Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (23)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (3)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (2)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПЛАСТИНЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 17
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-17 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 21


    Тарнавский, Г. А.
    Проектирование дислокаций примесей в выступающем элементе нанорельефа поверхности кремниевой пластины / Г. А. Тарнавский, С. С. Чесноков // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 7-11 : рис. - Библиогр. : с. 11 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- ЛЕГИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ -- ИМПЛАНТАЦИЯ -- ПРИМЕСИ ДОНОРНЫЕ И АКЦЕПТОРНЫЕ -- НАНОКОЛОННЫ РЕЛЬЕФА
Аннотация: На основе компьютерного моделирования проведено исследование технологического процесса имплантации легирующих примесей акцепторного и донорного типов (бора, фосфора и мышьяка) в кремниевую пластину с выступающим нанорельефом поверхности

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 21


    Тарнавский, Г. А.
    Легирование наноколонн рельефа поверхности пластины кремния / Г. А. Тарнавский // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 6 . - С. 20-24. - Библиогр. : с. 24 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- ЛЕГИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ -- ИМПЛАНТАЦИЯ
Аннотация: На основе компьютерного моделирования проведено исследование технологического процесса имплантации легирующих примесей акцепторного и донорного типов (бора, фосфора и мышьяка) в кремниевую пластину со сложным поверхностным нанорельефом

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 19


    Тарнавский , А. Г.
    Влияние защитных масок при отжиге кремниевой пластины на формирование наноразмерных примесей фосфора [Текст] / Г. А. Тарановский , В. С. Анищик, А. Г. Тарнавский // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 3. - С. 57-65 : граф. - Библиогр.: с. 65 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ПРОВОДИМОСТЬ -- ЗАЩИТНЫЕ МАСКИ -- ПРИМЕСИ ФОСФОРА

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 58


   
    Создание монокристальных нанопроводов из кремния с использованием облучения ионами малых энергий / Б. А. Гурович, К. Е. Приходько, Д. А. Комаров, А. Н. Талденков // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 49-53 : рис. - Библиогр.: с. 53 (5 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОПРОВОДА -- КРЕМНИЙ -- МОНОКРИСТАЛЬНОСТЬ -- ИЗОЛЯЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ -- ТЕМПЕРАТУРА -- ОБЛУЧЕНИЕ ПЛАЗМЕННОЕ
Аннотация: В работе предложен способ создания монокристальных кремниевых нанопроводов на поверхности кремниевой пластины путем формирования специально созданных протяженных структур с отрицательным углом наклона боковых стенок и последующего их окисления под действием облучения ионами кислорода малых энергий при температуре 400 °C. Форма и размеры структур подбирались таким образом, чтобы, во-первых, в процессе окисления центральная часть нанопровода не подвергалась модификации, сохраняя монокристальность и уровень легирования исходного кремния, а во-вторых, чтобы обеспечить электрическую изоляцию нанопровода от пластины. Исследована зависимость глубины окисления от температуры и длительности плазменного облучения, а также электрические свойства сформированного оксида

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 56


   
    Современные тенденции развития микросистемной техники [Текст] / В. Д. Вернер [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 8. - С. 2-6 : рис., табл. - Библиогр.: с. 6 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОСИСТЕМНАЯ ТЕХНИКА -- МЭМС -- РЫНОК МСТ -- КРЕМНИЕВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ -- ТЕМП РАЗВИТИЯ
Аннотация: Рассмотрены основные изменения и тенденции развития микросистемной техники к началу 2008 г. Отмечено существенное повышение роли электронной составляющей конструкции МЭМС вследствие введения систем самотестирования и развития интерфейсных устройств беспроводной связи. Тенденция постоянного снижения цены вызывает поиск новых областей применения МЭМС (бытовая техника), новых материалов (полимеров) и новых технологических решений. Производство МЭМС по-прежнему на 80% основано на микрообработке кремния, в связи с этим освоены технологии корпусирования на пластине и 3D-сборка, крупные фирмы переводят свое производство на пластины 200мм. Рассмотрены положительные и негативные аспекты рассмотренных тенденций

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 17


   
    Разработка ионно-пучкового метода изготовления кремниевых нанопроводов / Б. А. Гурович [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2012. - № 1-2. - С. 90-93 : рис. - Библиогр. : с. 93 (7 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОПРОВОДА -- НАНОПРОВОДА КРЕМНИЕВЫЕ -- ОБЛУЧЕНИЕ ИОННОЕ -- МАСКА ЛИТОГРАФИЧЕСКАЯ
Аннотация: Предложен новый метод изготовления кремниевых нанопроводов на поверхности стандартной кремниевой пластины с помощью ионного облучения через литографическую маску. Изучены условия синтеза оксида кремния при облучении кремниевой подложки протонами с энергий ~1 кэВ. Продемонстрирована возможность синтеза оксида кремния в области геометрической тени под формируемым монокристаллическим кремниевым нанопроводом

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 96


   
    Пьезоэлектрический резонансный датчик магнитного поля с планарной возбуждающей катушкой / Д. А. Бурдин, Ю. К. Фетисов, Д. А. Чашин, Н. А. Экономов, Е. М. Савченко // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 37-40 : рис. - Библиогр.: с. 40 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- ДАТЧИК ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАНСНЫЙ -- СИЛА АМПЕРА -- ПЬЕЗОЭФФЕКТ -- ПЛАСТИНА БИМОРФНАЯ -- ПЬЕЗОЭЛЕКТРИК
Аннотация: Изготовлен и исследован пьезоэлектрический датчик постоянного магнитного поля, использующий комбинацию силы Ампера, пьезоэффекта и акустического резонанса. Датчик представляет собой биморфную пластину из цирконата-титаната свинца, один конец которой закреплен, а на другом расположена планарная электромагнитная катушка. При пропускании через катушку тока с частотой, равной частоте изгибных колебаний пластины, пьезоэлектрик генерирует переменное напряжение, амплитуда которого пропорциональна постоянному полю. Датчик имеет чувствительность ~200 В/(А • Тл) в диапазоне полей ~10 -7...0,3 Тл и диапазоне температур 220...370К

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 53


   
    Получение нанопористых неорганических пластин / Е. С. Трофимчук, Н. И. Никонорова, Е. А. Нестерова, С. А. Якухнов, Д. К. Мальцев, М. Н. Иноземцева, А. Л. Волынский , Н. Ф. Бакеев // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 7-8. - С. 41-46 : рис., табл. - Библиогр.: с. 46 (27 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТЫХ ПЛАСТИН -- МАТРИЦЫ ПОЛИМЕРНЫЕ -- МЕХАНИЗМ КРЕЙЗИНГА -- ДИОКСИД КРЕМНИЯ -- ГИДРОКСИАПАТИТ
Аннотация: Описан оригинальный метод получения пористых пластин из различных неорганических веществ (диоксид кремния, гидроксиапатит, серебро) с использованием полимерных матриц, высокодисперсная структура которых сформирована по механизму крейзинга. Структура пористой пластины и ее характеристики могут варьироваться в широких пределах (диаметр пор может изменяться от нескольких нанометров до нескольких микрон) и зависят от морфологии исходной полимерной матрицы, степени ее деформации, количества и способа введения неорганического компонента. Сформулированы условия формирования пластины: степень деформации полимерной пленки должна быть не менее 50 %, содержание наполнителя — не менее 10 об. %

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 41


    Побойкина, Н. В.
    Использование алмаза в качестве теплоотводяшего элемента: методы и устройства вырашивания алмазных пленок и пластин / Побойкина // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 3. - С. 23-27. - Библиогр.: с. 27 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ АЛМАЗНЫЕ ПЛЕНКИ -- CVD-МЕТОД -- ПЛАСТИНЫ
Аннотация: Приводится краткий обзор организаций, занимающихся в России выращиванием поликристаллических алмазных пленок. Рассмотрены наиболее распространенные в мире конструкции СВЧ плазменных технологических установок

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 32


    Пивоненков, Б. И.
    Трехкомпонентный пьезорезистивный мэм-акселерометр / Б. И. Пивоненков, В. М. Школьников // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 43-47 : рис., табл., граф. - Библиогр. : с. 47 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АКСЕЛЕРОМЕТР ПЬЕЗОРЕЗИСТИВНЫЙ -- АКСЕЛЕРОМЕТР ТРЕХКОМПОНЕНТНЫЙ -- МЭМС
Аннотация: Описан трехкомпонентный пьезорезистивный МЭМ-акселерометр с одним упругим элементом, с воздушным демпфированием и ограничителями перемещения груза. Обоснованы и рассчитаны оптимальные параметры акселерометра: внутренний размер чувствительного элемента для разных толщин пластины, длина и ширина перемычек, уточнены требования к тензорезисторам. Приведены оптимальные параметры акселерометра на диапазон 10 g двух толщинах подложки: 450 и 600 мкм. Даны предложения по параметрам акселерометра для серийного освоения и по модификациям, в которых его целесообразно выпускат

Найти похожие

 1-10    11-17 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика