Поисковый запрос: (<.>K=ПАМЯТЬ<.>) |
Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 16 |
1. 
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 32
Заглавие : Квантовая память
Место публикации : Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 1. - С. 11
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектронная память--магнитная запись--жесткие диски--нанотехнологии
Аннотация: Промышленное производство устройств магнитной записи на жесткие диски, доход от которого только в США составляет более $ 30 млрд. в год, может существенно измениться. За последние 10 лет значительно возросл возможности регулирования с атомной точностью роста одномерных наномасштабных структур
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 71
Заглавие : Флеш-память входит в третье измерение
Место публикации : Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 3. - С. 49
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастицы золота--трехмерный пакет
Аннотация: Для увеличения емкости компьютерных устройств для хранения информации исследователи из Кореи и Австралии использовали трехмерный пакет наночастиц золота
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/М 79
Автор(ы) : Мордвинцев В. М., Кудрявцев С. Е., Левин В. Л.
Заглавие : Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводщих наноструктурах
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. - С. 183-191: рис., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 191 (8 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктуры--матрицы памяти
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Д 27
Автор(ы) : Александров П. А., Баранова Е. К., Баранова И. В., Бударагин В. В., Литвинов В. Л.
Заглавие : Действия излучения на схемы с фазовым изменением на халькогенидных стеклах
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 40-47: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 46-47 (43 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Д 37
Автор(ы) : Деспотули А. Л., Андреева А. В.
Заглавие : Наноионика: новые материалы и суперконденсаторы
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 7-8 . - С. 89-99: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 99 (64 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлионика--накопители импульсные высокоемкие субвольтовые--память и логика компьютерная высокоплотная
Аннотация: В обзоре представлены результаты исследований твердотельных наноматериалов и наносистем с быстрым ионным транспортом: обнаружены новые оптически активные наносистемы Ag(Cu)I - М с рекордно высокими концентрациями примесей редкоземельных и переходных металлов (М); показаны возможности разработки нового класса высокоемких субвольтовых импульсных накопителей с когерентными гетеропереходами - «наноионных суперконденсаторов»; выполнен поиск областей применения наноионных приборов, необходимых в ближайшие 5-10 лет для развития глубоко субвольтовой наноэлектроники и связанных с ней технологий, а в дальнейшем - для создания высокоплотной компьютерной логики и памяти, функционирующих за счет сочетания в гибридных наноструктурах квантового транспорта электронов и классического движения ионов (наноэлионика)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 38
Автор(ы) : Ануфриев Ю. В., Зенова Е. В., Кондратьев П. К., Рачников Д. А.
Заглавие : Технологический маршрут изготовления наноразмерных ячеек энергонезависимой памяти на фазовых переходах с применением двухлучевой установки novananolab 600
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 26-28: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 28 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): память энергонезависимая--установка двухлучевая novananolab 600 --ячейки наноразмерные
Аннотация: Рассматривается один из возможных способов создания прототипа матрицы ячеек энергонезависимой памяти с использованием Dual-beam-технологии. Предложенная технология в будущем позволит изготавливать матрицы энергонезависимой памяти на фазовых переходах, внедренных в структуру СБИС
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 72
Автор(ы) : Костров А. И.
Заглавие : Макромодель ячейки памяти с магнитным туннельным переходом
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 7-11: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 11 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Аннотация: Предложены электрическая макромодель и эквивалентная схема ячейки магниторезистивной памяти на основе магнитного туннельного перехода, переключаемого спин-поляризованным током. В ней использованы нелинейные резисторы для представления параллельного и антипараллельного состояний намагниченности ферромагнитных слоев. Модель ориентирована на применение в системах компьютерного моделирования и проектирования интегральных микросхем. Ее точность и вычислительная эффективность продемонстрированы на примере элемента магниторезистивной памяти
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 34
Автор(ы) : Козюхин С. А., Шерченков А. А., Новоторцев В. М., Тимошенков С. П.
Заглавие : Материалы фазовой памяти на основе сложных халькогенидов и их применение в устройствах оперативной памяти
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 73-81: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 81 (36 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассмотрены халькогенидные сплавы системы Ge-Sb-Te с точки зрения их использования в устройствах энергонезависимой фазовой памяти произвольного доступа. Проведен анализ физико-химических свойств кристаллических соединений и аморфных пленок на их основе
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 35
Автор(ы) : Матюшкин И. В.
Заглавие : Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 34-41: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 41 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В рамках (2n + 1)-уровневой (n = 4) модели зонной структуры нанокристалла Si, несущего заряд, рассмотрено положение уровня Ферми. Показано, что типичное время утечки заряда на подложку составляет: для электронов зоны проводимости менее 10 с (до микросекунд в зависимости от толщины туннельного SiO2), для электронов на ловушке около 10 лет и выше
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 51
Автор(ы) : Смолин В. К., Качемцев А. Н., Киселев В. К.
Заглавие : Физические принципы технологии элементов перспективной энергонезависимой памяти
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 19-25: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 25 (26 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): память--flach-память--память типа mram--fram--rram
Аннотация: Дан обзор конструкторско-технологических особенностей выполнения элементов энергонезависимой памяти различных физических принципов действия. Определены лидирующие компании и направления развития различных типов памяти
Найти похожие
|
11.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 80
Автор(ы) : Морозов А. И., Сигов А. С.
Заглавие : Перемагничивание электрическим полем в двухслойной структуре ферромагнетик— магнитоэлектрик
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 10-14: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 14 (20 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магнитоэлектрик--наноструктуры многослойные--запись электрическим полем--память магниторезистивная
Аннотация: Исследованы условия, необходимые для разворота намагниченности ферромагнитного слоя путем приложения электрического поля к слою магнитоэлектрика BiFeO 3 в двухслойной обменно-связанной структуре. Показано, что такая процедура возможна только в случае, когда атомные плоскости феррита висмута, параллельные границе раздела слоев, являются скомпенсированными по спину плоскостями, например плоскостями типа (001) псевдокубической кристаллографической решетки
Найти похожие
|
12.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 51
Автор(ы) : Смолин В. К.
Заглавие : Мемристоры — перспективная элементная база микро-и наноэлектроники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 27-30: табл., схема. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 30 (32 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мемристор--память типа мrам, fram, reram
Аннотация: Дан обзор конструкторско-технологических особенностей выполнения устройств энергонезависимой памяти на основе резисторов с памятью — мемристоров. Определены перспективы развития этого вида памяти
Найти похожие
|
13.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382/В 49
Автор(ы) : Винокуров Д. Л.
Заглавие : Численное моделирование магнитной структуры компенсированной границы раздела ферромагнетик-мультиферроик
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 4. - С. 34-39. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 39 (13 назв.)
УДК : 621.382
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магниторезистивная память--запись электрическим полем--мультиферроик--многослойные наноструктуры
Аннотация: Проведено численное моделирование магнитной структуры компенсированной границы раздела ферромагнетик- мультиферроик. Найдены искажения магнитных параметров порядка, убывающие по мере удаления от границы раздела. Проведена оценка вкладов в энергию межслойного взаимодействия магнитных параметров порядка, которая показала, что основной вклад обусловлен обменным взаимодействием. Из условия переключения намагниченности ферромагнитного слоя электрическим полем, приложенным к слою мультиферроика, получено ограничение сверху на толщину ферромагнитного слоя. Результаты, полученные при численном моделировании, хорошо согласуются с развитой ранее линейной теорией и дополняют ее
Найти похожие
|
14.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 004.9/Б 44
Автор(ы) : Беляев С. В., Шаманаев П. А., Щербаков С. В.
Заглавие : Программный модуль конфигурирования СнК
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 55-56: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 56 (3 назв.)
УДК : 004.9
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): аналогово-цифровые бис типа "система на кристалле"--интегрированные микросистемы--обработка и преобразование сигналов
Аннотация: Представлен краткий обзор возможных путей развития в области разработки системы на кристалле (СнК). Обоснован выбор одной из реализации. Описан программный модуль для генерации кода конфигурирования блоков СнК выбранной реализации. Изменение кода определяет один из возможных вариантов применения СнК. Разработанный программный модуль позволяет проверять записанные в конфигурационную память данные
Найти похожие
|
15.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 544.6/Г 16
Автор(ы) : Галушка В. В., Биленко Д. И., Терин Д. В.
Заглавие : Исследование управляемого массопереноса в наноструктурах AgL-Ag методом туннельной микроскопии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 37-42: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 42 (16 назв.)
УДК : 544.6
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): массоперенос--ионная проводимость--туннельная структура--agi-ag--резистивная память
Аннотация: Приведены результаты исследования методом туннельной микроскопии массопереноса в структуре, содержащей нанометровый слой AgI. Показана возможность использования интерфейса Ag-AgI-диэлектрик-металл в качестве резистивной памяти с зарядом переключения Q » 5 пКл и кратностью сопротивления HRS/LRS 10 4
Найти похожие
|
16.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Э 94
Автор(ы) : Зайцев С. А., Орлов О. М., Горнев Е. С., Егоров К. В., Киртаев Р. В., Маркеев А. М., Заблоцкий А. В.
Заглавие : Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15
Примечания : Библиогр.: с. 15 (15 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эффект резистивного переключения--атомно-слоевое осаждение--энергонезависимая память--оксид гафния
Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах.
Найти похожие
|
|
|
Главная
Новые поступления
Шлюз Z39.50
Каталог книг и продолжающихся изданий
Описание базы данных