Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (111)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (2)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (6)Публикации об УрО РАН (44)Изобретения уральских ученых (1)Гибель династии Романовых (4)История Урала (3)Личная библиотека С. В. Вонсовского (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды Института истории и археологии УрО РАН (16)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН (28)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (21)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПАМЯТЬ<.>)
Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 16
1.

Квантовая память // Нанотехнологии: наука и производство, 2008,N № 1.-С.11
2.

Флеш-память входит в третье измерение // Нанотехнологии: наука и производство, 2008. т.№ 3.-С.49
3.

Мордвинцев В. М. Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводщих наноструктурах/В. М. Мордвинцев, С. Е. Кудрявцев, В. Л. Левин // Российские нанотехнологии, 2009. т.Т. 4,N № 1-2.-С.183-191
4.

Действия излучения на схемы с фазовым изменением на халькогенидных стеклах/П. А. Александров [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2009. т.№ 10.-С.40-47
5.

Деспотули А. Л. Наноионика: новые материалы и суперконденсаторы /А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Российские нанотехнологии, 2010. т.Т. 5,N № 7-8 .-С.89-99
6.

Технологический маршрут изготовления наноразмерных ячеек энергонезависимой памяти на фазовых переходах с применением двухлучевой установки novananolab 600 /Ю. В. Ануфриев, Е. В. Зенова, П. К. Кондратьев, Д. А. Рачников // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 11.-С.26-28
7.

Костров А. И. Макромодель ячейки памяти с магнитным туннельным переходом /А. И. Костров // Нано- и микросистемная техника , 2011.-С.7-11
8.

Материалы фазовой памяти на основе сложных халькогенидов и их применение в устройствах оперативной памяти /С. А. Козюхин [и др.] // Российские нанотехнологии, 2011. т.Т. 6,N № 3-4.-С.73-81
9.

Матюшкин И. В. Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти /И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 3.-С.34-41
10.

Смолин В. К. Физические принципы технологии элементов перспективной энергонезависимой памяти /В. К. Смолин, А. Н. Качемцев, В. К. Киселев // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 7.-С.19-25
11.

Морозов А. И. Перемагничивание электрическим полем в двухслойной структуре ферромагнетик— магнитоэлектрик / А. И. Морозов, А. С. Сигов // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 10.-С.10-14
12.

Смолин В. К. Мемристоры — перспективная элементная база микро-и наноэлектроники /В. К. Смолин // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 10.-С.27-30
13.

Винокуров Д. Л. Численное моделирование магнитной структуры компенсированной границы раздела ферромагнетик-мультиферроик/Д. Л. Винокуров // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 4.-С.34-39
14.

Беляев С. В. Программный модуль конфигурирования СнК/С. В. Беляев, П. А. Шаманаев, С. В. Щербаков // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 6.-С.55-56
15.

Галушка В. В. Исследование управляемого массопереноса в наноструктурах AgL-Ag методом туннельной микроскопии/В. В. Галушка, Д. И. Биленко, Д. В. Терин // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 8.-С.37-42
16.

Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN/С. А. Зайцев, О. М. Орлов, Е. С. Горнев, К. В. Егоров, Р. В. Киртаев, А. М. Маркеев, А. В. Заблоцкий // Наноматериалы и наноструктуры, 2014. т.Т. 5,N № 2.-С.10-15
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика