Поисковый запрос: (<.>K=ПАМЯТЬ<.>) |
Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Инвентарный номер: нет. К 32
Квантовая память [Текст]> // Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 1. - С. 11
ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОЭЛЕКТРОННАЯ ПАМЯТЬ -- МАГНИТНАЯ ЗАПИСЬ -- ЖЕСТКИЕ ДИСКИ -- НАНОТЕХНОЛОГИИ Аннотация: Промышленное производство устройств магнитной записи на жесткие диски, доход от которого только в США составляет более $ 30 млрд. в год, может существенно измениться. За последние 10 лет значительно возросл возможности регулирования с атомной точностью роста одномерных наномасштабных структур
Найти похожие
|
2.
| Инвентарный номер: нет. Ф 71
Флеш-память входит в третье измерение [Текст]> // Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 3. - С. 49
ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОЧАСТИЦЫ ЗОЛОТА -- ТРЕХМЕРНЫЙ ПАКЕТ Аннотация: Для увеличения емкости компьютерных устройств для хранения информации исследователи из Кореи и Австралии использовали трехмерный пакет наночастиц золота
Найти похожие
|
3.
| Инвентарный номер: нет. М 79
Мордвинцев, В. М. Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводщих наноструктурах / В. М. Мордвинцев, С. Е. Кудрявцев, В. Л. Левин> // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. - С. 183-191 : рис., табл. - Библиогр.: с. 191 (8 назв.)
ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОСТРУКТУРЫ -- МАТРИЦЫ ПАМЯТИ
Найти похожие
|
4.
| Инвентарный номер: нет. Д 27
Действия излучения на схемы с фазовым изменением на халькогенидных стеклах / П. А. Александров [и др.]> // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 40-47 : рис., табл. - Библиогр. : с. 46-47 (43 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): ПАМЯТЬ С ФАЗОВЫМ ПЕРЕХОДОМ -- СТЕКЛА ХАЛЬКОГЕНИДНЫЕ -- GST -- СТОЙКОСТЬ РАДИАЦИОННАЯ
Найти похожие
|
5.
| Инвентарный номер: нет. Д 37
Деспотули, А. Л. Наноионика: новые материалы и суперконденсаторы / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева> // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 7-8 . - С. 89-99 : рис., табл. - Библиогр. : с. 99 (64 назв.)
. - ISSN 1992-7223ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОЭЛИОНИКА -- НАКОПИТЕЛИ ИМПУЛЬСНЫЕ ВЫСОКОЕМКИЕ СУБВОЛЬТОВЫЕ -- ПАМЯТЬ И ЛОГИКА КОМПЬЮТЕРНАЯ ВЫСОКОПЛОТНАЯ Аннотация: В обзоре представлены результаты исследований твердотельных наноматериалов и наносистем с быстрым ионным транспортом: обнаружены новые оптически активные наносистемы Ag(Cu)I - М с рекордно высокими концентрациями примесей редкоземельных и переходных металлов (М); показаны возможности разработки нового класса высокоемких субвольтовых импульсных накопителей с когерентными гетеропереходами - «наноионных суперконденсаторов»; выполнен поиск областей применения наноионных приборов, необходимых в ближайшие 5-10 лет для развития глубоко субвольтовой наноэлектроники и связанных с ней технологий, а в дальнейшем - для создания высокоплотной компьютерной логики и памяти, функционирующих за счет сочетания в гибридных наноструктурах квантового транспорта электронов и классического движения ионов (наноэлионика)
Найти похожие
|
6.
| Инвентарный номер: нет. Т 38
Технологический маршрут изготовления наноразмерных ячеек энергонезависимой памяти на фазовых переходах с применением двухлучевой установки novananolab 600 / Ю. В. Ануфриев, Е. В. Зенова, П. К. Кондратьев, Д. А. Рачников> // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 26-28 : рис. - Библиогр. : с. 28 (6 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПАМЯТЬ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ -- УСТАНОВКА ДВУХЛУЧЕВАЯ NOVANANOLAB 600 -- ЯЧЕЙКИ НАНОРАЗМЕРНЫЕ Аннотация: Рассматривается один из возможных способов создания прототипа матрицы ячеек энергонезависимой памяти с использованием Dual-beam-технологии. Предложенная технология в будущем позволит изготавливать матрицы энергонезависимой памяти на фазовых переходах, внедренных в структуру СБИС
Найти похожие
|
7.
| Инвентарный номер: нет. К 72
Костров, А. И. Макромодель ячейки памяти с магнитным туннельным переходом / А. И. Костров> // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 7-11 : рис. - Библиогр. : с. 11 (10 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Кл.слова (ненормированные): МАКРОМОДЕЛЬ -- ПЕРЕХОД МАГНИТНЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ -- ПАМЯТЬ МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ Аннотация: Предложены электрическая макромодель и эквивалентная схема ячейки магниторезистивной памяти на основе магнитного туннельного перехода, переключаемого спин-поляризованным током. В ней использованы нелинейные резисторы для представления параллельного и антипараллельного состояний намагниченности ферромагнитных слоев. Модель ориентирована на применение в системах компьютерного моделирования и проектирования интегральных микросхем. Ее точность и вычислительная эффективность продемонстрированы на примере элемента магниторезистивной памяти
Найти похожие
|
8.
| Инвентарный номер: нет. М 34
Материалы фазовой памяти на основе сложных халькогенидов и их применение в устройствах оперативной памяти / С. А. Козюхин [и др.]> // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 73-81 : рис., табл. - Библиогр. : с. 81 (36 назв.)
. - ISSN 1992-7223ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПАМЯТЬ ФАЗОВАЯ -- ФАЛЬКОГЕНИДЫ СЛОЖНЫЕ -- СИСТЕМА GE-SB-TE Аннотация: Рассмотрены халькогенидные сплавы системы Ge-Sb-Te с точки зрения их использования в устройствах энергонезависимой фазовой памяти произвольного доступа. Проведен анализ физико-химических свойств кристаллических соединений и аморфных пленок на их основе
Найти похожие
|
9.
| Инвентарный номер: нет. М 35
Матюшкин, И. В. Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти / И. В. Матюшкин> // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 34-41 : рис. - Библиогр. : с. 41 (15 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ВРЕМЯ ДЕГРАДАЦИИ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ПАМЯТЬ ЭНЕРГОЗАВИСИМАЯ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ КРЕМНИЯ (NC-SI) Аннотация: В рамках (2n + 1)-уровневой (n = 4) модели зонной структуры нанокристалла Si, несущего заряд, рассмотрено положение уровня Ферми. Показано, что типичное время утечки заряда на подложку составляет: для электронов зоны проводимости менее 10 с (до микросекунд в зависимости от толщины туннельного SiO2), для электронов на ловушке около 10 лет и выше
Найти похожие
|
10.
| Инвентарный номер: нет. С 51
Смолин, В. К. Физические принципы технологии элементов перспективной энергонезависимой памяти / В. К. Смолин, А. Н. Качемцев, В. К. Киселев> // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 19-25 : рис., табл. - Библиогр.: с. 25 (26 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПАМЯТЬ -- FLACH-ПАМЯТЬ -- ПАМЯТЬ ТИПА MRAM -- FRAM -- RRAM Аннотация: Дан обзор конструкторско-технологических особенностей выполнения элементов энергонезависимой памяти различных физических принципов действия. Определены лидирующие компании и направления развития различных типов памяти
Найти похожие
|
|
|