Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (111)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (2)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (6)Публикации об УрО РАН (44)Изобретения уральских ученых (1)Гибель династии Романовых (4)История Урала (3)Личная библиотека С. В. Вонсовского (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды Института истории и археологии УрО РАН (16)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН (28)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (21)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПАМЯТЬ<.>)
Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-16 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 79

    Мордвинцев, В. М.
    Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводщих наноструктурах / В. М. Мордвинцев, С. Е. Кудрявцев, В. Л. Левин // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. - С. 183-191 : рис., табл. - Библиогр.: с. 191 (8 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ -- МАТРИЦЫ ПАМЯТИ

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 27

   
    Действия излучения на схемы с фазовым изменением на халькогенидных стеклах / П. А. Александров [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 40-47 : рис., табл. - Библиогр. : с. 46-47 (43 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ПАМЯТЬ С ФАЗОВЫМ ПЕРЕХОДОМ -- СТЕКЛА ХАЛЬКОГЕНИДНЫЕ -- GST -- СТОЙКОСТЬ РАДИАЦИОННАЯ

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Г 16

    Галушка, В. В.
    Исследование управляемого массопереноса в наноструктурах AgL-Ag методом туннельной микроскопии / В. В. Галушка, Д. И. Биленко, Д. В. Терин // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 37-42 : граф. - Библиогр.: с. 42 (16 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
544.6
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАССОПЕРЕНОС -- ИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- ТУННЕЛЬНАЯ СТРУКТУРА -- AGI-AG -- РЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ
Аннотация: Приведены результаты исследования методом туннельной микроскопии массопереноса в структуре, содержащей нанометровый слой AgI. Показана возможность использования интерфейса Ag-AgI-диэлектрик-металл в качестве резистивной памяти с зарядом переключения Q » 5 пКл и кратностью сопротивления HRS/LRS > 10 4

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 32

   
    Квантовая память [Текст] // Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 1. - С. 11
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОННАЯ ПАМЯТЬ -- МАГНИТНАЯ ЗАПИСЬ -- ЖЕСТКИЕ ДИСКИ -- НАНОТЕХНОЛОГИИ
Аннотация: Промышленное производство устройств магнитной записи на жесткие диски, доход от которого только в США составляет более $ 30 млрд. в год, может существенно измениться. За последние 10 лет значительно возросл возможности регулирования с атомной точностью роста одномерных наномасштабных структур

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 72

    Костров, А. И.
    Макромодель ячейки памяти с магнитным туннельным переходом / А. И. Костров // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 7-11 : рис. - Библиогр. : с. 11 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7

Кл.слова (ненормированные):
МАКРОМОДЕЛЬ -- ПЕРЕХОД МАГНИТНЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ -- ПАМЯТЬ МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ
Аннотация: Предложены электрическая макромодель и эквивалентная схема ячейки магниторезистивной памяти на основе магнитного туннельного перехода, переключаемого спин-поляризованным током. В ней использованы нелинейные резисторы для представления параллельного и антипараллельного состояний намагниченности ферромагнитных слоев. Модель ориентирована на применение в системах компьютерного моделирования и проектирования интегральных микросхем. Ее точность и вычислительная эффективность продемонстрированы на примере элемента магниторезистивной памяти

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 34

   
    Материалы фазовой памяти на основе сложных халькогенидов и их применение в устройствах оперативной памяти / С. А. Козюхин [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 73-81 : рис., табл. - Библиогр. : с. 81 (36 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПАМЯТЬ ФАЗОВАЯ -- ФАЛЬКОГЕНИДЫ СЛОЖНЫЕ -- СИСТЕМА GE-SB-TE
Аннотация: Рассмотрены халькогенидные сплавы системы Ge-Sb-Te с точки зрения их использования в устройствах энергонезависимой фазовой памяти произвольного доступа. Проведен анализ физико-химических свойств кристаллических соединений и аморфных пленок на их основе

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 51

    Смолин, В. К.
    Мемристоры — перспективная элементная база микро-и наноэлектроники / В. К. Смолин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 27-30 : табл., схема. - Библиогр.: с. 30 (32 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕМРИСТОР -- ПАМЯТЬ ТИПА МRАМ, FRAM, RERAM
Аннотация: Дан обзор конструкторско-технологических особенностей выполнения устройств энергонезависимой памяти на основе резисторов с памятью — мемристоров. Определены перспективы развития этого вида памяти

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 37

    Деспотули, А. Л.
    Наноионика: новые материалы и суперконденсаторы / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 7-8 . - С. 89-99 : рис., табл. - Библиогр. : с. 99 (64 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛИОНИКА -- НАКОПИТЕЛИ ИМПУЛЬСНЫЕ ВЫСОКОЕМКИЕ СУБВОЛЬТОВЫЕ -- ПАМЯТЬ И ЛОГИКА КОМПЬЮТЕРНАЯ ВЫСОКОПЛОТНАЯ
Аннотация: В обзоре представлены результаты исследований твердотельных наноматериалов и наносистем с быстрым ионным транспортом: обнаружены новые оптически активные наносистемы Ag(Cu)I - М с рекордно высокими концентрациями примесей редкоземельных и переходных металлов (М); показаны возможности разработки нового класса высокоемких субвольтовых импульсных накопителей с когерентными гетеропереходами - «наноионных суперконденсаторов»; выполнен поиск областей применения наноионных приборов, необходимых в ближайшие 5-10 лет для развития глубоко субвольтовой наноэлектроники и связанных с ней технологий, а в дальнейшем - для создания высокоплотной компьютерной логики и памяти, функционирующих за счет сочетания в гибридных наноструктурах квантового транспорта электронов и классического движения ионов (наноэлионика)

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 35

    Матюшкин, И. В.
    Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти / И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 34-41 : рис. - Библиогр. : с. 41 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВРЕМЯ ДЕГРАДАЦИИ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ПАМЯТЬ ЭНЕРГОЗАВИСИМАЯ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ КРЕМНИЯ (NC-SI)
Аннотация: В рамках (2n + 1)-уровневой (n = 4) модели зонной структуры нанокристалла Si, несущего заряд, рассмотрено положение уровня Ферми. Показано, что типичное время утечки заряда на подложку составляет: для электронов зоны проводимости менее 10 с (до микросекунд в зависимости от толщины туннельного SiO2), для электронов на ловушке около 10 лет и выше

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 80

    Морозов, А. И.
    Перемагничивание электрическим полем в двухслойной структуре ферромагнетик— магнитоэлектрик / А. И. Морозов, А. С. Сигов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 10-14 : рис. - Библиогр.: с. 14 (20 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАГНИТОЭЛЕКТРИК -- НАНОСТРУКТУРЫ МНОГОСЛОЙНЫЕ -- ЗАПИСЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ -- ПАМЯТЬ МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ
Аннотация: Исследованы условия, необходимые для разворота намагниченности ферромагнитного слоя путем приложения электрического поля к слою магнитоэлектрика BiFeO 3 в двухслойной обменно-связанной структуре. Показано, что такая процедура возможна только в случае, когда атомные плоскости феррита висмута, параллельные границе раздела слоев, являются скомпенсированными по спину плоскостями, например плоскостями типа (001) псевдокубической кристаллографической решетки

Найти похожие
 1-10    11-16 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика