Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (121)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (77)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (22)Публикации об УрО РАН (3)Изобретения уральских ученых (5)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (49)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (15)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (108)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (119)Расплавы (24)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПЛЕНКИ<.>)
Общее количество найденных документов : 137
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-60   61-80   81-100   101-120      
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Э 94
Автор(ы) : Зайцев С. А., Орлов О. М., Горнев Е. С., Егоров К. В., Киртаев Р. В., Маркеев А. М., Заблоцкий А. В.
Заглавие : Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15
Примечания : Библиогр.: с. 15 (15 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эффект резистивного переключения--атомно-слоевое осаждение--энергонезависимая память--оксид гафния
Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах.
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 94
Автор(ы) : Батурин А. С., Булах К. В., Григал И. П., Егоров К. В., Заблоцкий А. В., Маркеев А. М., Лебединский Ю. Ю., Горнев Е. С., Орлов О. М., Чуприк А. А.
Заглавие : Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 18 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): метод атомно-слоевого осаждения--эффект резистивного переключения--пленки оксидные--пленки тонкие--методика рентгено-фотоэлектронной спектроскопии
Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 47
Автор(ы) : Гавриленко В. П., Зайцев С. А., Кузин А. Ю., Новиков Ю. А., Раков А. В., Тодуа П. А.
Заглавие : Эллипсометрическая характеризация структур Si-SiO2
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 42-45: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 45 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассмотрены диагностические возможности метода эллипсометрии в применении к системе, представляющей собой пленку оксида кремния на кремнии, широко используемой в наноэлектронике. Для конкретных образцов, содержащих пленку оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, определены с высокой точностью все основные параметры пленки и подложки: толщина пленки, показатели преломления пленки и подложки, коэффициент поглощения подложки. Экспериментально показано, что с помощью метода эллипсометрии можно контролировать наличие (или отсутствие) дополнительного переходного слоя между пленкой и подложкой
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 45
Автор(ы) : Михеев Г. М., Зонов Р. Г., Саушин А. С., Дорофеев Г. А.
Заглавие : Электрические и фотовольтаические свойства наноструктурированных серебро-палладиевых резистивных пленок
Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 4. - С. 28-32: рис., табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 32 (17 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки наноструктурированные серебро-палладиевые --температура вжигания--проводимость--материал наноструктурированный пористый --сигнал фотовольтаический--пленки резистивные--свойства фотовольтаические
Аннотация: Представлены результаты исследований морфологии, фазового состава, электрических и фотовольтаических свойств наноструктурированных серебро-палладиевых пленок, изготовленных из резистивных паст ЛПР-5 Ом и ЛПР-50 Ом при трех различных температурах вжигания 878, 1013 и 1113 K по толстопленочной технологии. Показано, что изготовленные пленки представляют собой наноструктурированный пористый материал и состоят из AgPd, PdO, Ag 3O и Ag 2O, весовые соотношения которых существенно зависят от температуры вжигания. Установлено, что пленки, изготовленные из паст ЛПР-5 Ом и ЛПР-50 Ом, обладают проводимостью n- и p-типа соответственно, и имеют существенно различающиеся значения концентрации носителей заряда, их подвижности, а также удельного сопротивления. Наибольший коэффициент преобразования лазерной мощности в амплитуду фотовольтаического сигнала наблюдается для пленок, изготовленных из резистивной пасты ЛПР-50 Ом при температуре вжигания 878 K
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 41
Автор(ы) : Алексеева Н. О., Вейсман В. Л., Лукин А. Е., Панькова С. В., Соловьев В. Г., Яников М. В.
Заглавие : Экспериментальное исследование поверхностных свойств металлодиэлектрических наноструктур на основе опалов
Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 3. - С. 23-26: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 26 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): опалы--микроскопия сканирующая зондовая (сзм)--спектроскопия брэгговского отражения --пленки профилированные тонкие металлические
Аннотация: Методами сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) и спектроскопии брэгговского отражения исследованы образцы синтетических опалов, на поверхность которых наносились в вакууме тонкие слои металлов. Значения диаметров сфер образцов опалов, полученные как на основе СЗМ-изображений их металлизированной и не покрытой металлом поверхности, так и расчетным путем из спектров брэгговского отражения, соответствовали друг другу в пределах ошибок измерения. Таким образом, наружная поверхность тонкого слоя металла, покрывающего образец опала, сохраняет форму и пространственную периодичность, характерную для границы раздела между опалом и слоем металла
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ш 75
Автор(ы) : Шмырева А. Н., Борисов А. В., Максимчук Н. В.
Заглавие : Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 99-104: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с.104 (24 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сенсеры электронные--пленки наноструктурные--метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Аннотация: Изучено влияние технологических параметров получения наноструктурных пленок СеОх на электронные, структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики с целью их применения в качестве активного элемента различных микроэлектронных сенсоров: высокоэффективных фоторезисторов и МДП-фотодиодов для регистрации биолюминесценции, ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) и МДП-варакторов, реагирующих на изменение рН в результате биохимических процессов. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии РФЭС показал, что в зависимости от технологических режимов, прежде всего от температуры подложки, изменяется соотношение концентраций ионов Се3+ и Се4+ в пленках СеОх, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны. Установлена корреляция этих изменений с оптическими и фотоэлектрическими характеристиками. На основе разработанных высокочувствительных фотоприемников и живых организмов (дафнии и биолюминесцентные бактерии) создан портативный электронный биолюменометрический комплекс для определения общей токсичности среды, вызванной патулином, бифентрином и хлорпирофосом. Минимальный порог чувствительности составил для патулина 0.1 мг/л за 2 ч и 0.01 мг/л за 6 и 24 ч эксперимента, бифентрина - 0.01 мг/л за 3 ч и 0.0001 мг/л за 24 ч эксперимента. Показано, что применение нанокристаллических пленок оксида церия СеОх в качестве диэлектрика МДП-структур повышает чувствительность и стабильность сенсоров этого типа благодаря высокой плотности поверхностных чувствительных центров CeOх (до 1020 м-2), большому значению диэлектрической проницаемости (? = 26) и ширине запрещенной зоны (3.6 эВ), низким значениям токов утечек. Приведены результаты применения ИСПТ и МДП-варакторов с нанокристаллической пленкой CeOх для создания иммунных и ферментных биосенсоров. Порог чувствительности ферментного сенсора на основе холинэстеразы к фосфорорганическим пестицидам составляет 10-9 М, ионам тяжелых металлов - 10-7 М. рН-чувствительность ИСПТ - 58 мВ/рН, что близко к максимально возможной чувствительности для структуры полупроводник-диэлектрик-раствор, т.н. Нернстовской чувствительности - 59 мВ/рН
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ш 29
Автор(ы) : Шауцуков А. Г., Хатукаев Х. М.
Заглавие : Применение процессов ионного легирования в технологии двухпролетных лавинопролетных диодов с плоским и ступенчатым профилем легирования
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 13-16: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 16 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диод двухпролетный лавинопролетный--легирование ионное--метод эпитаксиального наращивания
Аннотация: Рассмотрена возможность получения структур кремниевых двухпролетных лавинопролетных диодов (ЛПД) с использованием процессов эпитаксиального наращивания в реакторе пониженного давления, многократного ионного легирования, имплантации легирующей примеси через пленки и фотонного отжига ионно-легированных слоев. Показано, что разработанная технология может быть использована для организации серийного выпуска ряда перспективных двухпролетных ЛПД миллиметрового диапазона
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ч-81
Автор(ы) : Чубаков В. П., Чубаков П. А., Плеханов А. И.
Заглавие : Датчик влажности на основе фотоннокристаллической пленки опала
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 9-10. - С. 59-61: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 61 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленка опала фонокристаллическая--датчик влажности--растворы солей--область стоп-зоны--чувствительность
Аннотация: Предложен новый датчик влажности на основе фотонно-кристаллической пленки опала. Для обеспечения чувствительности к относительной влажности воздуха на структуру опала нанесены насыщенные водные растворы солей. Достигнуто десятикратное увеличение пропускания пленок в области стоп-зоны при увеличении влажности выше порогового значения. Данный датчик влажности не требует калибровки и имеет высокую временную стабильность
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Х 46
Автор(ы) : Еленский А. А., Турыгин Д. С., Арсланов В. В., Калинина М. А.
Заглавие : Химическое паттернирование пленок Ленгмюра-Блоджетт методом мягкой гелевой литографии
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 5-6. - С. 66-71: рис. - ISSN 1195-078. - ISSN 1195-078
Примечания : Библиогр. : с. 71 (29 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки ленгмюр-блоджетт --паттернирование--литография
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Х 20
Автор(ы) : Мудрецов Д. А., Жуков А. А., Кузьменко Е. С., Компанец И. Н.
Заглавие : Характеристики нанотолщинного композита на гибкой подложке при деформациях изгиба
Место публикации : Нанотехника. - 2010. - № 2 . - С. 72-77: табл., рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 77 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): композит нанотолщинный--подложки гибкие из pes и petf --пленка полимерная pmda-oda--микрошероховатость
Аннотация: Исследованы до и после деформации на изгиб характеристики изготовленного на гибких подложках из PES и PETF нанотолщинного композитного покрытия из слоев прозрачного проводящего ITO и полимерной пленки PMDA-ODA. Показано, что минимальный радиус, еще не приводящий к разрушениям композиционного покрытия, при деформации сжатия (на внутренней стороне изгиба) на 14% меньше, чем при деформации растяжения (на внешней стороне изгиба). Микрошероховатость, вызываемая деформацией сжатия, больше при деформации растяжения на 80%. Образец на основе PETF с изотропным ориентантом показал на 1 мм меньший предельный радиус кривизны, чем образец на основе PES. При нанесении анизотропного ориентанта удельное поверхностное сопротивление слоя ITO возрастало приблизительно на 70%
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 94
Автор(ы) : Фоминский В. Ю., Романов Р. И., Зуев В. В., Гнедовец А. Г., Алымов М. И.
Заглавие : Функциональные микро- и наноструктурированные слои на основе оксида вольфрама для высокотемпературных детекторов водорода на платформе Pt-оксид металла-SiC
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 59-64: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 64 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): характеристики вольтамперные--слои наноструктурированные--оксид вольфрама--микроскопия сканирующая атомносиловая--пленки металлооксидные--свойства газосенсорные--токопрохождение
Аннотация: Исследованы особенности формирования структуры и химического состава тонких пленок оксида вольфрама при варьировании условий импульсного лазерного осаждения на подложки из монокристаллического карбида кремния и последующего отжига. Для получения легированных пленок на основе оксида вольфрама при осаждении лазерного факела из вольфрамовой мишени проводилось дополнительное осаждение атомов Pt, Ti, Ta. В ряде случаев после формирования оксидного слоя наносилась тонкая пленка каталитически активного металла - платины. Структурное состояние полученных пленок исследовалось методами рентгеновской дифракции, электронной и атомносиловой сканирующей микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния. Газосенсорные свойства структур Pt-оксид-SiC исследовались путем измерения вольт-амперных характеристик при 300 °C на воздухе и в смеси воздуха с водородом (2 об. %). Установлено, что полученные металлооксидные пленки существенно различались морфологией и структурой на микро- и наноуровнях. Это оказывало существенное влияние на величину отклика на водород и на механизмы, определяющие газосенсорные свойства: токопрохождение в оксиде и величину потенциальных барьеров на границах раздела тонкопленочной структуры
Найти похожие

12.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 541.1/Ф 94
Заглавие : Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники
Выходные данные : Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2013
Колич.характеристики :175 с
Коллективы : Ин-т неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН
Серия: Интеграционные проекты СО РАН; вып. 37
Разночтения заглавия :Загл. на доп.тит.листе: Fundamental bases of chemical vapour deposition procesess of films and structures for nanoelectronics
Примечания : Библиогр.: с. 156-171
ISBN, Цена 978-5-7692-0669-6: 830.00 р.
ГРНТИ : 31.15.19
ББК : 541.171
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ-- ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
  Оглавление
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 81
Автор(ы) : Максимов Е. Г., Лукашев Е. П., Сейфуллина Н. Х., Низова Г. В., Пащенко В. З.
Заглавие : Фотофизические свойства гибридных комплексов из квантовых точек и реакционных центров пурпурных фотосинтетических бактерий Rhodobacter sphaeroides, адсорбированных на кристаллических мезопористых пленках Ti0 2
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 7-8. - С. 11-17: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 17 (26 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): энергия --точки квантовые--пленки кристаллические мезопористые--бактерии фотосинтетические rhodobacter sphaeroides--потенциал электрический--бактерии пурпурные
Аннотация: Получены комплексы из CdSe/ZnS и CdTe квантовых точек (КТ) с белками реакционных центров (PЦ) пурпурных бактерий Rhodobocter sphaerodies, в которых наблюдался высокоэффективный перенос энергии от КТ (донор энергии электронного возбуждения) к РЦ (акцептор) как в растворе, так и адсорбированных на плёнках кристаллического мезопористого диоксида титана. Создание таких гибридных структур позволяет многократно увеличить поглощающую способность PЦ и, соответственно, повысить КПД преобразования энергии света в электрический потенциал. Подобные гибридные структуры могут быть использованы для создания высокоэффективных солнечных элементов
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 79
Автор(ы) : Кушнир В. В., Рубашкина М. В., Светличный А. М., Спиридонов О. Б.
Заглавие : Формирование субмикронных структур на поверхности пленок аморфного кремния наносекундным импульсным излучением лазерного генератора линии
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 9-10. - С. 23-28: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 28 (23 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктуры--генератор лазерный--пленки аморфные кремниевые--мощность излучения
Аннотация: Впервые представлены результаты экспериментального исследования влияния обработки лазерным лучом в форме узкой линии на формирование наноструктур на поверхности аморфных кремниевых пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку. Обработка проводилась на длине волны 532 нм при постоянной скорости сканирования и различных значениях мощности излучения. Экспериментально определены режимы лазерной обработки, при которых на поверхности кремниевой пленки формируется массив субмикронных структур с максимальным аспектным отношением
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 79
Автор(ы) : Симаков В. В., Синев И. В., Смирнов А. В., Сякина С. Д., Гребенников А. И., Кисин В. В.
Заглавие : Формирование пленок диоксида олова с вертикально ориентированными нанопорами
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 45-46: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 46 (назв. 5)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Показана возможность получения методом реактивного высокочастотного магнетронного распыления покрытий из оксида олова, перспективных для широкого применения. Слои наноструктурированы, насыщены открытыми порами, ориентированными перпендикулярно подложке. Предложен механизм формирования покрытий, при котором размеры зерен определяются плотностью зародышеобразования. Показано, что плотностью зародышеобразования кристаллитов можно управлять, меняя рабочее давление в вакуумной камере
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 79
Автор(ы) : Белянин А. Ф., Самойлович М. И., Дзбановский Н. Н., Пащенко П. В., Тимофеев М. А.
Заглавие : Формирование наноструктурированных пленок и слоистых структур иридия и поликластерного алмаза
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 2. - С. 16-30: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 30 (27 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): алмазные пленки--пленки--пленки иридия
Найти похожие

17.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 541.1/Ф 50
Автор(ы) :
Заглавие : Физикохимия ультрадисперсных систем: сб. науч. трудов V Всерос. конф./ РАН, УрО, Ин-т электрофизики, Моск. гос. инженер.-физ. ин-т ; [отв. ред. В. В. Иванов]. Ч. 2
Выходные данные : Екатеринбург, 2001
Колич.характеристики :249, [1] с.: ил., табл.
Коллективы : Ин-т электрофизики УрО РАН, Моск. гос. инженерно-физический ин-т
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 10.00 р.
ГРНТИ : 31.15.37
ББК : 541.18я431(2) + 669.390.1-1я431(2)
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ-- КОЛЛОИДНАЯ ХИМИЯ
ТЕХНОЛОГИЯ МЕТАЛЛОВ. МАШИНОСТРОЕНИЕ. ПРИБОРОСТРОЕНИЕ-- МЕТАЛЛУРГИЯ
Экземпляры : всего : бр.ф.(1), кх(1), ИМЕТ(1)
Свободны : бр.ф.(1), кх(1), ИМЕТ(1)
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 34
Автор(ы) : Федотов В. Г., Селькин А. В.
Заглавие : Формирование спектров отражения и пропускания света тонкими трехмерными фотонно-кристаллическими пленками в режиме многоволновой дифракции
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 9-10. - С. 65-70: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 70 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки тонкие--режим многоволновой дифракции--спектры отражения--кристаллы фотонные--расчет спектров--полосы экстинкции
Аннотация: Исследованы спектры отражения и пропускания света тонкими пленками трехмерных опалоподобных фотонных кристаллов. С использованием аналитической теории динамической дифракции света, обобщенной на случай пространственно-периодической среды с высоким диэлектрическим контрастом, выполнен численный расчет спектров. Рассмотрены кинематические условия дифракции света на системе латеральных (111) и наклонных (11-1) кристаллических плоскостей с учетом границ раздела пленки. Установлено, что дифракция на наклонных плоскостях формирует дополнительные полосы экстинкции, не совпадающие по спектральному положению с пиками брэгговского отражения для соответствующих наклонных плоскостей
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/У 67
Автор(ы) : Аверин И. А., Карпова С. С., Мошников В. А., Никулин А. С., Печерская Р. М., Пронин И. А.
Заглавие : Управляемый синтез тонких стекловидных пленок
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 23-25. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 25 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки стекловидные--матрицы пористые --метод золь-гель-технология
Аннотация: Представлены качественные и количественные закономерности процессов синтеза тонких пленок методом золь-гель-технологии, установленные на основе теоретических моделей и экспериментов. Показано влияние на морфоструктуру поверхности пленок температуры отжига, видов растворителей, типов подложек. Выработана методика синтеза пленок для чувствительных элементов газовых сенсоров на основе ортокремниевой кислоты
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.234/Т 70
Автор(ы) : Троицкий А. А., Березин В. М., Лукашев В. С.
Заглавие : Электрические и оптические свойства углеродных пленок, осаждаемых электроннолучевым методом
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 15-19. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 19 (11 назв.)
УДК : 539.234
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): графен--углерод--электронно-лучевое распыление--углеродные пленки--тонкие пленки--прозрачность
Аннотация: Методом распыления электронным лучом в вакууме были получены тонкие углеродные пленки (толщиной до 30 нм) на нагретой стеклянной подложке. Было измерено удельное поверхностное сопротивление пленок и их коэффициент пропускания (при l= 560 нм), найдены зависимости от толщины пленки. Проведен анализ результатов и сравнение с другими работами
Найти похожие

 1-20    21-40   41-60   61-80   81-100   101-120      
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика