Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (121)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (77)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (22)Публикации об УрО РАН (3)Изобретения уральских ученых (5)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (49)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (15)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (108)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (119)Расплавы (24)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПЛЕНКИ<.>)
Общее количество найденных документов : 137
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Э 94
Автор(ы) : Зайцев С. А., Орлов О. М., Горнев Е. С., Егоров К. В., Киртаев Р. В., Маркеев А. М., Заблоцкий А. В.
Заглавие : Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15
Примечания : Библиогр.: с. 15 (15 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эффект резистивного переключения--атомно-слоевое осаждение--энергонезависимая память--оксид гафния
Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 94
Автор(ы) : Батурин А. С., Булах К. В., Григал И. П., Егоров К. В., Заблоцкий А. В., Маркеев А. М., Лебединский Ю. Ю., Горнев Е. С., Орлов О. М., Чуприк А. А.
Заглавие : Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 18 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): метод атомно-слоевого осаждения--эффект резистивного переключения--пленки оксидные--пленки тонкие--методика рентгено-фотоэлектронной спектроскопии
Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 47
Автор(ы) : Гавриленко В. П., Зайцев С. А., Кузин А. Ю., Новиков Ю. А., Раков А. В., Тодуа П. А.
Заглавие : Эллипсометрическая характеризация структур Si-SiO2
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 42-45: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 45 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассмотрены диагностические возможности метода эллипсометрии в применении к системе, представляющей собой пленку оксида кремния на кремнии, широко используемой в наноэлектронике. Для конкретных образцов, содержащих пленку оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, определены с высокой точностью все основные параметры пленки и подложки: толщина пленки, показатели преломления пленки и подложки, коэффициент поглощения подложки. Экспериментально показано, что с помощью метода эллипсометрии можно контролировать наличие (или отсутствие) дополнительного переходного слоя между пленкой и подложкой
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Е 28
Автор(ы) : Еганова Е. М.
Заглавие : Электропроводность стеклообразных пленок As2Se3
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 23-25: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 25 (3 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки as2se3--электропроводность--микроплазма
Аннотация: Представлены результаты наблюдения микроплазм в пленках As2Se3, одного из широкозонных халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП), и исследования их свойств. Некоторые свойства микроплазм в аморфных пленках аналогичны свойствам микроплазм в p-n-переходах, однако имеются и отличия, которые не наблюдались в кристаллических материалах
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ш 75
Автор(ы) : Шмырева А. Н., Борисов А. В., Максимчук Н. В.
Заглавие : Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 99-104: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с.104 (24 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сенсеры электронные--пленки наноструктурные--метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Аннотация: Изучено влияние технологических параметров получения наноструктурных пленок СеОх на электронные, структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики с целью их применения в качестве активного элемента различных микроэлектронных сенсоров: высокоэффективных фоторезисторов и МДП-фотодиодов для регистрации биолюминесценции, ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) и МДП-варакторов, реагирующих на изменение рН в результате биохимических процессов. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии РФЭС показал, что в зависимости от технологических режимов, прежде всего от температуры подложки, изменяется соотношение концентраций ионов Се3+ и Се4+ в пленках СеОх, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны. Установлена корреляция этих изменений с оптическими и фотоэлектрическими характеристиками. На основе разработанных высокочувствительных фотоприемников и живых организмов (дафнии и биолюминесцентные бактерии) создан портативный электронный биолюменометрический комплекс для определения общей токсичности среды, вызванной патулином, бифентрином и хлорпирофосом. Минимальный порог чувствительности составил для патулина 0.1 мг/л за 2 ч и 0.01 мг/л за 6 и 24 ч эксперимента, бифентрина - 0.01 мг/л за 3 ч и 0.0001 мг/л за 24 ч эксперимента. Показано, что применение нанокристаллических пленок оксида церия СеОх в качестве диэлектрика МДП-структур повышает чувствительность и стабильность сенсоров этого типа благодаря высокой плотности поверхностных чувствительных центров CeOх (до 1020 м-2), большому значению диэлектрической проницаемости (? = 26) и ширине запрещенной зоны (3.6 эВ), низким значениям токов утечек. Приведены результаты применения ИСПТ и МДП-варакторов с нанокристаллической пленкой CeOх для создания иммунных и ферментных биосенсоров. Порог чувствительности ферментного сенсора на основе холинэстеразы к фосфорорганическим пестицидам составляет 10-9 М, ионам тяжелых металлов - 10-7 М. рН-чувствительность ИСПТ - 58 мВ/рН, что близко к максимально возможной чувствительности для структуры полупроводник-диэлектрик-раствор, т.н. Нернстовской чувствительности - 59 мВ/рН
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 45
Автор(ы) : Михеев Г. М., Зонов Р. Г., Саушин А. С., Дорофеев Г. А.
Заглавие : Электрические и фотовольтаические свойства наноструктурированных серебро-палладиевых резистивных пленок
Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 4. - С. 28-32: рис., табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 32 (17 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки наноструктурированные серебро-палладиевые --температура вжигания--проводимость--материал наноструктурированный пористый --сигнал фотовольтаический--пленки резистивные--свойства фотовольтаические
Аннотация: Представлены результаты исследований морфологии, фазового состава, электрических и фотовольтаических свойств наноструктурированных серебро-палладиевых пленок, изготовленных из резистивных паст ЛПР-5 Ом и ЛПР-50 Ом при трех различных температурах вжигания 878, 1013 и 1113 K по толстопленочной технологии. Показано, что изготовленные пленки представляют собой наноструктурированный пористый материал и состоят из AgPd, PdO, Ag 3O и Ag 2O, весовые соотношения которых существенно зависят от температуры вжигания. Установлено, что пленки, изготовленные из паст ЛПР-5 Ом и ЛПР-50 Ом, обладают проводимостью n- и p-типа соответственно, и имеют существенно различающиеся значения концентрации носителей заряда, их подвижности, а также удельного сопротивления. Наибольший коэффициент преобразования лазерной мощности в амплитуду фотовольтаического сигнала наблюдается для пленок, изготовленных из резистивной пасты ЛПР-50 Ом при температуре вжигания 878 K
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.234/Т 70
Автор(ы) : Троицкий А. А., Березин В. М., Лукашев В. С.
Заглавие : Электрические и оптические свойства углеродных пленок, осаждаемых электроннолучевым методом
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 15-19. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 19 (11 назв.)
УДК : 539.234
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): графен--углерод--электронно-лучевое распыление--углеродные пленки--тонкие пленки--прозрачность
Аннотация: Методом распыления электронным лучом в вакууме были получены тонкие углеродные пленки (толщиной до 30 нм) на нагретой стеклянной подложке. Было измерено удельное поверхностное сопротивление пленок и их коэффициент пропускания (при l= 560 нм), найдены зависимости от толщины пленки. Проведен анализ результатов и сравнение с другими работами
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 41
Автор(ы) : Алексеева Н. О., Вейсман В. Л., Лукин А. Е., Панькова С. В., Соловьев В. Г., Яников М. В.
Заглавие : Экспериментальное исследование поверхностных свойств металлодиэлектрических наноструктур на основе опалов
Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 3. - С. 23-26: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 26 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): опалы--микроскопия сканирующая зондовая (сзм)--спектроскопия брэгговского отражения --пленки профилированные тонкие металлические
Аннотация: Методами сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) и спектроскопии брэгговского отражения исследованы образцы синтетических опалов, на поверхность которых наносились в вакууме тонкие слои металлов. Значения диаметров сфер образцов опалов, полученные как на основе СЗМ-изображений их металлизированной и не покрытой металлом поверхности, так и расчетным путем из спектров брэгговского отражения, соответствовали друг другу в пределах ошибок измерения. Таким образом, наружная поверхность тонкого слоя металла, покрывающего образец опала, сохраняет форму и пространственную периодичность, характерную для границы раздела между опалом и слоем металла
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Л 27
Автор(ы) : Латохин Д. В., Воронков Э. Н.
Заглавие : Численное моделирование микроплазменного пробоя в полупроводниковых структурах
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 26-29: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 29 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование численное--структуры полупроводниковые--микроплазма--пробой--проводники--электропроводность--пленки аморфные
Аннотация: Сообщается о численном моделировании микроплазм в неупорядоченных полупроводниковых структурах при условиях, аналогичных условиям возникновения микроплазменного пробоя в пленках As 2 Se 3 — одного из широкозонных халькогенидных стеклообразных полупроводников. Предложена модель, позволяющая описать процесс микроплазменного пробоя в аморфных пленках
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Х 46
Автор(ы) : Еленский А. А., Турыгин Д. С., Арсланов В. В., Калинина М. А.
Заглавие : Химическое паттернирование пленок Ленгмюра-Блоджетт методом мягкой гелевой литографии
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 5-6. - С. 66-71: рис. - ISSN 1195-078. - ISSN 1195-078
Примечания : Библиогр. : с. 71 (29 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки ленгмюр-блоджетт --паттернирование--литография
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика