Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (2)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (5)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (26)Расплавы (4)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИК<.>)
Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-21   21-21 
1.

Особенности характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двучзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл/М. Л. Бараночников [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2008. т.№ 12.-С.45-48
2.

Войлов Д. Н. Релаксационные свойства нанокомпозита цеолит-полупроводник H-Beta-ZnS: широкополосная диэлектрическая спектроскопия/Д. Н. Войлов, Г. Ф. Новиков, Ю. В. Метелёва-Фишер // Российские нанотехнологии, 2009. т.Т. 4,N № 5-6.-С.72-77
3.

Самосборка гибридных наноструктур "полупроводник/J-агрегат органического красителя" в обратных мицеллах АОТ/вода/гексан/Л. М. Николенко [и др.] // Российские нанотехнологии, 2009. т.Т. 4,N № 1-2.-С.72-80
4.

Шмырева А. Н. Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия /А. Н. Шмырева, А. В. Борисов, Н. В. Максимчук // Российские нанотехнологии, 2010. т.Т. 5,N № 5-6 .-С.99-104
5.

Абрамов И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой/И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 11.-С.29-42
6.

Абрамов И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой /И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 10 .-С.28-41
7.

Беляева А. О. Моделирование диффузионных процессов через барьерное покрытие в полупроводниковые ветви термоэлектрических модулей/А. О. Беляева, В. А. Солнцев // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 1.-С.2-7
8.

Абрамов И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1) /И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 9.-С.27-37
9.

Богданов С. А. Моделирование распределения потенциала в барьерах шоттки с учетом краевых эффектов /С. А. Богданов, А. Г. Захаров, А. А. Лытюк // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 5.-С.12-15
10.

Олейник А. С. Регистрация лазерного излучения пленочными реверсивными средами на основе диоксида ванадия /А. С. Олейник, А. В. Федоров // Российские нанотехнологии, 2011. т.Т. 6,N № 5-6.-С.120-129
 1-10    11-21   21-21 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика