Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (2)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (5)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (26)Расплавы (4)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИК<.>)
Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-21   21-21 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 91

    Тутов, Е. А.
    Адсорбционно-стимулированный фазовый переход полупроводник — металл в диоксиде ванадия / Е. А. Тутов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 26-28 : рис. - Библиогр.: с. 28 (23 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИК — МЕТАЛЛ -- ДИОКСИД ВАНАДИЯ -- ПЕРЕХОД ФАЗОВЫЙ -- ТЕРМОРЕЗИСТОР ПЛЕНОЧНЫЙ -- СЕНСОРЫ -- ТЕМПЕРАТУРА
Аннотация: По измерениям температурной зависимости проводимости пленочного терморезистора на основе диоксида ванадия обнаружено повышение температуры фазового перехода полупроводник — металл в VO 2 в атмосфере паров этанола и понижение температуры в парах воды. Проанализированы перспективы использования данного явления в сенсорах

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 19

    Аверин, И. А.
    Влияние типа и концентрации собственных дефектов на свойства структур диоксида олова / И. А. Аверин, В. А. Мошников, И. А. Пронин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 27-29 : рис. - Библиогр.: с. 29 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОКСИД ОЛОВА -- ПОЛУПРОВОДНИК -- ВАКАНСИИ КИСЛОРОДА -- ТЕМПЕРАТУРА -- ДЕФЕКТЫ ТОЧЕЧНЫЕ
Аннотация: Представлен анализ влияния термодинамически равновесных дефектов на свойства диоксида олова. Показано, что основным источником электронов в исследуемом полупроводнике являются двукратно ионизованные вакансии кислорода. Исследовано распределение собственных точечных дефектов в SnO 2 в зависимости от температуры и времени обработки

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 20

   
    Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом / М. Л. Бараночников, А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, В. Н. Мурашев, Д. М. Пажин // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 8-11. - Библиогр.: с. 11 (8 назв.) . -
УДК
621.317
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИК -- ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ-ЧАСТОТА -- КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ
Аннотация: Показано, что полевой транзистор со встроенным каналом и управляющей системой типа металл — диэлектрик — полупроводник — диэлектрик — металл может функционировать как чувствительный элемент датчиков внешних воздействий (таких как магнитное поле, температура, радиация), преобразующих воздействия в цифровой сигнал. Датчик основан на принципе изменения частоты автогенератора, в схему которого в качестве нагрузки, изменяющейся при внешних воздействиях, включен упомянутый транзистор. В качестве основы автогенератора может быть использована как специальная ИС, так и эффект самовозбуждения в чувствительном элементе, благодаря особенностям его ВАХ на участке лавинного умножения. Датчики изготовлены по технологии кремний-на-изоляторе

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 38

   
    Детекторы ультрафиолетового диапазона на основе контакта металл- полупроводник из соединения AlGaN / И. Д. Бурлаков, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, К. С. Журавлев // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 37-47 : рис., табл. - Библиогр.: с. 47 (27 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДЕТЕКТОРЫ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ДИАПАЗОНА -- БАРЬЕР ШОТТКИ -- СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ -- ALGAN -- ДИАПАЗОН ДЛИН ВОЛН "СОЛНЕЧНО-СЛЕПОЙ"
Аннотация: Рассмотрены детекторы ультрафиолетового диапазона на основе контакта металл-полупроводник из AlGaN. Проанализированы последние разработки в области дискретных и матричных детекторов на основе барьеров Шоттки, структур металл-полупроводник-металл

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 38

    Плеханов, В. Г.
    Изотопическое создание полупроводникового графена / В. Г. Плеханов, Л. М. Журавлева // Нанотехника. - 2012. - № 3. - С. 34-38 : рис. - Библиогр.: с. 38 (24 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГРАФЕН -- ПОЛУМЕТАЛЛ -- ИЗОТОПЫ -- ПОЛУПРОВОДНИК -- ЛЕГИРОВАНИЕ НЕЙТРОННОЕ ТРАНСМУТАЦИОННОЕ
Аннотация: Многочисленными экспериментами показано, что изотопический эффект в твердом теле перенормирует величину запрещенной энергии Eg в широком классе полупроводников и диэлектриков. Механизм этой перенормировки связан с изменением сильного (ядерного) взаимодействия. В настоящей работе впервые описывается изотопическое открытие Eg в полуметалле графене -важном в современной нанонауке материале, для которого характерно дираковское поведение электронов

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 65

   
    Контролируемое in situ получение гибридных структур полупроводник-металл на основе пористого кремняи / Д. И. Биленко, В. В. Галушка, И. Б. Мысенко, Д. В. Терин // Нанотехнологии. Наука и производство. - 2014. - № 2 (29). - С. 44-47 . - ISSN 2306-0581
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 54

   
    Метрологическое обеспечение измерений размерных параметров наночастиц и тонких пленок методами малоугловой рентгеновской дифрактометрии / А. С. Авилов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 5-6. - С. 30-36 : рис., табл. - Библиогр.: с. 36 (6 назв.) . -
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- МЕТОДЫ МАЛОУГЛОВОЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ -- ДИФРАКТОМЕТР -- СЕТЬ НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ -- ПОЛУПРОВОДНИК
Аннотация: Для обеспечения поверки и калибровки малоугловых рентгеновских дифрактометров, находящихся во многих организациях национальной нанотехнологической сети, разработаны новые, простые по исполнению технологические методы синтеза и изготовлены стандартные образцы (СО) на основе наночастиц металлического золота и полупроводниковой окиси цинка размером 2–10 нм. Получены также СО многослойных тонких пленок солей жирных кислот с периодом повторяемости 4.9 нм на твердых подложках. Развит комплекс методик расчета и перекрестной поверки размерных параметров методами дифракционной, высокоразрешающей просвечивающей и аналитической электронной микроскопии, электронографии, рентгенофазовым анализом и с использованием синхротронного излучения. Усовершенствованы методики и программы определения параметров дисперсности наночастиц по данным малоуглового рентгеновского рассеяния от неупорядоченных систем, основанные на устойчивых численных методах решения задачи поиска распределения по размерам. Разработаны программное обеспечение и методики калибровки угловой шкалы малоугловых дифрактометров как по данным рассеяния от стандартных образцов с наночастицами, так и по данным рефлектометрии от образцов многослойных пленок. Разработаны методики первичной обработки данных рентгеновского рассеяния, учитывающие особенности используемого оборудования с целью представления измерений и результатов в едином формате. Приведены примеры калибровки лабораторного малоуглового дифрактометра с помощью разработанных стандартов

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 44

    Беляева, А. О.
    Моделирование диффузионных процессов через барьерное покрытие в полупроводниковые ветви термоэлектрических модулей / А. О. Беляева, В. А. Солнцев // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 1. - С. 2-7 : рис., табл. - Библиогр. : с. 7 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: МАТЕМАТИКА--ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ МАТЕМАТИКА, ЧИСЛЕННЫЙ АНАЛИЗ И ПРОГРАММИРОВАНИЕ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЕ -- ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСТВО -- ПОЛУПРОВОДНИК -- ПЕЛЬТЬЕ ЭФФЕКТ -- ТЕЛЛУРИД ВИСМУТА -- ДИФФУЗИЯ

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 73

    Богданов, С. А.
    Моделирование распределения потенциала в барьерах шоттки с учетом краевых эффектов / С. А. Богданов, А. Г. Захаров, А. А. Лытюк // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 12-15 : рис. - Библиогр. : с. 15 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
БАРЬЕР ШОТТКИ -- ЭФФЕКТ КРАЕВОЙ -- ПОТЕНЦИАЛ ЭЛЕКТРОСТАТИСТИЧЕСКИЙ
Аннотация: Разработана методика определения электростатического потенциала в полупроводниковом материале контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки, учитывающая краевые эффекты, а также неоднородное пространственное распределение электрически активных примесей в полупроводнике. Методика позволяет прогнозировать наиболее вероятный механизм переноса носителей заряда в контакте металл-полупроводник с учетом его топологии, а также выполнить дальнейшее моделирование его вольт-амперной характеристики

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-75

   
    Особенности фазовых переходов в наноразмерном диоксиде ванадия: магнитные характеристики / Д. В Назаров, О. М. Осмоловская, Н. П. Бобрышева, В. М. Смирнов, И. В. Мурин // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 11-12. - С. 75-82 : рис., табл. - Библиогр.: с. 82 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОКСИД ВАНАДИЯ НАНОРАЗМЕРНЫЙ -- ХАРАКТЕРИСТИКИ МАГНИТНЫЕ -- МЕТОД МОЛЕКУЛЯРНОГО НАСЛАИВАНИЯ -- МАТРИЦЫ -- ФППМ -- ТЕМПЕРАТУРА
Аннотация: Методом молекулярного наслаивания получены образцы чистого и легированного хромом или железом наноразмерного диоксида ванадия различной морфологии на поверхности матриц с различной структурой: аморфном кремнеземе и монокристаллическом кремнии. Образцы охарактеризованы методами фотометрии и магнетохимического анализа. На основании анализа температурных зависимостей магнитных характеристик продемонстрировано наличие в образцах фазового перехода полупроводник-металл (ФППМ) и показано, что его характеристики зависят от типа матрицы, природы и количества легирующего элемента. Температура ФППМ понижается с 340 К (значение, характерное для массивного материала) до 100—180 К в зависимости от состава и строения наших образцов

Найти похожие
 1-10    11-21   21-21 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика