Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (2)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (5)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (26)Расплавы (4)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИК<.>)
Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-21   21-21 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 65


   
    Контролируемое in situ получение гибридных структур полупроводник-металл на основе пористого кремняи / Д. И. Биленко, В. В. Галушка, И. Б. Мысенко, Д. В. Терин // Нанотехнологии. Наука и производство. - 2014. - № 2 (29). - С. 44-47 . - ISSN 2306-0581
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 91


    Тутов, Е. А.
    Адсорбционно-стимулированный фазовый переход полупроводник — металл в диоксиде ванадия / Е. А. Тутов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 26-28 : рис. - Библиогр.: с. 28 (23 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИК — МЕТАЛЛ -- ДИОКСИД ВАНАДИЯ -- ПЕРЕХОД ФАЗОВЫЙ -- ТЕРМОРЕЗИСТОР ПЛЕНОЧНЫЙ -- СЕНСОРЫ -- ТЕМПЕРАТУРА
Аннотация: По измерениям температурной зависимости проводимости пленочного терморезистора на основе диоксида ванадия обнаружено повышение температуры фазового перехода полупроводник — металл в VO 2 в атмосфере паров этанола и понижение температуры в парах воды. Проанализированы перспективы использования данного явления в сенсорах

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 17


   
    Разработка технологии получения газочувствительного материала на основе пан с применением квантово-химических расчетов и метода Монте-Карло / М. М. Фалчари, Т. В. Семенистая, Н. К. Плуготоренко, П. Лу // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 34-40 : рис., табл. - Библиогр.: с. 40 (31 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИК -- РАСЧЕТЫ КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИЕ -- МЕТОД МОНТЕ-КАРЛО -- МАТЕРИАЛ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭНТРОПИЧЕСКОЕ -- ПЛЕНКИ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИЕ
Аннотация: Проведен расчет димера, тримера и тетрамера молекулы полиакрилонитрила (ПАН) с использованием квантово-химического метода. Проведено моделирование образования молекул ПАН методами Ванга—Ландау и энтропического моделирования Монте-Карло на основе модели с фиксированным валентным углом. Разработана технология получения газочувствительного материала на основе ПАН и Ag-содержащего ПАН. Получены электропроводящие пленки ПАН и Ag-содержащего ПАН методом пиролиза под действием некогерентного ИК излучения

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 19


    Аверин, И. А.
    Влияние типа и концентрации собственных дефектов на свойства структур диоксида олова / И. А. Аверин, В. А. Мошников, И. А. Пронин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 27-29 : рис. - Библиогр.: с. 29 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОКСИД ОЛОВА -- ПОЛУПРОВОДНИК -- ВАКАНСИИ КИСЛОРОДА -- ТЕМПЕРАТУРА -- ДЕФЕКТЫ ТОЧЕЧНЫЕ
Аннотация: Представлен анализ влияния термодинамически равновесных дефектов на свойства диоксида олова. Показано, что основным источником электронов в исследуемом полупроводнике являются двукратно ионизованные вакансии кислорода. Исследовано распределение собственных точечных дефектов в SnO 2 в зависимости от температуры и времени обработки

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 89


    Пустовалов, А. А.
    Производство радионуклида никеля-63 высокого обогащения — главное условие создания эффективных бета-вольтаических атомных батарей / А. А. Пустовалов, Л. А. Цветков // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 19-24. - Библиогр.: с. 24 (16 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РАДИОНУКЛИД -- НИКЕЛЬ-63 -- БЕТА-ИЗЛУЧЕНИЕ -- АТОМНАЯ БАТАРЕЯ -- ЦЕНТРИФУЖНОЕ РАЗДЕЛЕНИЕ -- БЕТА-ВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ -- ПОЛУПРОВОДНИК -- СРОК СЛУЖБЫ
Аннотация: Рассмотрены и обоснованы существующие возможности получения в промышленном масштабе высокообогащенного (80—85 %) радионуклида никеля-63 с использованием реальных технологий действующих предприятий отечественной промышленности. Никель-63 — искусственный радионуклид, чистый бета-излучатель со средней энергией бета-излучения 18 кэВ, что позволяет на его основе создавать миниатюрные и безопасные в обращении бета-вольтаические атомные батареи микромилливаттного диапазона мощностей со сроком службы не менее 50 лет для применения в разнообразных приборах и устройствах микросистемной техники

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 20


   
    Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом / М. Л. Бараночников, А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, В. Н. Мурашев, Д. М. Пажин // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 8-11. - Библиогр.: с. 11 (8 назв.) . -
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИК -- ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ-ЧАСТОТА -- КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ
Аннотация: Показано, что полевой транзистор со встроенным каналом и управляющей системой типа металл — диэлектрик — полупроводник — диэлектрик — металл может функционировать как чувствительный элемент датчиков внешних воздействий (таких как магнитное поле, температура, радиация), преобразующих воздействия в цифровой сигнал. Датчик основан на принципе изменения частоты автогенератора, в схему которого в качестве нагрузки, изменяющейся при внешних воздействиях, включен упомянутый транзистор. В качестве основы автогенератора может быть использована как специальная ИС, так и эффект самовозбуждения в чувствительном элементе, благодаря особенностям его ВАХ на участке лавинного умножения. Датчики изготовлены по технологии кремний-на-изоляторе

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 54


   
    Метрологическое обеспечение измерений размерных параметров наночастиц и тонких пленок методами малоугловой рентгеновской дифрактометрии / А. С. Авилов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 5-6. - С. 30-36 : рис., табл. - Библиогр.: с. 36 (6 назв.) . -
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- МЕТОДЫ МАЛОУГЛОВОЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ -- ДИФРАКТОМЕТР -- СЕТЬ НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ -- ПОЛУПРОВОДНИК
Аннотация: Для обеспечения поверки и калибровки малоугловых рентгеновских дифрактометров, находящихся во многих организациях национальной нанотехнологической сети, разработаны новые, простые по исполнению технологические методы синтеза и изготовлены стандартные образцы (СО) на основе наночастиц металлического золота и полупроводниковой окиси цинка размером 2–10 нм. Получены также СО многослойных тонких пленок солей жирных кислот с периодом повторяемости 4.9 нм на твердых подложках. Развит комплекс методик расчета и перекрестной поверки размерных параметров методами дифракционной, высокоразрешающей просвечивающей и аналитической электронной микроскопии, электронографии, рентгенофазовым анализом и с использованием синхротронного излучения. Усовершенствованы методики и программы определения параметров дисперсности наночастиц по данным малоуглового рентгеновского рассеяния от неупорядоченных систем, основанные на устойчивых численных методах решения задачи поиска распределения по размерам. Разработаны программное обеспечение и методики калибровки угловой шкалы малоугловых дифрактометров как по данным рассеяния от стандартных образцов с наночастицами, так и по данным рефлектометрии от образцов многослойных пленок. Разработаны методики первичной обработки данных рентгеновского рассеяния, учитывающие особенности используемого оборудования с целью представления измерений и результатов в едином формате. Приведены примеры калибровки лабораторного малоуглового дифрактометра с помощью разработанных стандартов

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 60


   
    Солнечные ячейки на основе гибридных гетероструктур из органических полупроводников и квантовых точек / С. В. Дайнеко, М. В. Артемьев, И. Р. Набиев, М. Г. Тедорадзе, А. А. Чистяков // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 2-6 : рис. - Библиогр.: с. 6 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЯЧЕЙКА СОЛНЕЧНАЯ -- МАТЕРИАЛЫ ГИБРИДНЫЕ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ -- ФОТОВОЛЬТАИКА -- ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИК ОРГАНИЧЕСКИЙ
Аннотация: Полупроводниковые квантовые точки (КТ) характеризуются высоким коэффициентом экстинкции, зависимым от размера наночастиц, и дают высокий квантовый выход заряда. КТ имеют высокий коэффициент переноса заряда в органический полупроводник. Описаны разработанные гибридные материалы на основе органического полупроводника полиимида (PI) или поли-(2-метокси-5(2'-этил-гексилокси)-1,4-фениленви-нелен) (MEH-PPV) и КТ CdSe. Эффективность фотовольтаического преобразования оптимизированных структур PI-КТ приближается к лучшим структурам на основе MEH-PPV. Включение КТ в MEH-PPV приводит к дополнительному увеличению фотоэффективности этой системы на 50 %, что открывает новые возможности разработки структур на основе неорганических/органических гибридных материалов со значительно улучшенными фотоэлектрическими свойствами

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-75


   
    Особенности фазовых переходов в наноразмерном диоксиде ванадия: магнитные характеристики / Д. В Назаров, О. М. Осмоловская, Н. П. Бобрышева, В. М. Смирнов, И. В. Мурин // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 11-12. - С. 75-82 : рис., табл. - Библиогр.: с. 82 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОКСИД ВАНАДИЯ НАНОРАЗМЕРНЫЙ -- ХАРАКТЕРИСТИКИ МАГНИТНЫЕ -- МЕТОД МОЛЕКУЛЯРНОГО НАСЛАИВАНИЯ -- МАТРИЦЫ -- ФППМ -- ТЕМПЕРАТУРА
Аннотация: Методом молекулярного наслаивания получены образцы чистого и легированного хромом или железом наноразмерного диоксида ванадия различной морфологии на поверхности матриц с различной структурой: аморфном кремнеземе и монокристаллическом кремнии. Образцы охарактеризованы методами фотометрии и магнетохимического анализа. На основании анализа температурных зависимостей магнитных характеристик продемонстрировано наличие в образцах фазового перехода полупроводник-металл (ФППМ) и показано, что его характеристики зависят от типа матрицы, природы и количества легирующего элемента. Температура ФППМ понижается с 340 К (значение, характерное для массивного материала) до 100—180 К в зависимости от состава и строения наших образцов

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 38


    Плеханов, В. Г.
    Изотопическое создание полупроводникового графена / В. Г. Плеханов, Л. М. Журавлева // Нанотехника. - 2012. - № 3. - С. 34-38 : рис. - Библиогр.: с. 38 (24 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГРАФЕН -- ПОЛУМЕТАЛЛ -- ИЗОТОПЫ -- ПОЛУПРОВОДНИК -- ЛЕГИРОВАНИЕ НЕЙТРОННОЕ ТРАНСМУТАЦИОННОЕ
Аннотация: Многочисленными экспериментами показано, что изотопический эффект в твердом теле перенормирует величину запрещенной энергии Eg в широком классе полупроводников и диэлектриков. Механизм этой перенормировки связан с изменением сильного (ядерного) взаимодействия. В настоящей работе впервые описывается изотопическое открытие Eg в полуметалле графене -важном в современной нанонауке материале, для которого характерно дираковское поведение электронов

Найти похожие

 1-10    11-21   21-21 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика