Поисковый запрос: (<.>K=ПАМЯТЬ<.>) |
Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 16 |
1.
| Квантовая память // Нанотехнологии: наука и производство, 2008,N № 1.-С.11
|
2.
| Флеш-память входит в третье измерение // Нанотехнологии: наука и производство, 2008. т.№ 3.-С.49
|
3.
| Мордвинцев В. М. Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводщих наноструктурах/В. М. Мордвинцев, С. Е. Кудрявцев, В. Л. Левин // Российские нанотехнологии, 2009. т.Т. 4,N № 1-2.-С.183-191
|
4.
| Действия излучения на схемы с фазовым изменением на халькогенидных стеклах/П. А. Александров [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2009. т.№ 10.-С.40-47
|
5.
| Деспотули А. Л. Наноионика: новые материалы и суперконденсаторы /А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Российские нанотехнологии, 2010. т.Т. 5,N № 7-8 .-С.89-99
|
6.
| Технологический маршрут изготовления наноразмерных ячеек энергонезависимой памяти на фазовых переходах с применением двухлучевой установки novananolab 600 /Ю. В. Ануфриев, Е. В. Зенова, П. К. Кондратьев, Д. А. Рачников // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 11.-С.26-28
|
7.
| Костров А. И. Макромодель ячейки памяти с магнитным туннельным переходом /А. И. Костров // Нано- и микросистемная техника , 2011.-С.7-11
|
8.
| Материалы фазовой памяти на основе сложных халькогенидов и их применение в устройствах оперативной памяти /С. А. Козюхин [и др.] // Российские нанотехнологии, 2011. т.Т. 6,N № 3-4.-С.73-81
|
9.
| Матюшкин И. В. Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти /И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 3.-С.34-41
|
10.
| Смолин В. К. Физические принципы технологии элементов перспективной энергонезависимой памяти /В. К. Смолин, А. Н. Качемцев, В. К. Киселев // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 7.-С.19-25
|
11.
| Морозов А. И. Перемагничивание электрическим полем в двухслойной структуре ферромагнетик— магнитоэлектрик / А. И. Морозов, А. С. Сигов // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 10.-С.10-14
|
12.
| Смолин В. К. Мемристоры — перспективная элементная база микро-и наноэлектроники /В. К. Смолин // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 10.-С.27-30
|
13.
| Винокуров Д. Л. Численное моделирование магнитной структуры компенсированной границы раздела ферромагнетик-мультиферроик/Д. Л. Винокуров // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 4.-С.34-39
|
14.
| Беляев С. В. Программный модуль конфигурирования СнК/С. В. Беляев, П. А. Шаманаев, С. В. Щербаков // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 6.-С.55-56
|
15.
| Галушка В. В. Исследование управляемого массопереноса в наноструктурах AgL-Ag методом туннельной микроскопии/В. В. Галушка, Д. И. Биленко, Д. В. Терин // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 8.-С.37-42
|
16.
| Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN/С. А. Зайцев, О. М. Орлов, Е. С. Горнев, К. В. Егоров, Р. В. Киртаев, А. М. Маркеев, А. В. Заблоцкий // Наноматериалы и наноструктуры, 2014. т.Т. 5,N № 2.-С.10-15
|
|