Поисковый запрос: (<.>K=ПАМЯТЬ<.>) |
Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/К 32
Заглавие : Квантовая память
Место публикации : Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 1. - С. 11
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектронная память--магнитная запись--жесткие диски--нанотехнологии Аннотация: Промышленное производство устройств магнитной записи на жесткие диски, доход от которого только в США составляет более $ 30 млрд. в год, может существенно измениться. За последние 10 лет значительно возросл возможности регулирования с атомной точностью роста одномерных наномасштабных структур
Найти похожие
|
2. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Ф 71
Заглавие : Флеш-память входит в третье измерение
Место публикации : Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 3. - С. 49
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастицы золота--трехмерный пакет Аннотация: Для увеличения емкости компьютерных устройств для хранения информации исследователи из Кореи и Австралии использовали трехмерный пакет наночастиц золота
Найти похожие
|
3. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 623.7/М 79
Автор(ы) : Мордвинцев В. М., Кудрявцев С. Е., Левин В. Л.
Заглавие : Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводщих наноструктурах
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. - С. 183-191: рис., табл. Примечания : Библиогр.: с. 191 (8 назв.)
ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктуры--матрицы памяти
Найти похожие
|
4. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 623.7/Д 27
Автор(ы) : Александров П. А., Баранова Е. К., Баранова И. В., Бударагин В. В., Литвинов В. Л.
Заглавие : Действия излучения на схемы с фазовым изменением на халькогенидных стеклах
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 40-47: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 46-47 (43 назв.)
ББК : 623.7 Предметные рубрики: ФИЗИКА
Найти похожие
|
5. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Д 37
Автор(ы) : Деспотули А. Л., Андреева А. В.
Заглавие : Наноионика: новые материалы и суперконденсаторы
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 7-8 . - С. 89-99: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223 Примечания : Библиогр. : с. 99 (64 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлионика--накопители импульсные высокоемкие субвольтовые--память и логика компьютерная высокоплотная Аннотация: В обзоре представлены результаты исследований твердотельных наноматериалов и наносистем с быстрым ионным транспортом: обнаружены новые оптически активные наносистемы Ag(Cu)I - М с рекордно высокими концентрациями примесей редкоземельных и переходных металлов (М); показаны возможности разработки нового класса высокоемких субвольтовых импульсных накопителей с когерентными гетеропереходами - «наноионных суперконденсаторов»; выполнен поиск областей применения наноионных приборов, необходимых в ближайшие 5-10 лет для развития глубоко субвольтовой наноэлектроники и связанных с ней технологий, а в дальнейшем - для создания высокоплотной компьютерной логики и памяти, функционирующих за счет сочетания в гибридных наноструктурах квантового транспорта электронов и классического движения ионов (наноэлионика)
Найти похожие
|
6. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Т 38
Автор(ы) : Ануфриев Ю. В., Зенова Е. В., Кондратьев П. К., Рачников Д. А.
Заглавие : Технологический маршрут изготовления наноразмерных ячеек энергонезависимой памяти на фазовых переходах с применением двухлучевой установки novananolab 600
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 26-28: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 28 (6 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): память энергонезависимая--установка двухлучевая novananolab 600 --ячейки наноразмерные Аннотация: Рассматривается один из возможных способов создания прототипа матрицы ячеек энергонезависимой памяти с использованием Dual-beam-технологии. Предложенная технология в будущем позволит изготавливать матрицы энергонезависимой памяти на фазовых переходах, внедренных в структуру СБИС
Найти похожие
|
7. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/К 72
Автор(ы) : Костров А. И.
Заглавие : Макромодель ячейки памяти с магнитным туннельным переходом
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 7-11: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 11 (10 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Аннотация: Предложены электрическая макромодель и эквивалентная схема ячейки магниторезистивной памяти на основе магнитного туннельного перехода, переключаемого спин-поляризованным током. В ней использованы нелинейные резисторы для представления параллельного и антипараллельного состояний намагниченности ферромагнитных слоев. Модель ориентирована на применение в системах компьютерного моделирования и проектирования интегральных микросхем. Ее точность и вычислительная эффективность продемонстрированы на примере элемента магниторезистивной памяти
Найти похожие
|
8. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/М 34
Автор(ы) : Козюхин С. А., Шерченков А. А., Новоторцев В. М., Тимошенков С. П.
Заглавие : Материалы фазовой памяти на основе сложных халькогенидов и их применение в устройствах оперативной памяти
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 73-81: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223 Примечания : Библиогр. : с. 81 (36 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Рассмотрены халькогенидные сплавы системы Ge-Sb-Te с точки зрения их использования в устройствах энергонезависимой фазовой памяти произвольного доступа. Проведен анализ физико-химических свойств кристаллических соединений и аморфных пленок на их основе
Найти похожие
|
9. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/М 35
Автор(ы) : Матюшкин И. В.
Заглавие : Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 34-41: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 41 (15 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: В рамках (2n + 1)-уровневой (n = 4) модели зонной структуры нанокристалла Si, несущего заряд, рассмотрено положение уровня Ферми. Показано, что типичное время утечки заряда на подложку составляет: для электронов зоны проводимости менее 10 с (до микросекунд в зависимости от толщины туннельного SiO2), для электронов на ловушке около 10 лет и выше
Найти похожие
|
10. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/С 51
Автор(ы) : Смолин В. К., Качемцев А. Н., Киселев В. К.
Заглавие : Физические принципы технологии элементов перспективной энергонезависимой памяти
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 19-25: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 25 (26 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): память--flach-память--память типа mram--fram--rram Аннотация: Дан обзор конструкторско-технологических особенностей выполнения элементов энергонезависимой памяти различных физических принципов действия. Определены лидирующие компании и направления развития различных типов памяти
Найти похожие
|
|
|