И. А. Исследование процессов деградации выходных параметров тензорезистивных структур/И. А. Аверин, Ю. В. Аношкин, Р. М. Печерская // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 10.-С.2-4
|
2.
| Алфимов С. М. О введении стандартов по микросистемной технике/С. М. Алфимов // Нано- и микросистемная техника , 2009. т.№ 11.-С.50-52
|
3.
| Анализ острой токсичности полиэлектролитных микрокапсул, модифицированных наночастицами оксида цинка, и составляющих их компонентов на гидробионтах /К. В. Пуртов [и др.] // Российские нанотехнологии, 2011. т.Т. 6,N № 3-4.-С.87-96
|
4.
| Арбенин А. Ю. Регулирование геометрических параметров мезопористых кремнеземов SBA-15 нанесением двумерных алюмокислородных наноструктур и исследование пористой структуры получаемых материалов/А. Ю. Арбенин, Е. Г. Земцова, В. М. Смирнов // Российские нанотехнологии, 2012. т.№ 3-4.-С.52-56
|
5.
| Аскерко А. Н. Испытания и тестирование микроэлектромеханических компонентов и систем на их основе /А. Н. Аскерко, О. С. Бохов, В. В. Лучинин // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 2.-С.49-54
|
6.
| Бабкина С. С. Использование амперометрического ДНК-сенсора для оценки токсичности и определения наноконцентраций тяжелых металлов /С. С. Бабкина, Н. А. Улахович // Нанотехника, 2011. т.№ 2.-С.3-7
|
7.
| Богданов С. А. Моделирование распределения потенциала в барьерах шоттки с учетом краевых эффектов /С. А. Богданов, А. Г. Захаров, А. А. Лытюк // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 5.-С.12-15
|
8.
| Боронахин А. М. Применение микромеханических датчиков для диагностики рельсового пути /А. М. Боронахин, Л. Н. Подгорная // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 8.-С.47-50
|
9.
| Буравцев В. Н. Магнитный фазовый переход I рода в системе сферических нанокластеров с точечным диполем /В. Н. Буравцев, И. П. Суздалев // Российские нанотехнологии, 2012. т.Т. 7,N № 5-6.-С.56-58
|
10.
| Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучаюших структур на основе квантовых ям InGaN/GaN /А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 8.-С.27-35
|
|
|