Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Главная

Новые поступления

Описание

Базы данных

Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и продолжающихся изданий

Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН

Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )

Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)

Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)

Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН

Публикации об УрО РАН

Изобретения уральских ученых

Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)

Нанотехнологии

Демидовские премии

Гибель династии Романовых

История Урала

Личная библиотека С. В. Вонсовского

Книжная коллекция Шубиных

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН

Труды Института истории и археологии УрО РАН

Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН

Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН

Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН

Расплавы

Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН

Публикации Черешнева В.А.

Публикации Чарушина В.Н.

Каталог библиотеки ИГД УрО РАН

Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН

Электронная энциклопедия «Дискурсология»

Библиометрия

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и продолжающихся изданий (121)

Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (77)

Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)

Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (22)

Публикации об УрО РАН (3)

Изобретения уральских ученых (5)

Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (49)

Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (15)

Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (108)

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (119)

Расплавы (24)

Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ПЛЕНКИ<.>)

Общее количество найденных документов : 137
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Инвентарный номер: нет.

   Э 94


    Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN / С. А. Зайцев, О. М. Орлов, Е. С. Горнев, К. В. Егоров, Р. В. Киртаев, А. М. Маркеев, А. В. Заблоцкий // Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15. - Библиогр.: с. 15 (15 назв.)

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ -- ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ -- ОКСИД ГАФНИЯ
Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах.

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Э 94


    Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения / А. С. Батурин, К. В. Булах, И. П. Григал, К. В. Егоров, А. В. Заблоцкий, А. М. Маркеев, Ю. Ю. Лебединский, Е. С. Горнев, О. М. Орлов, А. А. Чуприк // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18 : рис. - Библиогр.: с. 18 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ -- ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- ПЛЕНКИ ОКСИДНЫЕ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- МЕТОДИКА РЕНТГЕНО-ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Э 47


    Эллипсометрическая характеризация структур Si-SiO2 / В. П. Гавриленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 42-45 : рис., табл. - Библиогр. : с. 45 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛИПСОМЕТРИЯ -- ПОГРЕШНОСТЬ ИЗМЕРЕНИЙ -- СЛОЙ ПЕРЕХОДНОЙ В СИСТЕМЕ "ПЛЕНКА - ПОДЛОЖКА"
Аннотация: Рассмотрены диагностические возможности метода эллипсометрии в применении к системе, представляющей собой пленку оксида кремния на кремнии, широко используемой в наноэлектронике. Для конкретных образцов, содержащих пленку оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, определены с высокой точностью все основные параметры пленки и подложки: толщина пленки, показатели преломления пленки и подложки, коэффициент поглощения подложки. Экспериментально показано, что с помощью метода эллипсометрии можно контролировать наличие (или отсутствие) дополнительного переходного слоя между пленкой и подложкой

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Е 28

    Еганова, Е. М.
    Электропроводность стеклообразных пленок As2Se3 / Е. М. Еганова // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 23-25 : рис. - Библиогр. : с. 25 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ As2Se3 -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- МИКРОПЛАЗМА
Аннотация: Представлены результаты наблюдения микроплазм в пленках As2Se3, одного из широкозонных халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП), и исследования их свойств. Некоторые свойства микроплазм в аморфных пленках аналогичны свойствам микроплазм в p-n-переходах, однако имеются и отличия, которые не наблюдались в кристаллических материалах

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Ш 75

    Шмырева, А. Н.
    Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия / А. Н. Шмырева, А. В. Борисов, Н. В. Максимчук // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 99-104 : рис., табл. - Библиогр. : с.104 (24 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЕНСЕРЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРНЫЕ -- МЕТОД РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Аннотация: Изучено влияние технологических параметров получения наноструктурных пленок СеОх на электронные, структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики с целью их применения в качестве активного элемента различных микроэлектронных сенсоров: высокоэффективных фоторезисторов и МДП-фотодиодов для регистрации биолюминесценции, ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) и МДП-варакторов, реагирующих на изменение рН в результате биохимических процессов. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии РФЭС показал, что в зависимости от технологических режимов, прежде всего от температуры подложки, изменяется соотношение концентраций ионов Се3+ и Се4+ в пленках СеОх, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны. Установлена корреляция этих изменений с оптическими и фотоэлектрическими характеристиками. На основе разработанных высокочувствительных фотоприемников и живых организмов (дафнии и биолюминесцентные бактерии) создан портативный электронный биолюменометрический комплекс для определения общей токсичности среды, вызванной патулином, бифентрином и хлорпирофосом. Минимальный порог чувствительности составил для патулина 0.1 мг/л за 2 ч и 0.01 мг/л за 6 и 24 ч эксперимента, бифентрина - 0.01 мг/л за 3 ч и 0.0001 мг/л за 24 ч эксперимента. Показано, что применение нанокристаллических пленок оксида церия СеОх в качестве диэлектрика МДП-структур повышает чувствительность и стабильность сенсоров этого типа благодаря высокой плотности поверхностных чувствительных центров CeOх (до 1020 м-2), большому значению диэлектрической проницаемости (? = 26) и ширине запрещенной зоны (3.6 эВ), низким значениям токов утечек. Приведены результаты применения ИСПТ и МДП-варакторов с нанокристаллической пленкой CeOх для создания иммунных и ферментных биосенсоров. Порог чувствительности ферментного сенсора на основе холинэстеразы к фосфорорганическим пестицидам составляет 10-9 М, ионам тяжелых металлов - 10-7 М. рН-чувствительность ИСПТ - 58 мВ/рН, что близко к максимально возможной чувствительности для структуры полупроводник-диэлектрик-раствор, т.н. Нернстовской чувствительности - 59 мВ/рН

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Э 45


    Электрические и фотовольтаические свойства наноструктурированных серебро-палладиевых резистивных пленок / Г. М. Михеев, Р. Г. Зонов, А. С. Саушин, Г. А. Дорофеев // Нанотехника. - 2012. - № 4. - С. 28-32 : рис., табл. - Библиогр.: с. 32 (17 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ СЕРЕБРО-ПАЛЛАДИЕВЫЕ -- ТЕМПЕРАТУРА ВЖИГАНИЯ -- ПРОВОДИМОСТЬ -- МАТЕРИАЛ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЙ ПОРИСТЫЙ -- СИГНАЛ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ -- ПЛЕНКИ РЕЗИСТИВНЫЕ -- СВОЙСТВА ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ
Аннотация: Представлены результаты исследований морфологии, фазового состава, электрических и фотовольтаических свойств наноструктурированных серебро-палладиевых пленок, изготовленных из резистивных паст ЛПР-5 Ом и ЛПР-50 Ом при трех различных температурах вжигания 878, 1013 и 1113 K по толстопленочной технологии. Показано, что изготовленные пленки представляют собой наноструктурированный пористый материал и состоят из AgPd, PdO, Ag 3O и Ag 2O, весовые соотношения которых существенно зависят от температуры вжигания. Установлено, что пленки, изготовленные из паст ЛПР-5 Ом и ЛПР-50 Ом, обладают проводимостью n- и p-типа соответственно, и имеют существенно различающиеся значения концентрации носителей заряда, их подвижности, а также удельного сопротивления. Наибольший коэффициент преобразования лазерной мощности в амплитуду фотовольтаического сигнала наблюдается для пленок, изготовленных из резистивной пасты ЛПР-50 Ом при температуре вжигания 878 K

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Т 70

    Троицкий, А. А.
    Электрические и оптические свойства углеродных пленок, осаждаемых электроннолучевым методом / А. А. Троицкий, В. М. Березин, В. С. Лукашев // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 15-19. - Библиогр.: с. 19 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

539.234

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГРАФЕН -- УГЛЕРОД -- ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЕ РАСПЫЛЕНИЕ -- УГЛЕРОДНЫЕ ПЛЕНКИ -- ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ПРОЗРАЧНОСТЬ
Аннотация: Методом распыления электронным лучом в вакууме были получены тонкие углеродные пленки (толщиной до 30 нм) на нагретой стеклянной подложке. Было измерено удельное поверхностное сопротивление пленок и их коэффициент пропускания (при l= 560 нм), найдены зависимости от толщины пленки. Проведен анализ результатов и сравнение с другими работами

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Э 41


    Экспериментальное исследование поверхностных свойств металлодиэлектрических наноструктур на основе опалов / Н. О. Алексеева, В. Л. Вейсман, А. Е. Лукин, С. В. Панькова, В. Г. Соловьев, М. В. Яников // Нанотехника. - 2012. - № 3. - С. 23-26 : рис. - Библиогр.: с. 26 (5 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ОПАЛЫ -- МИКРОСКОПИЯ СКАНИРУЮЩАЯ ЗОНДОВАЯ (СЗМ) -- СПЕКТРОСКОПИЯ БРЭГГОВСКОГО ОТРАЖЕНИЯ -- ПЛЕНКИ ПРОФИЛИРОВАННЫЕ ТОНКИЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ
Аннотация: Методами сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) и спектроскопии брэгговского отражения исследованы образцы синтетических опалов, на поверхность которых наносились в вакууме тонкие слои металлов. Значения диаметров сфер образцов опалов, полученные как на основе СЗМ-изображений их металлизированной и не покрытой металлом поверхности, так и расчетным путем из спектров брэгговского отражения, соответствовали друг другу в пределах ошибок измерения. Таким образом, наружная поверхность тонкого слоя металла, покрывающего образец опала, сохраняет форму и пространственную периодичность, характерную для границы раздела между опалом и слоем металла

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Л 27

    Латохин, Д. В.
    Численное моделирование микроплазменного пробоя в полупроводниковых структурах / Д. В. Латохин, Э. Н. Воронков // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 26-29 : рис. - Библиогр.: с. 29 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЧИСЛЕННОЕ -- СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- МИКРОПЛАЗМА -- ПРОБОЙ -- ПРОВОДНИКИ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ПЛЕНКИ АМОРФНЫЕ
Аннотация: Сообщается о численном моделировании микроплазм в неупорядоченных полупроводниковых структурах при условиях, аналогичных условиям возникновения микроплазменного пробоя в пленках As 2 Se 3 — одного из широкозонных халькогенидных стеклообразных полупроводников. Предложена модель, позволяющая описать процесс микроплазменного пробоя в аморфных пленках

Найти похожие

10.

Инвентарный номер: нет.

   Х 46


    Химическое паттернирование пленок Ленгмюра-Блоджетт методом мягкой гелевой литографии / А. А. Еленский [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 5-6. - С. 66-71 : рис. - Библиогр. : с. 71 (29 назв.) . - ISSN 1195-078

ББК 623.7
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ ЛЕНГМЮР-БЛОДЖЕТТ -- ПАТТЕРНИРОВАНИЕ -- ЛИТОГРАФИЯ

Найти похожие

11.

Инвентарный номер: нет.

   Х 20


    Характеристики нанотолщинного композита на гибкой подложке при деформациях изгиба / Д. А. Мудрецов, А. А. Жуков , Е. С. Кузьменко, И. Н. Компанец // Нанотехника. - 2010. - № 2 . - С. 72-77 : табл., рис. - Библиогр. : с. 77 (4 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КОМПОЗИТ НАНОТОЛЩИННЫЙ -- ПОДЛОЖКИ ГИБКИЕ ИЗ PES и PETF -- ПЛЕНКА ПОЛИМЕРНАЯ PMDA-ODA -- МИКРОШЕРОХОВАТОСТЬ
Аннотация: Исследованы до и после деформации на изгиб характеристики изготовленного на гибких подложках из PES и PETF нанотолщинного композитного покрытия из слоев прозрачного проводящего ITO и полимерной пленки PMDA-ODA. Показано, что минимальный радиус, еще не приводящий к разрушениям композиционного покрытия, при деформации сжатия (на внутренней стороне изгиба) на 14% меньше, чем при деформации растяжения (на внешней стороне изгиба). Микрошероховатость, вызываемая деформацией сжатия, больше при деформации растяжения на 80%. Образец на основе PETF с изотропным ориентантом показал на 1 мм меньший предельный радиус кривизны, чем образец на основе PES. При нанесении анизотропного ориентанта удельное поверхностное сопротивление слоя ITO возрастало приблизительно на 70%

Найти похожие

12.

Инвентарный номер: нет.

   Ф 94


    Функциональные микро- и наноструктурированные слои на основе оксида вольфрама для высокотемпературных детекторов водорода на платформе Pt-оксид металла-SiC / В. Ю. Фоминский, Р. И. Романов, В. В. Зуев, А. Г. Гнедовец, М. И. Алымов // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 59-64 : рис. - Библиогр.: с. 64 (11 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХАРАКТЕРИСТИКИ ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ -- СЛОИ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ -- ОКСИД ВОЛЬФРАМА -- МИКРОСКОПИЯ СКАНИРУЮЩАЯ АТОМНОСИЛОВАЯ -- ПЛЕНКИ МЕТАЛЛООКСИДНЫЕ -- СВОЙСТВА ГАЗОСЕНСОРНЫЕ -- ТОКОПРОХОЖДЕНИЕ
Аннотация: Исследованы особенности формирования структуры и химического состава тонких пленок оксида вольфрама при варьировании условий импульсного лазерного осаждения на подложки из монокристаллического карбида кремния и последующего отжига. Для получения легированных пленок на основе оксида вольфрама при осаждении лазерного факела из вольфрамовой мишени проводилось дополнительное осаждение атомов Pt, Ti, Ta. В ряде случаев после формирования оксидного слоя наносилась тонкая пленка каталитически активного металла - платины. Структурное состояние полученных пленок исследовалось методами рентгеновской дифракции, электронной и атомносиловой сканирующей микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния. Газосенсорные свойства структур Pt-оксид-SiC исследовались путем измерения вольт-амперных характеристик при 300 °C на воздухе и в смеси воздуха с водородом (2 об. %). Установлено, что полученные металлооксидные пленки существенно различались морфологией и структурой на микро- и наноуровнях. Это оказывало существенное влияние на величину отклика на водород и на механизмы, определяющие газосенсорные свойства: токопрохождение в оксиде и величину потенциальных барьеров на границах раздела тонкопленочной структуры

Найти похожие

13.

Инвентарный номер: 220190 - кх.
   541.1
   Ф 94


    Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники [] : монография / РАН, СО, Ин-т неорганической химии им. А. В. Николаева [и др.] ; отв. ред. Т. П. Смирнова. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2013. - 175 с. - (Интеграционные проекты СО РАН ; вып. 37). - Загл. на доп.тит.листе : Fundamental bases of chemical vapour deposition procesess of films and structures for nanoelectronics. - Библиогр.: с. 156-171. - ISBN 978-5-7692-0669-6 : 830.00 р.

ГРНТИ

31.15.19

ББК 541.171
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА

Оглавление
Найти похожие

14.

Инвентарный номер: нет.

   Ф 81


    Фотофизические свойства гибридных комплексов из квантовых точек и реакционных центров пурпурных фотосинтетических бактерий Rhodobacter sphaeroides, адсорбированных на кристаллических мезопористых пленках Ti0 2 / Е. Г. Максимов, Е. П. Лукашев, Н. Х. Сейфуллина, Г. В. Низова, В. З. Пащенко // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 7-8. - С. 11-17 : рис., табл. - Библиогр.: с. 17 (26 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭНЕРГИЯ -- ТОЧКИ КВАНТОВЫЕ -- ПЛЕНКИ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ МЕЗОПОРИСТЫЕ -- БАКТЕРИИ ФОТОСИНТЕТИЧЕСКИЕ RHODOBACTER SPHAEROIDES -- ПОТЕНЦИАЛ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ -- БАКТЕРИИ ПУРПУРНЫЕ
Аннотация: Получены комплексы из CdSe/ZnS и CdTe квантовых точек (КТ) с белками реакционных центров (PЦ) пурпурных бактерий Rhodobocter sphaerodies, в которых наблюдался высокоэффективный перенос энергии от КТ (донор энергии электронного возбуждения) к РЦ (акцептор) как в растворе, так и адсорбированных на плёнках кристаллического мезопористого диоксида титана. Создание таких гибридных структур позволяет многократно увеличить поглощающую способность PЦ и, соответственно, повысить КПД преобразования энергии света в электрический потенциал. Подобные гибридные структуры могут быть использованы для создания высокоэффективных солнечных элементов

Найти похожие

15.

Инвентарный номер: нет.

   К 17

    Калинин, Д. В.
    Фотолюминесценция композиционных сенсорных пленок на основе структурированного мезопористого кремнезема и фотонно-кристаллических структур / Д. В. Калинин, В. В. Сердобинцева, А. П. Елисеев // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 1-2 . - С. 117-121 : рис. - Библиогр. : с. 121 (27 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ КОМПОЗИЦИОННЫЕ СЕНСОРНЫЕ -- КРЕМНЕЗЕМ МЕЗОПОРИСТЫЙ -- СТРУКТУРЫ ФОТОННО-КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ
Аннотация: Оптические структурированные композиционные пленки получены на основе фотонно-кристаллических (ФК) матриц с размером монодисперсных сферических частиц кремнезема (МСЧК) от 190 до 245 нм, пропитанных нанозолями частиц кремнезема, модифицированных флуоресцеином. В результате поверхность МСЧК покрывается нанопленками мезопористого кремнезема, обеспечивающего фотолюминесценцию (ФЛ) материала. ФК структура композиционной пленки усиливает интенсивность ФЛ в сравнении с мезопористым эталоном

Найти похожие

16.

Инвентарный номер: нет.

   Ф 79


    Формирование субмикронных структур на поверхности пленок аморфного кремния наносекундным импульсным излучением лазерного генератора линии / В. В. Кушнир, М. В. Рубашкина, А. М. Светличный, О. Б. Спиридонов // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 9-10. - С. 23-28 : рис., табл. - Библиогр.: с. 28 (23 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ -- ГЕНЕРАТОР ЛАЗЕРНЫЙ -- ПЛЕНКИ АМОРФНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ -- МОЩНОСТЬ ИЗЛУЧЕНИЯ
Аннотация: Впервые представлены результаты экспериментального исследования влияния обработки лазерным лучом в форме узкой линии на формирование наноструктур на поверхности аморфных кремниевых пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку. Обработка проводилась на длине волны 532 нм при постоянной скорости сканирования и различных значениях мощности излучения. Экспериментально определены режимы лазерной обработки, при которых на поверхности кремниевой пленки формируется массив субмикронных структур с максимальным аспектным отношением

Найти похожие

17.

Инвентарный номер: нет.

   Ф 34

    Федотов, В. Г.
    Формирование спектров отражения и пропускания света тонкими трехмерными фотонно-кристаллическими пленками в режиме многоволновой дифракции / В. Г. Федотов, А. В. Селькин // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 9-10. - С. 65-70 : рис. - Библиогр.: с. 70 (11 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- РЕЖИМ МНОГОВОЛНОВОЙ ДИФРАКЦИИ -- СПЕКТРЫ ОТРАЖЕНИЯ -- КРИСТАЛЛЫ ФОТОННЫЕ -- РАСЧЕТ СПЕКТРОВ -- ПОЛОСЫ ЭКСТИНКЦИИ
Аннотация: Исследованы спектры отражения и пропускания света тонкими пленками трехмерных опалоподобных фотонных кристаллов. С использованием аналитической теории динамической дифракции света, обобщенной на случай пространственно-периодической среды с высоким диэлектрическим контрастом, выполнен численный расчет спектров. Рассмотрены кинематические условия дифракции света на системе латеральных (111) и наклонных (11-1) кристаллических плоскостей с учетом границ раздела пленки. Установлено, что дифракция на наклонных плоскостях формирует дополнительные полосы экстинкции, не совпадающие по спектральному положению с пиками брэгговского отражения для соответствующих наклонных плоскостей

Найти похожие

18.

Инвентарный номер: нет.

   Ф 79


    Формирование пленок диоксида олова с вертикально ориентированными нанопорами / В. В. Симаков [и др.] // Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 45-46 : рис. - Библиогр. : с. 46 (назв. 5) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОКСИД ОЛОВА -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- СЛОИ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ
Аннотация: Показана возможность получения методом реактивного высокочастотного магнетронного распыления покрытий из оксида олова, перспективных для широкого применения. Слои наноструктурированы, насыщены открытыми порами, ориентированными перпендикулярно подложке. Предложен механизм формирования покрытий, при котором размеры зерен определяются плотностью зародышеобразования. Показано, что плотностью зародышеобразования кристаллитов можно управлять, меняя рабочее давление в вакуумной камере

Найти похожие

19.

Инвентарный номер: нет.

   Ф 79


    Формирование наноструктурированных пленок и слоистых структур иридия и поликластерного алмаза [Текст] / А. Ф. Белянин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 2. - С. 16-30 : рис. - Библиогр.: с. 30 (27 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АЛМАЗНЫЕ ПЛЕНКИ -- ПЛЕНКИ -- ПЛЕНКИ ИРИДИЯ

Найти похожие

20.

Инвентарный номер: нет.

   А 19

    Аверин, И. А.
    Формирование и исследование пористых оксидных пленок на алюминии / И. А. Аверин, И. А. Губич // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 11-14 : рис. - Библиогр.: с. 14 (назв. 19) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИ -- СКАН -- МОРФОСТРУКТУРА -- АНОДИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ -- МИКРОСКОПИЯ АТОМНОСИЛОВАЯ
Аннотация: Представлены результаты исследования процесса формирования пористого оксида алюминия на объемной и пленочной основах в водном растворе щавелевой кислоты. Выявлены закономерности роста оксидной пленки в условиях изменения плотности тока и напряжения

Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)