Поисковый запрос: (<.>K=ПАМЯТЬ<.>) |
Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN/С. А. Зайцев, О. М. Орлов, Е. С. Горнев, К. В. Егоров, Р. В. Киртаев, А. М. Маркеев, А. В. Заблоцкий // Наноматериалы и наноструктуры, 2014. т.Т. 5,N № 2.-С.10-15
|
2.
| Флеш-память входит в третье измерение // Нанотехнологии: наука и производство, 2008. т.№ 3.-С.49
|
3.
| Технологический маршрут изготовления наноразмерных ячеек энергонезависимой памяти на фазовых переходах с применением двухлучевой установки novananolab 600 /Ю. В. Ануфриев, Е. В. Зенова, П. К. Кондратьев, Д. А. Рачников // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 11.-С.26-28
|
4.
| Смолин В. К. Физические принципы технологии элементов перспективной энергонезависимой памяти /В. К. Смолин, А. Н. Качемцев, В. К. Киселев // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 7.-С.19-25
|
5.
| Смолин В. К. Мемристоры — перспективная элементная база микро-и наноэлектроники /В. К. Смолин // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 10.-С.27-30
|
6.
| Морозов А. И. Перемагничивание электрическим полем в двухслойной структуре ферромагнетик— магнитоэлектрик / А. И. Морозов, А. С. Сигов // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 10.-С.10-14
|
7.
| Мордвинцев В. М. Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводщих наноструктурах/В. М. Мордвинцев, С. Е. Кудрявцев, В. Л. Левин // Российские нанотехнологии, 2009. т.Т. 4,N № 1-2.-С.183-191
|
8.
| Матюшкин И. В. Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти /И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 3.-С.34-41
|
9.
| Материалы фазовой памяти на основе сложных халькогенидов и их применение в устройствах оперативной памяти /С. А. Козюхин [и др.] // Российские нанотехнологии, 2011. т.Т. 6,N № 3-4.-С.73-81
|
10.
| Костров А. И. Макромодель ячейки памяти с магнитным туннельным переходом /А. И. Костров // Нано- и микросистемная техника , 2011.-С.7-11
|
|
|