Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИК<.>) |
Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Абрамов И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1) /И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 9.-С.27-37
|
2.
| Абрамов И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой /И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 10 .-С.28-41
|
3.
| Абрамов И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой/И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 11.-С.29-42
|
4.
| Аверин И. А. Влияние типа и концентрации собственных дефектов на свойства структур диоксида олова /И. А. Аверин, В. А. Мошников, И. А. Пронин // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 1.-С.27-29
|
5.
| Беляева А. О. Моделирование диффузионных процессов через барьерное покрытие в полупроводниковые ветви термоэлектрических модулей/А. О. Беляева, В. А. Солнцев // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 1.-С.2-7
|
6.
| Богданов С. А. Моделирование распределения потенциала в барьерах шоттки с учетом краевых эффектов /С. А. Богданов, А. Г. Захаров, А. А. Лытюк // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 5.-С.12-15
|
7.
| Войлов Д. Н. Релаксационные свойства нанокомпозита цеолит-полупроводник H-Beta-ZnS: широкополосная диэлектрическая спектроскопия/Д. Н. Войлов, Г. Ф. Новиков, Ю. В. Метелёва-Фишер // Российские нанотехнологии, 2009. т.Т. 4,N № 5-6.-С.72-77
|
8.
| Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом/М. Л. Бараночников, А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, В. Н. Мурашев, Д. М. Пажин // Нано- и микросистемная техника, 2013. т.№ 10.-С.8-11
|
9.
| Детекторы ультрафиолетового диапазона на основе контакта металл- полупроводник из соединения AlGaN/И. Д. Бурлаков, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, К. С. Журавлев // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 7.-С.37-47
|
10.
| Контролируемое in situ получение гибридных структур полупроводник-металл на основе пористого кремняи/Д. И. Биленко, В. В. Галушка, И. Б. Мысенко, Д. В. Терин // Нанотехнологии. Наука и производство, 2014. т.№ 2 (29).-С.44-47
|
|
|