Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (111)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (2)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (6)Публикации об УрО РАН (44)Изобретения уральских ученых (1)Гибель династии Романовых (4)История Урала (3)Личная библиотека С. В. Вонсовского (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды Института истории и археологии УрО РАН (16)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН (28)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (21)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПАМЯТЬ<.>)
Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-16 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Э 94
Автор(ы) : Зайцев С. А., Орлов О. М., Горнев Е. С., Егоров К. В., Киртаев Р. В., Маркеев А. М., Заблоцкий А. В.
Заглавие : Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15
Примечания : Библиогр.: с. 15 (15 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эффект резистивного переключения--атомно-слоевое осаждение--энергонезависимая память--оксид гафния
Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 71
Заглавие : Флеш-память входит в третье измерение
Место публикации : Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 3. - С. 49
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастицы золота--трехмерный пакет
Аннотация: Для увеличения емкости компьютерных устройств для хранения информации исследователи из Кореи и Австралии использовали трехмерный пакет наночастиц золота
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 38
Автор(ы) : Ануфриев Ю. В., Зенова Е. В., Кондратьев П. К., Рачников Д. А.
Заглавие : Технологический маршрут изготовления наноразмерных ячеек энергонезависимой памяти на фазовых переходах с применением двухлучевой установки novananolab 600
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 26-28: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 28 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): память энергонезависимая--установка двухлучевая novananolab 600 --ячейки наноразмерные
Аннотация: Рассматривается один из возможных способов создания прототипа матрицы ячеек энергонезависимой памяти с использованием Dual-beam-технологии. Предложенная технология в будущем позволит изготавливать матрицы энергонезависимой памяти на фазовых переходах, внедренных в структуру СБИС
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 51
Автор(ы) : Смолин В. К., Качемцев А. Н., Киселев В. К.
Заглавие : Физические принципы технологии элементов перспективной энергонезависимой памяти
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 19-25: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 25 (26 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): память--flach-память--память типа mram--fram--rram
Аннотация: Дан обзор конструкторско-технологических особенностей выполнения элементов энергонезависимой памяти различных физических принципов действия. Определены лидирующие компании и направления развития различных типов памяти
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 51
Автор(ы) : Смолин В. К.
Заглавие : Мемристоры — перспективная элементная база микро-и наноэлектроники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 27-30: табл., схема. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 30 (32 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мемристор--память типа мrам, fram, reram
Аннотация: Дан обзор конструкторско-технологических особенностей выполнения устройств энергонезависимой памяти на основе резисторов с памятью — мемристоров. Определены перспективы развития этого вида памяти
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 80
Автор(ы) : Морозов А. И., Сигов А. С.
Заглавие : Перемагничивание электрическим полем в двухслойной структуре ферромагнетик— магнитоэлектрик
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 10-14: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 14 (20 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магнитоэлектрик--наноструктуры многослойные--запись электрическим полем--память магниторезистивная
Аннотация: Исследованы условия, необходимые для разворота намагниченности ферромагнитного слоя путем приложения электрического поля к слою магнитоэлектрика BiFeO 3 в двухслойной обменно-связанной структуре. Показано, что такая процедура возможна только в случае, когда атомные плоскости феррита висмута, параллельные границе раздела слоев, являются скомпенсированными по спину плоскостями, например плоскостями типа (001) псевдокубической кристаллографической решетки
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/М 79
Автор(ы) : Мордвинцев В. М., Кудрявцев С. Е., Левин В. Л.
Заглавие : Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводщих наноструктурах
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. - С. 183-191: рис., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 191 (8 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктуры--матрицы памяти
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 35
Автор(ы) : Матюшкин И. В.
Заглавие : Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 34-41: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 41 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В рамках (2n + 1)-уровневой (n = 4) модели зонной структуры нанокристалла Si, несущего заряд, рассмотрено положение уровня Ферми. Показано, что типичное время утечки заряда на подложку составляет: для электронов зоны проводимости менее 10 с (до микросекунд в зависимости от толщины туннельного SiO2), для электронов на ловушке около 10 лет и выше
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 34
Автор(ы) : Козюхин С. А., Шерченков А. А., Новоторцев В. М., Тимошенков С. П.
Заглавие : Материалы фазовой памяти на основе сложных халькогенидов и их применение в устройствах оперативной памяти
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 73-81: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 81 (36 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассмотрены халькогенидные сплавы системы Ge-Sb-Te с точки зрения их использования в устройствах энергонезависимой фазовой памяти произвольного доступа. Проведен анализ физико-химических свойств кристаллических соединений и аморфных пленок на их основе
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 72
Автор(ы) : Костров А. И.
Заглавие : Макромодель ячейки памяти с магнитным туннельным переходом
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 7-11: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 11 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Аннотация: Предложены электрическая макромодель и эквивалентная схема ячейки магниторезистивной памяти на основе магнитного туннельного перехода, переключаемого спин-поляризованным током. В ней использованы нелинейные резисторы для представления параллельного и антипараллельного состояний намагниченности ферромагнитных слоев. Модель ориентирована на применение в системах компьютерного моделирования и проектирования интегральных микросхем. Ее точность и вычислительная эффективность продемонстрированы на примере элемента магниторезистивной памяти
Найти похожие
 1-10    11-16 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика