Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (121)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (77)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (22)Публикации об УрО РАН (3)Изобретения уральских ученых (5)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (49)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (15)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (108)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (119)Расплавы (24)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПЛЕНКИ<.>)
Общее количество найденных документов : 137
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-60   61-80   81-100   101-120      
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539.2/К 32
Автор(ы) : Квеглис, Людмила Иосифовна, Кашкин, Валентин Борисович
Заглавие : Диссипативные структуры в тонких нанокристаллических пленках
Выходные данные : Москва: Инфра-М; Красноярск: СФУ, 2018
Колич.характеристики :202 с.: ил.
Коллективы : Сибирский федеральный университет
Серия: Научная мысль
Примечания : Библиогр.: с. 185-200
ISBN, Цена 978-5-16-013405-5 (Инфра-М): 756.00 р.
ISBN, Цена 978-5-7638-2101-7 (СФУ): Б.ц.
ГРНТИ : 29.19
ББК : 539.2
Предметные рубрики: ФИЗИКА-- КРИСТАЛЛОГРАФИЯ-- ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
  Оглавление
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/П 27
Автор(ы) : Фирсова Н. Ю., Елшин А. С., Марченкова М. А., Болотов А. К., Иванов М. С., Пронин И. П., Сенкевич С. В., Киселев Д. А., Мишина Е. Д.
Заглавие : Переключаемость перовскитных микрообластей пленок ЦТС, локально отожженных фемтосекундным лазером инфракрасного диапазона
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 7. - С. 43-47: граф., рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 46 (6 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): цтс--кристаллизация--фемтосекундный лазерный отжиг--атомно-силовая микроскопия--сегнетоэлектрические пленки-- вторая гармоника--пьезоотклик
Аннотация: Представлены результаты исследования локальных областей перовскита, сформированного в пленке ЦТС при лазерном отжиге. Особенностью методики является, во-первых, использование фемтосекундных лазерных импульсов, обеспечивающих неинвазивность необлученных областей, а во-вторых, использование длины волны из области прозрачности пленки, не попадающей в область поглощения металлического подслоя
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.9/Б 44
Автор(ы) : Белянин А. Ф., Самойлович М. И., Борисов В. В.
Заглавие : Влияние термообработки углеродных пленок на характеристики автоэмиссионных катодов на их основе
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 20-27: рис., граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 27 (19 назв.)
УДК : 537.9
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): углеродные пленки--автоэмиссионные катоды--спектроскопия комбинационного рассеяния света
Аннотация: Рассмотрены особенности формирования углеродных пленок методом тлеющего разряда. Изучены состав и строение углеродных пленок с использованием электронной микроскопии, спектроскопии ИК и комбинационного рассеяния света и рентгеновской дифрактометрии. Изучено влияние термообработки на строение углеродных пленок и вольт-амперные характеристики автоэмиссионных катодов на их основе
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.9; 535/Л 59
Автор(ы) : Брехов К. А., Лавров С. Д., Афанасьев М. С., Шерстюк Н. Э., Мишина Е. Д., Кимель А. В.
Заглавие : Линейный электрооптический эффект в пленках BST: расчет коэффицента Керра
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 4. - С. 12-14. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 14 (3 назв.)
УДК : 537.9; 535
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сегнетоэлектроника--титанат бария-стронция (бст)--планарная геометрия--поляризация--электрооптический коэффицент керра
Аннотация: Проведены экспериментальные исследования методом конфокальной микроскопии пространственного распределения угла поворота плоскости поляризации падающего излучения в межэлектродном пространстве в пленке титаната бария-стронция толщиной 1 мкм. Образец изготовлен методом высокочастотного осаждения при распылении керамических мишеней. Электрическое поле прикладывалось в плоскости пленки с помощью планарных хромовых электродов с зазором 35 мкм. Показано, что в исследуемой структуре присутствует значительное изменение угла поворота плоскости поляризации падающего излучения в зависимости от локальной области пленки
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.9/И 88
Автор(ы) : Белянин А. Ф., Самойлович М. И., Борисов В. В., Евлашин С. А.
Заглавие : Исследование многофазных углеродных пленок автоэмиссионных катодов методами электронной микроскопии, комбинационного рассеяния света и рентгеновской дифрактометрии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 2. - С. 20-25. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 25 (10 назв.)
УДК : 537.9
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): углеродные пленки--автоэмиссионные катоды--электронная микроскопия--спектроскопия комбинационного рассеяния света--рентгеновская дифрактометрия
Аннотация: Рассмотрены условия формирования многофазных углеродных пленок методом тлеющего разряда. Изучены состав и строение пленок углеродных материалов методами электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния света и рентгеновской дифрактометрии. Измерены вольт-амперные характеристики автоэмиссионных катодов на основе многофазных углеродных пленок
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.534.2:679.826/П 41
Автор(ы) : Побойкина Н. В.
Заглавие : Использование алмаза в качестве теплоотводяшего элемента: методы и устройства вырашивания алмазных пленок и пластин
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 3. - С. 23-27. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 27 (17 назв.)
УДК : 537.534.2:679.826
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): поликристаллические алмазные пленки--cvd-метод--пластины
Аннотация: Приводится краткий обзор организаций, занимающихся в России выращиванием поликристаллических алмазных пленок. Рассмотрены наиболее распространенные в мире конструкции СВЧ плазменных технологических установок
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Э 94
Автор(ы) : Зайцев С. А., Орлов О. М., Горнев Е. С., Егоров К. В., Киртаев Р. В., Маркеев А. М., Заблоцкий А. В.
Заглавие : Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15
Примечания : Библиогр.: с. 15 (15 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эффект резистивного переключения--атомно-слоевое осаждение--энергонезависимая память--оксид гафния
Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах.
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Т 18
Автор(ы) : Танцерев А. А., Рябова О. В., Финаенов А. И.
Заглавие : Изучение процесса включения металлов в поверхностный слой оксидной пленки при электрохимическом воздействии на алюминий
Место публикации : Нанотехнологии. Наука и производство. - 2014. - № 3 (30). - С. 74-77. - ISSN 2306-0581. - ISSN 2306-0581
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оксидная пленка--алюминий
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/М 73
Автор(ы) : Рембеза С. И., Кошелева Н. Н., Рембеза Е. С., Свистова Т. В., Плотникова Е. Ю., Агапов Б. Л., Гречкина М. В.
Заглавие : Многокомпонентные наноструктурированные пленки (SnO2) x (ZnO)1 - x (x = 0,5...1) для газовой сенсорики и прозрачной электроники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 32-36: табл., граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 36 (10 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): многокомпонентные пленки--элементный состав--морфология поверхности--прозрачность--электросопротивление--газовая чувствительность
Аннотация: Тонкие пленки (SnO 2) x(ZnO) 1 - х, х = 0,5...1, были получены ионно-лучевым распылением на переменном токе керамических мишеней из чистых порошков SnO 2 (99,97) и ZnO (99,97). Изготовлены пленки SnO 2 с содержанием примеси Zn от 0,2 до 14 % ат. После отжига изучена морфология поверхности пленок, оценен размер зерна поликристаллов, измерена прозрачность и определена ширина запрещенной зоны в зависимости от состава пленок. Определены электрические параметры и состав пленок, пригодных для применения в газовой сенсорике и прозрачной электронике.
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Л 27
Автор(ы) : Латохин Д. В., Коновалов А. В., Воронков Э. Н.
Заглавие : Оценка параметров барьеров в нанокристаллических полупроводниковых пленках
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 8-11: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 11 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки--пленки нанокристаллические полупроводниковые--полупроводники--электропроводность--температурная зависимость
Аннотация: Сообщается о методике, с помощью которой на основе температурных зависимостей электропроводности и барьерной модели нанокристаллической полупроводниковой пленки можно выполнить оценку высоты барьеров, их концентрации и размеров кристаллитов. Применение предложенной методики расчетов к нанокристаллическим пленкам Si:H дало удовлетворительные результаты
Найти похожие
11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 37
Автор(ы) : Симонов В. Н., Красильникова О. К., Матисон Н. Л.
Заглавие : Метод контроля параметров наноразмерных пленок на основе мультирезонансных кварцекристаллических микрои нановесов
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 64-70: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 70 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки наноразмерные--нановесы (qcn) --микровесы кварцекристаллические (qcm)--резонаторы кварцевые--пленки хитозана --температура--резонатор
Аннотация: Рассмотрены возможности метода исследования тонких пленок с использованием кварцекристаллических микровесов (QCM) и нановесов (QCN) на основе нескольких резонансов нескольких кварцевых резонаторов. Система из трех кварцевых резонаторов использовалась для измерения различных физико-химических и механических свойств пленок хитозана толщиной от 50 до 200 нм. Измерены изотермы адсорбции паров воды пленками хитозана в диапазонах влажности от 0 до 99 % и диапазоне температур 20–70 °C, механические напряжения в высыхающей пленке, плотность хитозана, модуль Юнга и его поведение в диапазоне температур
Найти похожие
12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 96
Автор(ы) : Ичкитидзе Л. П.
Заглавие : Сверхпроводниковый пленочный трансформатор магнитного потока с наноразмерными ветвями для датчика магнитного поля
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 27-29: табл., схема. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 29 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): поле магнитное --трансформатор магнитного потока --трансформатор пленочный сверхпроводниковый--магнитосопротивление--элемент магниточувствительный --наноструктурирование
Аннотация: Рассматривается сверхпроводниковый пленочный трансформатор магнитного потока в форме кольца с суженной активной полосой, перекрывающей пленочный магниточувствительный элемент с гигантским магнитосопротивлением, отделенный с помощью изолирующей пленки. Показано, что микро- и наноструктурирование активной полосы в виде фрагментирования последней на параллельные сверхпроводящие ветви и прорези, имеющие микро- и нанометровые размеры, увеличивает в несколько раз фактор умножения трансформатора, т. е. концентрацию внешнего магнитного поля на магниточувствительном элементе, и, тем самым, повышает эффективность трансформатора и датчика магнитного поля
Найти похожие
13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Р 17
Автор(ы) : Фалчари М. М., Семенистая Т. В., Плуготоренко Н. К., Лу П.
Заглавие : Разработка технологии получения газочувствительного материала на основе пан с применением квантово-химических расчетов и метода Монте-Карло
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 34-40: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 40 (31 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводник-- расчеты квантово-химические--метод монте-карло --материал газочувствительный--моделирование энтропическое --пленки электропроводящие
Аннотация: Проведен расчет димера, тримера и тетрамера молекулы полиакрилонитрила (ПАН) с использованием квантово-химического метода. Проведено моделирование образования молекул ПАН методами Ванга—Ландау и энтропического моделирования Монте-Карло на основе модели с фиксированным валентным углом. Разработана технология получения газочувствительного материала на основе ПАН и Ag-содержащего ПАН. Получены электропроводящие пленки ПАН и Ag-содержащего ПАН методом пиролиза под действием некогерентного ИК излучения
Найти похожие
14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 51
Автор(ы) : Смолин В. К.
Заглавие : Применение пленок бинарных соединений металлов подгруппы титана в конструкциях резистивных элементов памяти
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 10-16: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 16 (98 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): подгруппа титана--мемристоры--элементы памяти резистивные--пленки бинарных соединений металлов --reram--нитрид титана
Аннотация: Дан обзор физико-технологических проблем проектирования элементов резистивной энергонезависимой памяти (ReRAM) с использованием бинарных соединений подгруппы титана. Большинство из приведенных результатов исследований имеет прикладной характер и предназначено для использования в промышленном производстве. Для оптимизации конструктивно-технологических решений мемристоров следует акцентировать внимание на решении проблем, связанных с построением модели фазового перехода металл—изолятор
Найти похожие
15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 94
Автор(ы) : Батурин А. С., Булах К. В., Григал И. П., Егоров К. В., Заблоцкий А. В., Маркеев А. М., Лебединский Ю. Ю., Горнев Е. С., Орлов О. М., Чуприк А. А.
Заглавие : Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 18 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): метод атомно-слоевого осаждения--эффект резистивного переключения--пленки оксидные--пленки тонкие--методика рентгено-фотоэлектронной спектроскопии
Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения
Найти похожие
16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Л 27
Автор(ы) : Латохин Д. В., Воронков Э. Н.
Заглавие : Численное моделирование микроплазменного пробоя в полупроводниковых структурах
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 26-29: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 29 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование численное--структуры полупроводниковые--микроплазма--пробой--проводники--электропроводность--пленки аморфные
Аннотация: Сообщается о численном моделировании микроплазм в неупорядоченных полупроводниковых структурах при условиях, аналогичных условиям возникновения микроплазменного пробоя в пленках As 2 Se 3 — одного из широкозонных халькогенидных стеклообразных полупроводников. Предложена модель, позволяющая описать процесс микроплазменного пробоя в аморфных пленках
Найти похожие
17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 58
Автор(ы) : Гавриленко В. П., Кузин А. Ю., Митюхляев В. Б., Раков А. В., Тодуа П. А., Филиппов М. Н., Шаронов В. А.
Заглавие : Влияние контаминации в низковольтном растровом электронном микроскопе на профиль рельефных элементов нанометрового диапазона
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 2-5: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 5 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): доза электронного облучения--элементы рельефные--контаминация--микроскоп низковольтный растровый электронный
Аннотация: Представлены результаты исследований влияния контаминации в РЭМ S-4800 при энергии электронов 1 кэВ на профиль рельефных элементов меры МШПС-2.0К. Показано, что в результате электронного облучения увеличивается ширина нижнего основания рельефных элементов и получены зависимости ширины нижнего основания от дозы электронного облучения при разных режимах облучения. Приведены результаты влияния режима облучения на толщину контаминационной пленки
Найти похожие
18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 27
Автор(ы) : Брехов К. А., Кудрявцев А. В., Ильин Н. А., Шерстюк Н. Э., Мишина Е. Д.
Заглавие : Переключение диэлектрической поляризации в сегнетоэлектрических мультислойных планарных структурах BST/NBFO
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 36-39: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 39 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): поляризация диэлектрическая--структуры мультислойные--волна лазерного излучения--напряжения эпитаксиальные
Аннотация: Проведены экспериментальные исследования методом генерации второй оптической гармоники процессов переключения сегнетоэлектрической поляризации в мультислойных структурах (титанат бария стронция)/(феррит висмута, допированный неодимом) с различным числом и толщиной слоев. Электрическое поле прикладывалось в плоскости пленки с помощью планарных электродов. Показано, что в исследуемых структурах присутствует значительная часть непереключаемой поляризации, что объясняется наличием напряжений растяжения/сжатия на границе раздела слоев. Проведены исследования параметров переключения структур в зависимости от длины волны лазерного излучения
Найти похожие
19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 55
Автор(ы) : Вишневский А. С., Воротилов К. А., Жигалина О. М., Ланцев А. Н., Подгорный Ю. В, Серегин Д. С.
Заглавие : Исследование влияния структуры нижнего электрода на свойства пленок ЦТС, сформированных методом химического осаждения из растворов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 15-20: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 20 (19 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): подложки кремниевые--гетероструктуры--цтс--процесс термообработки--пленки сегнетоэлектрические--стекло фосфоросиликатное
Аннотация: Проведены исследования тонких золь-гель-пленок цирконата-титаната свинца PbZr 0,48Ti 0,52O 3 (ЦТС), сформированных на кремниевых подложках с различными вариантами многослойной структуры Pt /Тi (ТiO 2)/SiO2(ФСС)/Si формирующей нижний электрод сегнетоэлектрического конденсатора. Изучены диффузионные процессы, протекающие в данных гетероструктурах в процессе термообработки, а также роль толщины платины и вспомогательных слоев в формировании кристаллической структуры ЦТС. Установлено, что при кристаллизации ЦТС происходит взаимная диффузия слоев нижнего электрода: нижняя граница Pt размывается, слой Ti (TiO 2) становится толще, Ti диффундирует в Pt и в SiO 2 (ФСС). Использование слоя фосфоросиликатного стекла (ФСС) способствует формированию в пленках ЦТС преимущественной ориентации (100), что ухудшает их поляризационные свойства и ведет к снижению остаточной поляризации до ~10 мкКл/см 2. Нанесение слоя плазмохимического SiO 2 на слой ФСС позволяет стабилизировать границу раздела и улучшить электрические характеристики гетероструктур
Найти похожие
20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 88
Автор(ы) : Пронин И. А., Аверин И. А., Димитров Д. Ц., Крастева Л. К., Паназова К. И., Чаначев А. С.
Заглавие : Исследование чувствительности к этанолу переходов Zno—ZnO:Fe на основе тонких наноструктурированных пленок, полученных с помощью золь-гель-технологии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 10 (22 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки наноструктурированные тонкие zno--сенсор газовый --zno допированный fe--золь-гель-технология--чувствительность--температура
Аннотация: Исследуется чувствительность к этанолу гомопереходов на основе наноструктуруированнык слоев ZnO— ZnO:Fe, полученных с помощью золь-гель-технологии. В качестве отклика измерялась термоЭДС виртуальной термопары, горячий конец которой представляет собой контакт на слое ZnO вблизи интерфейса ZnO/ZnO:Fe, а холодный — контакт на поверхности ZnO:Fe. Выяснено, что максимальной чувствительностью обладают образцы, верхний слой которых сформирован двумя и тремя погружениями в золь. Тенденция температурной зависимости отклика существенно зависит от толщины верхнего слоя
Найти похожие
 1-20    21-40   41-60   61-80   81-100   101-120      
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика