Поисковый запрос: (<.>K=ПАМЯТЬ<.>) |
Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Морозов А. И. Перемагничивание электрическим полем в двухслойной структуре ферромагнетик— магнитоэлектрик / А. И. Морозов, А. С. Сигов // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 10.-С.10-14
|
2.
| Смолин В. К. Мемристоры — перспективная элементная база микро-и наноэлектроники /В. К. Смолин // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 10.-С.27-30
|
3.
| Матюшкин И. В. Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти /И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 3.-С.34-41
|
4.
| Смолин В. К. Физические принципы технологии элементов перспективной энергонезависимой памяти /В. К. Смолин, А. Н. Качемцев, В. К. Киселев // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 7.-С.19-25
|
5.
| Галушка В. В. Исследование управляемого массопереноса в наноструктурах AgL-Ag методом туннельной микроскопии/В. В. Галушка, Д. И. Биленко, Д. В. Терин // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 8.-С.37-42
|
6.
| Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN/С. А. Зайцев, О. М. Орлов, Е. С. Горнев, К. В. Егоров, Р. В. Киртаев, А. М. Маркеев, А. В. Заблоцкий // Наноматериалы и наноструктуры, 2014. т.Т. 5,N № 2.-С.10-15
|
7.
| Винокуров Д. Л. Численное моделирование магнитной структуры компенсированной границы раздела ферромагнетик-мультиферроик/Д. Л. Винокуров // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 4.-С.34-39
|
8.
| Беляев С. В. Программный модуль конфигурирования СнК/С. В. Беляев, П. А. Шаманаев, С. В. Щербаков // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 6.-С.55-56
|
9.
| Мордвинцев В. М. Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводщих наноструктурах/В. М. Мордвинцев, С. Е. Кудрявцев, В. Л. Левин // Российские нанотехнологии, 2009. т.Т. 4,N № 1-2.-С.183-191
|
10.
| Действия излучения на схемы с фазовым изменением на халькогенидных стеклах/П. А. Александров [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2009. т.№ 10.-С.40-47
|
|
|