Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (111)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (2)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (6)Публикации об УрО РАН (44)Изобретения уральских ученых (1)Гибель династии Романовых (4)История Урала (3)Личная библиотека С. В. Вонсовского (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды Института истории и археологии УрО РАН (16)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН (28)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (21)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПАМЯТЬ<.>)
Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-16 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 004.9/Б 44
Автор(ы) : Беляев С. В., Шаманаев П. А., Щербаков С. В.
Заглавие : Программный модуль конфигурирования СнК
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 55-56: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 56 (3 назв.)
УДК : 004.9
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): аналогово-цифровые бис типа "система на кристалле"--интегрированные микросистемы--обработка и преобразование сигналов
Аннотация: Представлен краткий обзор возможных путей развития в области разработки системы на кристалле (СнК). Обоснован выбор одной из реализации. Описан программный модуль для генерации кода конфигурирования блоков СнК выбранной реализации. Изменение кода определяет один из возможных вариантов применения СнК. Разработанный программный модуль позволяет проверять записанные в конфигурационную память данные
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382/В 49
Автор(ы) : Винокуров Д. Л.
Заглавие : Численное моделирование магнитной структуры компенсированной границы раздела ферромагнетик-мультиферроик
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 4. - С. 34-39. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 39 (13 назв.)
УДК : 621.382
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магниторезистивная память--запись электрическим полем--мультиферроик--многослойные наноструктуры
Аннотация: Проведено численное моделирование магнитной структуры компенсированной границы раздела ферромагнетик- мультиферроик. Найдены искажения магнитных параметров порядка, убывающие по мере удаления от границы раздела. Проведена оценка вкладов в энергию межслойного взаимодействия магнитных параметров порядка, которая показала, что основной вклад обусловлен обменным взаимодействием. Из условия переключения намагниченности ферромагнитного слоя электрическим полем, приложенным к слою мультиферроика, получено ограничение сверху на толщину ферромагнитного слоя. Результаты, полученные при численном моделировании, хорошо согласуются с развитой ранее линейной теорией и дополняют ее
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 544.6/Г 16
Автор(ы) : Галушка В. В., Биленко Д. И., Терин Д. В.
Заглавие : Исследование управляемого массопереноса в наноструктурах AgL-Ag методом туннельной микроскопии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 37-42: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 42 (16 назв.)
УДК : 544.6
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): массоперенос--ионная проводимость--туннельная структура--agi-ag--резистивная память
Аннотация: Приведены результаты исследования методом туннельной микроскопии массопереноса в структуре, содержащей нанометровый слой AgI. Показана возможность использования интерфейса Ag-AgI-диэлектрик-металл в качестве резистивной памяти с зарядом переключения Q » 5 пКл и кратностью сопротивления HRS/LRS 10 4
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Д 27
Автор(ы) : Александров П. А., Баранова Е. К., Баранова И. В., Бударагин В. В., Литвинов В. Л.
Заглавие : Действия излучения на схемы с фазовым изменением на халькогенидных стеклах
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 40-47: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 46-47 (43 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Д 37
Автор(ы) : Деспотули А. Л., Андреева А. В.
Заглавие : Наноионика: новые материалы и суперконденсаторы
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 7-8 . - С. 89-99: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 99 (64 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлионика--накопители импульсные высокоемкие субвольтовые--память и логика компьютерная высокоплотная
Аннотация: В обзоре представлены результаты исследований твердотельных наноматериалов и наносистем с быстрым ионным транспортом: обнаружены новые оптически активные наносистемы Ag(Cu)I - М с рекордно высокими концентрациями примесей редкоземельных и переходных металлов (М); показаны возможности разработки нового класса высокоемких субвольтовых импульсных накопителей с когерентными гетеропереходами - «наноионных суперконденсаторов»; выполнен поиск областей применения наноионных приборов, необходимых в ближайшие 5-10 лет для развития глубоко субвольтовой наноэлектроники и связанных с ней технологий, а в дальнейшем - для создания высокоплотной компьютерной логики и памяти, функционирующих за счет сочетания в гибридных наноструктурах квантового транспорта электронов и классического движения ионов (наноэлионика)
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 32
Заглавие : Квантовая память
Место публикации : Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 1. - С. 11
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектронная память--магнитная запись--жесткие диски--нанотехнологии
Аннотация: Промышленное производство устройств магнитной записи на жесткие диски, доход от которого только в США составляет более $ 30 млрд. в год, может существенно измениться. За последние 10 лет значительно возросл возможности регулирования с атомной точностью роста одномерных наномасштабных структур
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 72
Автор(ы) : Костров А. И.
Заглавие : Макромодель ячейки памяти с магнитным туннельным переходом
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 7-11: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 11 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Аннотация: Предложены электрическая макромодель и эквивалентная схема ячейки магниторезистивной памяти на основе магнитного туннельного перехода, переключаемого спин-поляризованным током. В ней использованы нелинейные резисторы для представления параллельного и антипараллельного состояний намагниченности ферромагнитных слоев. Модель ориентирована на применение в системах компьютерного моделирования и проектирования интегральных микросхем. Ее точность и вычислительная эффективность продемонстрированы на примере элемента магниторезистивной памяти
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 34
Автор(ы) : Козюхин С. А., Шерченков А. А., Новоторцев В. М., Тимошенков С. П.
Заглавие : Материалы фазовой памяти на основе сложных халькогенидов и их применение в устройствах оперативной памяти
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 73-81: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 81 (36 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассмотрены халькогенидные сплавы системы Ge-Sb-Te с точки зрения их использования в устройствах энергонезависимой фазовой памяти произвольного доступа. Проведен анализ физико-химических свойств кристаллических соединений и аморфных пленок на их основе
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 35
Автор(ы) : Матюшкин И. В.
Заглавие : Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 34-41: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 41 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В рамках (2n + 1)-уровневой (n = 4) модели зонной структуры нанокристалла Si, несущего заряд, рассмотрено положение уровня Ферми. Показано, что типичное время утечки заряда на подложку составляет: для электронов зоны проводимости менее 10 с (до микросекунд в зависимости от толщины туннельного SiO2), для электронов на ловушке около 10 лет и выше
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/М 79
Автор(ы) : Мордвинцев В. М., Кудрявцев С. Е., Левин В. Л.
Заглавие : Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводщих наноструктурах
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. - С. 183-191: рис., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 191 (8 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктуры--матрицы памяти
Найти похожие
 1-10    11-16 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика