Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛЕ<.>) |
Общее количество найденных документов : 46
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. C 99
Cветомагнитный оптический затвор на основе суспензии наноуглеродных частиц с луковичной структурой / К. Г. Михеев, Т. Н. Могилева, Г. М. Михеев, В. Л. Кузнецов, Д. Л. Булатов> // Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 29-34 : рис. - Библиогр.: с. 34 (13 назв.)
. - ISSN 1816-4498ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ИЗЛУЧЕНИЕ ЛАЗЕРНОЕ -- КОЭФФИЦИЕНТ ПРОПУСКАНИЯ -- ДИАМАГНЕТИЗМ -- СУСПЕНЗИЯ -- УГЛЕРОД С ЛУКОВИЧНОЙ СТРУКТУРОЙ -- ЗАТВОР ОПТИЧЕСКИЙ -- ОГРАНИЧЕНИЕ МОЩНОСТИ ОПТИЧЕСКОЕ Аннотация: На эффектах оптического ограничения мощности (ООМ) и светоиндуцированных просветления и диамагнетизма суспензии углерода с луковичной структурой (УЛС) в диметилформамиде (ДМФ) разработан светомагнитный оптический затвор. Основными частями затвора являются: оптическая кювета с суспензией УЛС, лазер и электромагнит. Принцип работы затвора заключается в том, что в результате лазерного воздействия на кювету область взаимодействия лазерного излучения с суспензией просветляется с приобретением диамагнитных свойств. После просветления включается электромагнит, и его неоднородное поле выталкивает просветленную часть из области взаимодействия лазерного излучения с суспензией, что приводит к возрастанию коэффициента поглощения кюветы до первоначального уровня. Разработанный светомагнитный оптический затвор может работать в режимах оптического ограничения мощности, «мультивибратора» и «ждущего мультивибратора»
Найти похожие
|
2. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: 209511 - кх. В38 А 91
Астапенко, Валерий Александрович. Взаимодействие излучения с атомами и наночастицами [] : учебник / В. А. Астапенко. - Долгопрудный : ИД "Интеллект", 2010. - 492 с. - (Физтеховский учебник). - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-91559-083-9 : 1294.70 р.ББК В38я73 Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА АТОМНОГО ЯДРА--ФИЗИКА ЭЛЕМЕНТАРНЫХ ЧАСТИЦ--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Найти похожие
|
3. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. А 91
Астахов, М. В. Взаимодействие аморфного ферромагнитного микропровода с электромагнитным излучением [Текст] / М. В. Астахов, И. В. Дутов, А. О. Родин> // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 4. - С. 28-30 : граф. - Библиогр.: с. 30 (3 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ФЕРРОМАГНИТНЫЙ МИКРОПРОВОД -- РЕЗОНАНС -- ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ ПОЛЕ
Найти похожие
|
4. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. Б 13
Бавижев, М. Д. Особенности прохождения атомных и молекулярных пучков через капиллярные структуры в условиях взаимодействия с поверхностной световой волной / М. Д. Бавижев, А. Д. Бавижев, Н. В. Кот> // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 9-10. - С. 73-76 : рис. - Библиогр. : с. 76 (23 назв.)
. - ISSN 1992-7223ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПУЧКИ АТОМНЫЕ И МОЛЕКУЛЯРНЫЕ -- ВОЛНА СВЕТОВАЯ ПОВЕРХНОСТНАЯ -- СТРУКТУРЫ КАПИЛЛЯРНЫЕ Аннотация: Pассмотрена модель поперечного охлаждения атомов в поле поверхностной световой волны внутри стеклянного капилляра. Проведена оценка коэффициента затухания для поперечных колебаний атома в микрокапилляре и рассчитана длина эффективного охлаждения атома до энергии h2 k2/ 2 M. Создана трехмерная модель. Рассматривается возможность практического применения данного явления для создания технологии атомной литографии и фабрикации наноструктур
Найти похожие
|
5. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. Б 72
Бобринецкий , И. И. Электрофорез в задачах очистки, сепарирования и интеграции углеродных нанотрубок / И. И. Бобринецкий > // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. - С. 110-114 : рис. - Библиогр. : с. 114 (24 назв.)
. - ISSN 1992-7223ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОФОРЕЗ -- УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ -- СЕПАРИРОВАНИЕ
Найти похожие
|
6. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. В 58
Влияние электрического поля на процесс кристаллизации тонкопленочных аморфных нанокомпозитов металл-сегнетоэлектрик [Текст] / С. А. Гриднев [и др.]> // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 1. - С. 38-41 : граф. - Библиогр.: с. 41 (18 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ -- КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ -- АМОРФНЫЕ НАНОКОМПОЗИТЫ
Найти похожие
|
7. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. Г 55
Глухова , О. Е. Теоретическое исследование распределения локальных напряжений графеновой наноленты / О. Е. Глухова , М. М. Слепченков> // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 7. - С. 2-4 : рис. - Библиогр. : с. 4 (4 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОЛЕНТА -- НАНОЛЕНТА ГРАФЕНОВАЯ -- НАПРЯЖЕНИЕ ЛОКАЛЬНОЕ -- УГОЛ ПИРАМИДАЛИЗАЦИИ Аннотация: Предложена методика расчета поля локальных напряжений, основанная на квантовой модели графеновой конечноразмерной наноленты и эмпирическом подходе в расчете энергии одного атома. С помощью данной методики рассчитано поле локальных напряжений сжатой на 6 % графеновой наноленты. Установлено, что распределение максимальных значений напряжения совпадет с распределением максимальных углов пирамидализации атомного каркаса. С помощью разработанной методики возможно прогнозировать появление дефектов при деформации
Найти похожие
|
8. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. Г 55
Глухова, О. Е. Тонкие углеродные тубулярные нанокластеры в однородном электростатическом поле [Текст] / О. Е. Глухова> // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 7. - С. 8-12 : рис. - Библиогр.: с. 12 (21 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): УГЛЕРОДНЫЕ ТУБУЛЯРНЫЕ НАНОКЛАСТЕРЫ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ -- РАБОТА ВЫХОДА -- ПОНДЕРОМОТОРНЫЕ СИЛЫ -- ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ НАНОТРУБОК
Найти похожие
|
9. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. Г 75
Грабовский, Ю. П. Выбор условий и оборудования для регенерации магнитной жидкости / Ю. П. Грабовский, А. В. Лисин, М. Б. Евтушенко> // Нанотехника. - 2011. - № 4. - С. 85-88. - Библиогр.: с. 88 (9 назв.)
. - ISSN 1816-4498ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЖИДКОСТЬ МАГНИТНАЯ -- ПОЛЕ МАГНИТНОЕ -- КИСЛОТА ОЛЕИНОВАЯ -- ЧАСТИЦЫ -- ВЯЗКОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ -- УСТОЙЧИВОСТЬ В ГРАДИЕНТНОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ Аннотация: В статье рассмотрены различные процессы сепарации немагнитных материалов с использованием магнитных жидкостей, для которых возможность регенерации и повторного использования рабочей жидкости может существенно повлиять на их рентабельность. Проанализированы известные способы регенерации магнитных жидкостей, а проведенное экспериментальное исследование различных стадий процесса регенерации позволило заметно усовершенствовать этот процесс без использования дорогостоящего импортного оборудования
Найти похожие
|
10. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
| Инвентарный номер: нет. Д 20
Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом / М. Л. Бараночников, А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, В. Н. Мурашев, Д. М. Пажин> // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 8-11. - Библиогр.: с. 11 (8 назв.)
. - ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДАТЧИК -- ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ-ЧАСТОТА -- КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ Аннотация: Показано, что полевой транзистор со встроенным каналом и управляющей системой типа металл — диэлектрик — полупроводник — диэлектрик — металл может функционировать как чувствительный элемент датчиков внешних воздействий (таких как магнитное поле, температура, радиация), преобразующих воздействия в цифровой сигнал. Датчик основан на принципе изменения частоты автогенератора, в схему которого в качестве нагрузки, изменяющейся при внешних воздействиях, включен упомянутый транзистор. В качестве основы автогенератора может быть использована как специальная ИС, так и эффект самовозбуждения в чувствительном элементе, благодаря особенностям его ВАХ на участке лавинного умножения. Датчики изготовлены по технологии кремний-на-изоляторе
Найти похожие
|
|
|