Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (121)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (77)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (22)Публикации об УрО РАН (3)Изобретения уральских ученых (5)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (49)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (15)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (108)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (119)Расплавы (24)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПЛЕНКИ<.>)
Общее количество найденных документов : 137
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-60   61-80   81-100   101-120      
1.
Инвентарный номер: 231288 - кх.
   539.2
   К 32


    Квеглис, Людмила Иосифовна.
    Диссипативные структуры в тонких нанокристаллических пленках [] : монография / Л. И. Квеглис, В. Б. Кашкин ; отв. ред. В. Ф. Шабанов ; Сибир. федер. ун-т. - Москва : Инфра-М ; Красноярск : СФУ, 2018. - 202 с. : ил. - (Научная мысль). - Библиогр.: с. 185-200. - ISBN 978-5-16-013405-5 (Инфра-М). - ISBN 978-5-7638-2101-7 (СФУ) : 756.00 р.
ГРНТИ
ББК 539.2
Рубрики: ФИЗИКА--КРИСТАЛЛОГРАФИЯ--ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

  Оглавление
Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 27


   
    Переключаемость перовскитных микрообластей пленок ЦТС, локально отожженных фемтосекундным лазером инфракрасного диапазона / Н. Ю. Фирсова, А. С. Елшин, М. А. Марченкова, А. К. Болотов, М. С. Иванов, И. П. Пронин, С. В. Сенкевич, Д. А. Киселев, Е. Д. Мишина // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 7. - С. 43-47 : граф., рис. - Библиогр.: с. 46 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЦТС -- КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ -- ФЕМТОСЕКУНДНЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ОТЖИГ -- АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ -- СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ -- ВТОРАЯ ГАРМОНИКА -- ПЬЕЗООТКЛИК
Аннотация: Представлены результаты исследования локальных областей перовскита, сформированного в пленке ЦТС при лазерном отжиге. Особенностью методики является, во-первых, использование фемтосекундных лазерных импульсов, обеспечивающих неинвазивность необлученных областей, а во-вторых, использование длины волны из области прозрачности пленки, не попадающей в область поглощения металлического подслоя

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 44


    Белянин, А. Ф.
    Влияние термообработки углеродных пленок на характеристики автоэмиссионных катодов на их основе / А. Ф. Белянин, М. И. Самойлович, В. В. Борисов // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 20-27 : рис., граф. - Библиогр.: с. 27 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
УГЛЕРОДНЫЕ ПЛЕНКИ -- АВТОЭМИССИОННЫЕ КАТОДЫ -- СПЕКТРОСКОПИЯ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА
Аннотация: Рассмотрены особенности формирования углеродных пленок методом тлеющего разряда. Изучены состав и строение углеродных пленок с использованием электронной микроскопии, спектроскопии ИК и комбинационного рассеяния света и рентгеновской дифрактометрии. Изучено влияние термообработки на строение углеродных пленок и вольт-амперные характеристики автоэмиссионных катодов на их основе

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Л 59


   
    Линейный электрооптический эффект в пленках BST: расчет коэффицента Керра / К. А. Брехов, С. Д. Лавров, М. С. Афанасьев, Н. Э. Шерстюк, Е. Д. Мишина, А. В. Кимель // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 4. - С. 12-14. - Библиогр.: с. 14 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЕГНЕТОЭЛЕКТРОНИКА -- ТИТАНАТ БАРИЯ-СТРОНЦИЯ (БСТ) -- ПЛАНАРНАЯ ГЕОМЕТРИЯ -- ПОЛЯРИЗАЦИЯ -- ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЙ КОЭФФИЦЕНТ КЕРРА
Аннотация: Проведены экспериментальные исследования методом конфокальной микроскопии пространственного распределения угла поворота плоскости поляризации падающего излучения в межэлектродном пространстве в пленке титаната бария-стронция толщиной 1 мкм. Образец изготовлен методом высокочастотного осаждения при распылении керамических мишеней. Электрическое поле прикладывалось в плоскости пленки с помощью планарных хромовых электродов с зазором 35 мкм. Показано, что в исследуемой структуре присутствует значительное изменение угла поворота плоскости поляризации падающего излучения в зависимости от локальной области пленки

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование многофазных углеродных пленок автоэмиссионных катодов методами электронной микроскопии, комбинационного рассеяния света и рентгеновской дифрактометрии / А. Ф. Белянин, М. И. Самойлович, В. В. Борисов, С. А. Евлашин // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 2. - С. 20-25. - Библиогр.: с. 25 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
УГЛЕРОДНЫЕ ПЛЕНКИ -- АВТОЭМИССИОННЫЕ КАТОДЫ -- ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ -- СПЕКТРОСКОПИЯ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА -- РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ
Аннотация: Рассмотрены условия формирования многофазных углеродных пленок методом тлеющего разряда. Изучены состав и строение пленок углеродных материалов методами электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния света и рентгеновской дифрактометрии. Измерены вольт-амперные характеристики автоэмиссионных катодов на основе многофазных углеродных пленок

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 41


    Побойкина, Н. В.
    Использование алмаза в качестве теплоотводяшего элемента: методы и устройства вырашивания алмазных пленок и пластин / Побойкина // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 3. - С. 23-27. - Библиогр.: с. 27 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ АЛМАЗНЫЕ ПЛЕНКИ -- CVD-МЕТОД -- ПЛАСТИНЫ
Аннотация: Приводится краткий обзор организаций, занимающихся в России выращиванием поликристаллических алмазных пленок. Рассмотрены наиболее распространенные в мире конструкции СВЧ плазменных технологических установок

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 94


   
    Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN / С. А. Зайцев, О. М. Орлов, Е. С. Горнев, К. В. Егоров, Р. В. Киртаев, А. М. Маркеев, А. В. Заблоцкий // Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15. - Библиогр.: с. 15 (15 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ -- ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ -- ОКСИД ГАФНИЯ
Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах.

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 18


    Танцерев, А. А.
    Изучение процесса включения металлов в поверхностный слой оксидной пленки при электрохимическом воздействии на алюминий / А. А. Танцерев, О. В. Рябова, А. И. Финаенов // Нанотехнологии. Наука и производство. - 2014. - № 3 (30). - С. 74-77 . - ISSN 2306-0581
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ОКСИДНАЯ ПЛЕНКА -- АЛЮМИНИЙ

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 73


   
    Многокомпонентные наноструктурированные пленки (SnO2) x (ZnO)1 - x (x = 0,5...1) для газовой сенсорики и прозрачной электроники / С. И. Рембеза, Н. Н. Кошелева, Е. С. Рембеза, Т. В. Свистова, Е. Ю. Плотникова, Б. Л. Агапов, М. В. Гречкина // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 32-36 : табл., граф. - Библиогр.: с. 36 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ ПЛЕНКИ -- ЭЛЕМЕНТНЫЙ СОСТАВ -- МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ -- ПРОЗРАЧНОСТЬ -- ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ГАЗОВАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ
Аннотация: Тонкие пленки (SnO 2) x(ZnO) 1 - х, х = 0,5...1, были получены ионно-лучевым распылением на переменном токе керамических мишеней из чистых порошков SnO 2 (99,97) и ZnO (99,97). Изготовлены пленки SnO 2 с содержанием примеси Zn от 0,2 до 14 % ат. После отжига изучена морфология поверхности пленок, оценен размер зерна поликристаллов, измерена прозрачность и определена ширина запрещенной зоны в зависимости от состава пленок. Определены электрические параметры и состав пленок, пригодных для применения в газовой сенсорике и прозрачной электронике.

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Л 27


    Латохин, Д. В.
    Оценка параметров барьеров в нанокристаллических полупроводниковых пленках / Д. В. Латохин, А. В. Коновалов, Э. Н. Воронков // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 8-11 : рис., табл. - Библиогр.: с. 11 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ -- ПЛЕНКИ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ
Аннотация: Сообщается о методике, с помощью которой на основе температурных зависимостей электропроводности и барьерной модели нанокристаллической полупроводниковой пленки можно выполнить оценку высоты барьеров, их концентрации и размеров кристаллитов. Применение предложенной методики расчетов к нанокристаллическим пленкам Si:H дало удовлетворительные результаты

Найти похожие

11.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 37


    Симонов, В. Н.
    Метод контроля параметров наноразмерных пленок на основе мультирезонансных кварцекристаллических микрои нановесов / В. Н. Симонов, О. К. Красильникова, Н. Л. Матисон // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 64-70 : рис. - Библиогр.: с. 70 (8 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ НАНОРАЗМЕРНЫЕ -- НАНОВЕСЫ (QCN) -- МИКРОВЕСЫ КВАРЦЕКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ (QCM) -- РЕЗОНАТОРЫ КВАРЦЕВЫЕ -- ПЛЕНКИ ХИТОЗАНА -- ТЕМПЕРАТУРА -- РЕЗОНАТОР
Аннотация: Рассмотрены возможности метода исследования тонких пленок с использованием кварцекристаллических микровесов (QCM) и нановесов (QCN) на основе нескольких резонансов нескольких кварцевых резонаторов. Система из трех кварцевых резонаторов использовалась для измерения различных физико-химических и механических свойств пленок хитозана толщиной от 50 до 200 нм. Измерены изотермы адсорбции паров воды пленками хитозана в диапазонах влажности от 0 до 99 % и диапазоне температур 20–70 °C, механические напряжения в высыхающей пленке, плотность хитозана, модуль Юнга и его поведение в диапазоне температур

Найти похожие

12.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 96


    Ичкитидзе, Л. П.
    Сверхпроводниковый пленочный трансформатор магнитного потока с наноразмерными ветвями для датчика магнитного поля / Л. П. Ичкитидзе // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 27-29 : табл., схема. - Библиогр.: с. 29 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛЕ МАГНИТНОЕ -- ТРАНСФОРМАТОР МАГНИТНОГО ПОТОКА -- ТРАНСФОРМАТОР ПЛЕНОЧНЫЙ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ -- МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ЭЛЕМЕНТ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ -- НАНОСТРУКТУРИРОВАНИЕ
Аннотация: Рассматривается сверхпроводниковый пленочный трансформатор магнитного потока в форме кольца с суженной активной полосой, перекрывающей пленочный магниточувствительный элемент с гигантским магнитосопротивлением, отделенный с помощью изолирующей пленки. Показано, что микро- и наноструктурирование активной полосы в виде фрагментирования последней на параллельные сверхпроводящие ветви и прорези, имеющие микро- и нанометровые размеры, увеличивает в несколько раз фактор умножения трансформатора, т. е. концентрацию внешнего магнитного поля на магниточувствительном элементе, и, тем самым, повышает эффективность трансформатора и датчика магнитного поля <=10 пТл)

Найти похожие

13.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 17


   
    Разработка технологии получения газочувствительного материала на основе пан с применением квантово-химических расчетов и метода Монте-Карло / М. М. Фалчари, Т. В. Семенистая, Н. К. Плуготоренко, П. Лу // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 34-40 : рис., табл. - Библиогр.: с. 40 (31 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИК -- РАСЧЕТЫ КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИЕ -- МЕТОД МОНТЕ-КАРЛО -- МАТЕРИАЛ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭНТРОПИЧЕСКОЕ -- ПЛЕНКИ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИЕ
Аннотация: Проведен расчет димера, тримера и тетрамера молекулы полиакрилонитрила (ПАН) с использованием квантово-химического метода. Проведено моделирование образования молекул ПАН методами Ванга—Ландау и энтропического моделирования Монте-Карло на основе модели с фиксированным валентным углом. Разработана технология получения газочувствительного материала на основе ПАН и Ag-содержащего ПАН. Получены электропроводящие пленки ПАН и Ag-содержащего ПАН методом пиролиза под действием некогерентного ИК излучения

Найти похожие

14.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 51


    Смолин, В. К.
    Применение пленок бинарных соединений металлов подгруппы титана в конструкциях резистивных элементов памяти / В. К. Смолин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 10-16 : рис. - Библиогр.: с. 16 (98 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОДГРУППА ТИТАНА -- МЕМРИСТОРЫ -- ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ РЕЗИСТИВНЫЕ -- ПЛЕНКИ БИНАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ МЕТАЛЛОВ -- RERAM -- НИТРИД ТИТАНА
Аннотация: Дан обзор физико-технологических проблем проектирования элементов резистивной энергонезависимой памяти (ReRAM) с использованием бинарных соединений подгруппы титана. Большинство из приведенных результатов исследований имеет прикладной характер и предназначено для использования в промышленном производстве. Для оптимизации конструктивно-технологических решений мемристоров следует акцентировать внимание на решении проблем, связанных с построением модели фазового перехода металл—изолятор

Найти похожие

15.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 94


   
    Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения / А. С. Батурин, К. В. Булах, И. П. Григал, К. В. Егоров, А. В. Заблоцкий, А. М. Маркеев, Ю. Ю. Лебединский, Е. С. Горнев, О. М. Орлов, А. А. Чуприк // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18 : рис. - Библиогр.: с. 18 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ -- ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- ПЛЕНКИ ОКСИДНЫЕ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- МЕТОДИКА РЕНТГЕНО-ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения

Найти похожие

16.
Инвентарный номер: нет.
   
   Л 27


    Латохин, Д. В.
    Численное моделирование микроплазменного пробоя в полупроводниковых структурах / Д. В. Латохин, Э. Н. Воронков // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 26-29 : рис. - Библиогр.: с. 29 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЧИСЛЕННОЕ -- СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- МИКРОПЛАЗМА -- ПРОБОЙ -- ПРОВОДНИКИ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ПЛЕНКИ АМОРФНЫЕ
Аннотация: Сообщается о численном моделировании микроплазм в неупорядоченных полупроводниковых структурах при условиях, аналогичных условиям возникновения микроплазменного пробоя в пленках As 2 Se 3 — одного из широкозонных халькогенидных стеклообразных полупроводников. Предложена модель, позволяющая описать процесс микроплазменного пробоя в аморфных пленках

Найти похожие

17.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 58


   
    Влияние контаминации в низковольтном растровом электронном микроскопе на профиль рельефных элементов нанометрового диапазона / В. П. Гавриленко, А. Ю. Кузин, В. Б. Митюхляев, А. В. Раков, П. А. Тодуа, М. Н. Филиппов, В. А. Шаронов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 2-5 : рис. - Библиогр.: с. 5 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДОЗА ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ -- ЭЛЕМЕНТЫ РЕЛЬЕФНЫЕ -- КОНТАМИНАЦИЯ -- МИКРОСКОП НИЗКОВОЛЬТНЫЙ РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ
Аннотация: Представлены результаты исследований влияния контаминации в РЭМ S-4800 при энергии электронов 1 кэВ на профиль рельефных элементов меры МШПС-2.0К. Показано, что в результате электронного облучения увеличивается ширина нижнего основания рельефных элементов и получены зависимости ширины нижнего основания от дозы электронного облучения при разных режимах облучения. Приведены результаты влияния режима облучения на толщину контаминационной пленки

Найти похожие

18.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 27


   
    Переключение диэлектрической поляризации в сегнетоэлектрических мультислойных планарных структурах BST/NBFO / К. А. Брехов, А. В. Кудрявцев, Н. А. Ильин, Н. Э. Шерстюк, Е. Д. Мишина // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 36-39 : рис. - Библиогр.: с. 39 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛЯРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ -- СТРУКТУРЫ МУЛЬТИСЛОЙНЫЕ -- ВОЛНА ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ -- НАПРЯЖЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ
Аннотация: Проведены экспериментальные исследования методом генерации второй оптической гармоники процессов переключения сегнетоэлектрической поляризации в мультислойных структурах (титанат бария стронция)/(феррит висмута, допированный неодимом) с различным числом и толщиной слоев. Электрическое поле прикладывалось в плоскости пленки с помощью планарных электродов. Показано, что в исследуемых структурах присутствует значительная часть непереключаемой поляризации, что объясняется наличием напряжений растяжения/сжатия на границе раздела слоев. Проведены исследования параметров переключения структур в зависимости от длины волны лазерного излучения

Найти похожие

19.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 55


    Вишневский, А. С.
    Исследование влияния структуры нижнего электрода на свойства пленок ЦТС, сформированных методом химического осаждения из растворов / А. С. Вишневский, К. А. Воротилов, О. М. Жигалина, А. Н. Ланцев, Ю. В Подгорный, Д. С. Серегин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 15-20 : рис., табл. - Библиогр.: с. 20 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОДЛОЖКИ КРЕМНИЕВЫЕ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ЦТС -- ПРОЦЕСС ТЕРМООБРАБОТКИ -- ПЛЕНКИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- СТЕКЛО ФОСФОРОСИЛИКАТНОЕ
Аннотация: Проведены исследования тонких золь-гель-пленок цирконата-титаната свинца PbZr 0,48Ti 0,52O 3 (ЦТС), сформированных на кремниевых подложках с различными вариантами многослойной структуры Pt /Тi (ТiO 2)/SiO2(ФСС)/Si формирующей нижний электрод сегнетоэлектрического конденсатора. Изучены диффузионные процессы, протекающие в данных гетероструктурах в процессе термообработки, а также роль толщины платины и вспомогательных слоев в формировании кристаллической структуры ЦТС. Установлено, что при кристаллизации ЦТС происходит взаимная диффузия слоев нижнего электрода: нижняя граница Pt размывается, слой Ti (TiO 2) становится толще, Ti диффундирует в Pt и в SiO 2 (ФСС). Использование слоя фосфоросиликатного стекла (ФСС) способствует формированию в пленках ЦТС преимущественной ориентации (100), что ухудшает их поляризационные свойства и ведет к снижению остаточной поляризации до ~10 мкКл/см 2. Нанесение слоя плазмохимического SiO 2 на слой ФСС позволяет стабилизировать границу раздела и улучшить электрические характеристики гетероструктур

Найти похожие

20.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование чувствительности к этанолу переходов Zno—ZnO:Fe на основе тонких наноструктурированных пленок, полученных с помощью золь-гель-технологии / И. А. Пронин, И. А. Аверин, Д. Ц. Димитров, Л. К. Крастева, К. И. Паназова, А. С. Чаначев // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3 : рис. - Библиогр.: с. 10 (22 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ ТОНКИЕ ZNO -- СЕНСОР ГАЗОВЫЙ -- ZNO ДОПИРОВАННЫЙ FE -- ЗОЛЬ-ГЕЛЬ-ТЕХНОЛОГИЯ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ТЕМПЕРАТУРА
Аннотация: Исследуется чувствительность к этанолу гомопереходов на основе наноструктуруированнык слоев ZnO— ZnO:Fe, полученных с помощью золь-гель-технологии. В качестве отклика измерялась термоЭДС виртуальной термопары, горячий конец которой представляет собой контакт на слое ZnO вблизи интерфейса ZnO/ZnO:Fe, а холодный — контакт на поверхности ZnO:Fe. Выяснено, что максимальной чувствительностью обладают образцы, верхний слой которых сформирован двумя и тремя погружениями в золь. Тенденция температурной зависимости отклика существенно зависит от толщины верхнего слоя

Найти похожие

 1-20    21-40   41-60   61-80   81-100   101-120      
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика