Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (47)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (25)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (3)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (2)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (5)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (47)Труды Института истории и археологии УрО РАН (2)Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН (14)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (13)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (80)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (97)Расплавы (36)Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН (2)Публикации Черешнева В.А. (7)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (23)Библиометрия (8)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПАРАМЕТРЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 65
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 17
Автор(ы) : Бакиева Ю. Р., Зверева Г. И., Спирин М. Г., Крестинин А. В.
Заглавие : Абсорбционная ИК-спектроскопия как метод измерения содержания однослойных углеродных нанотрубок в углеродных наноматериалах
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т.8, № 5-6. - С. 78-85: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 85 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотрубки--нанотрубки однослойные углеродные--ик-спектроскопия абсорбционная --наноматериалы--метод ик-поглощения --осунт--ик-сигнал поглощения --дисперсия--микрокристаллы--ик-измерения --коэффициент экстинкции
Аннотация: Метод ИК-поглощения можно применять для измерения содержания однослойных углеродных нанотрубок (ОСУНТ) в наноматериале (порошок, паста), если выполнены следующие условия: а) во-первых, измеряемый ИК-сигнал поглощения пропорционален концентрации нанотрубок в приготовленной для измерений дисперсии материала в подходящей жидкости и б) во-вторых, в дисперсиях тестируемого образца и выбранного эталона тождественны все другие характеризующие нанотрубки параметры, к которым чувствительна величина ИК-поглощения в полосе S22, а именно: (i) распределение по диаметру нанотрубок; (ii) cоотношение между нанотрубками полупроводникового и металлического типа; (iii) степень агрегации нанотрубок в структуры типа тяжей (пучков); (iv) степень ковалентной функционализации нанотрубок. Представлены данные, показывающие, что в дисперсии нанотрубок заданной концентрации коэффициент экстинкции в ближней ИК-области увеличивается с ростом поперечного размера поглощающих элементов – диаметра нанотрубок и их тяжей. Предложена методика измерений содержания ОСУНТ в материалах очищенных нанотрубок электродугового синтеза с высокой степенью агрегации нанотрубок в микрокристаллы и тяжи. Методика основана на специальном способе приготовления дисперсии наноматериала для ИК-измерений и позволяет получить нанотрубки в дисперсии с существенно более низкой степенью агрегации, чем в исходном образце, и которая слабо зависит от степени агрегации нанотрубок в исходном тестируемом образце
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 19
Автор(ы) : Аверин И. А., Мошников В. А., Пронин И. А.
Заглавие : Вклад поверхности газочувствительных композитов SnО2—In2О3 в сенсорные свойства и селективность
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 19-21: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 21 (21 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): селективность--композиты газочувствительные--свойства сенсорные--кристаллиты газочувствительных материалов--центры льюисовские--эфекты поверхостные
Аннотация: С уменьшением размеров кристаллитов газочувствительных материалов вклад в сенсорные характеристики и селективность объемных свойств материала становится пренебрежимо мал по сравнению со вкладом поверхностных свойств. Параметры поверхности поликристаллического SnO 2 определяют семейства плоскостей (110). Основными льюисовскими центрами данной поверхности являются катионы олова и легирующей примеси с координационными числами 4 и 5. С ростом q 2/r легирующего иона происходит рост кислотной силы льюисовских центров, за счет чего происходит рост концентрации поверхностных гидроксильных групп, представляющих собой бренстедовские кислотные центры
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 19
Автор(ы) : Аверин И. А., Пронин И. А., Карманов А. А.
Заглавие : Исследование газочувствительности сенсоров на основе наноструктурированных композиционных материалов Sio 2—SnO 2
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 23-26: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 26 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктурированные композиционные материалы--нанокомпозиты--системы диоксид олова—диоксид кремния--модель газочувствительности нанокомпозитов --чувствительность пленок sio2—sno 2
Аннотация: Разработана модель газочувствительности нанокомпозитов на основе системы диоксид олова—диоксид кремния. Исследованы механизмы проводимости и хеморезистивного отклика композитов, определены параметры, соответствующие максимальной чувствительности пленок SiO2—SnO 2
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 39
Автор(ы) : Моргалев Ю. Н., Астафурова Т. П., Боровикова Г. В., Зотикова А. П., Зайцева Т. А., Постовалова В. М., Верхотурова Г. С., Моргалева Т. Г.
Заглавие : Аккумуляция наночастиц платины в растениях пшеницы и гороха и особенности их морфологических изменений
Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 3. - С. 81-86: табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 86 (29 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастицы--аккумуляция--наночастицы платины --морфометрия--система водная дисперсная
Аннотация: Изучали аккумуляцию и распределение наночастиц платины (∆ 50 = 5 нм) в органах водных и почвенных культур одно- и двудольных растений - пшеницы и гороха при выращивании их в течение 10-ти суток в водной дисперсной системе (ДС) с концентрацией наночастиц 10 мг/л и в почвенном субстрате при поливе ДС. Установлено, что 10-дневные водные культуры растений пшеницы и гороха в большем количестве накапливали наночастицы платины, чем почвенные, а корни - значительно больше, чем стебель и листья. У пшеницы водной культуры в большей степени выражена аккумулирующая способность, чем у аналогичных растений гороха, а пшеница почвенной культуры, наоборот, с меньшей интенсивностью накапливала (поглощала) наночастицы платины, чем почвенная культура гороха. Морфологические изменения в органах растений (ростовые и весовые параметры) неоднородны и не зависели от концентрации аккумулированных наночастиц
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 86
Автор(ы) : Артемов А. С.
Заглавие : Химико-механическое полирование материалов
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 7-8. - С. 54-73: рис., табл.
Примечания : Библиогр. : с. 73 (43 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Обзор посвящен относительно новой, перспективной и интенсивно развивающейся технологии химико-механического полирования (ХМП) для получения высокосовершенной по геометрическим, структурным и химическим свойствам поверхности материалов: полупроводников, проводников и диэлектриков. Материал базируется на исследованиях физико-химических процессов, лежащих в основе технологии ХМП, и представляет попытку дать последовательную и объективно не полную картину ее развития с 60-х годов XX века до настоящего времени. Поскольку основу ХМП составляют обрабатываемый материал, композиция, полировальник и установка, то методической основой исследований и разработки технологии ХМП является проведение работ одновременно по следующим направлениям: изучение реальной структуры кристаллов; исследование деформации поверхности кристаллов при механической обработке; синтез твердых частиц нанометрового размера; исследование коллоидно-химических свойств гетерогенных дисперсных систем «твердое-жидкость»; разработка полировальных композиций; разработка технологии ХМП; изучение геометрических, химических, структурных и электрофизических свойств полированных поверхностей; изучение влияние полированных поверхностей материалов на технологические процессы изготовления и параметры различных приборов
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 12
Автор(ы) : Бабуров В. А., Павлов А. Ю.
Заглавие : Исследование и разработка прецизионных конденсаторов, работающих в сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 36-39: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 39 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование--нитрид кремния--конденсаторы тонкопленочные--s-параметры
Аннотация: Представлены результаты разработки и измерений S-параметров тонкопленочных конденсаторов. Конденсаторы формируются на подложках из арсенида галлия. На основе полученных данных удалось с помощью специального программного обеспечения смоделировать конденсаторы различной топологии, работающие на частотах до 40 ГГц
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 68
Автор(ы) : Бледнова Ж. М., Русинов П. О.
Заглавие : Формирование наноструктурированных поверхностных слоев плазменным напылением механоактивированных порошков из сплавов с ЭПФ
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 3-4 . - С. 77-83: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 83 (17 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): слои наноструктурированные поверхностные--напыление плазменное--сплавы с эпф
Аннотация: Pассмотрен комбинированный метод формирования наноструктурированных поверхностных слоев из материалов с ЭПФ, включающий плазменное нанесение механически активированного порошка и последующую двухступенчатую термомеханическую обработку с промежуточным отжигом. Разработана универсальная установка, позволяющая выполнить весь цикл обработки. Установлены управляющие параметры и рекомендованы оптимальные режимы обработки, обеспечивающие формирование наноструктурированного поверхностного слоя с ЭПФ. На примере термомеханически управляемого разъемного соединения показана возможность и экономическая целесообразность использования поверхностного модифицирования деталей материалами с ЭПФ
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 79
Заглавие : Болометр с термочувствительным слоем из оксида ванадия VO x
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 44-52: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 52 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): чувствительность вольтовая--способность болометров обнаружительная--болометр--оксид ванадия
Аннотация: Исследованы электрические параметры термочувствительного слоя болометра VO x и морфология его поверхности. Определена относительная погрешность измерения, вносимая оксидным слоем VO x. Представлены расчетные и экспериментальные данные нагрева слоя VO x на 1 и 200 °С в диапазонах длин волн 0.5—3.39 мкм и 5.0—12 мкм в зависимости от длительности импульса излучения в диапазоне 1 — 10 -9 с на различных подложках. Исследованы зависимости: постоянной времени, вольтовой чувствительности болометра от размера приемной площадки и материала подложки. Рассчитаны: постоянная времени болометра, вольтовая чувствительность и эквивалентные значения напряжений фундаментальных шумов в зависимости от размеров приемной площадки, материалов подложки и частоты регистрируемого излучения. Приведены значения удельного теплового потока и обнаружительной способности болометров на частотах 1, 10, 20 Гц, выполненных на различных диэлектрических подложках. Описана модульная конструкция болометра, включающая герметичный корпус с приемным окном и преобразователь сопротивление-напряжение. Приведены зависимости напряжения с выхода болометра от величины воздействующего постоянного и импульсного излучения
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 89
Автор(ы) : Брюхова Ю. В., Зайцева Н. А.
Заглавие : Анализ разброса физико-технических параметров полупроводниковых приборов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 1. - С. 48-53: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 53 (14 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): годные кристаллы--моделирование--физические параметры--разброс параметров--полупроводниковые приборы
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 19
Автор(ы) : Васильев В. А., Чернов П. С.
Заглавие : Диффузионная модель роста и морфология поверхностей тонких пленок материалов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 11-16: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 16 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Дан обзор моделей роста поверхностей материалов. Предложена оригинальная модель роста поверхности тонких пленок, представляющая собой стохастический клеточный автомат и учитывающая диффузию частиц. Она позволяет исследовать влияние температуры подложки, скорости и времени осаждения на параметры, характеризующие морфологию поверхности. Представлены результаты сравнения экспериментальных данных, полученных с помощью атомно-силовой микроскопии, и теоретических, полученных путем моделирования с использованием предложенной диффузионной модели
Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика