Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (2)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (5)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (26)Расплавы (4)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИК<.>)
Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-21   21-21 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ш 75
Автор(ы) : Шмырева А. Н., Борисов А. В., Максимчук Н. В.
Заглавие : Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 99-104: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с.104 (24 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сенсеры электронные--пленки наноструктурные--метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Аннотация: Изучено влияние технологических параметров получения наноструктурных пленок СеОх на электронные, структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики с целью их применения в качестве активного элемента различных микроэлектронных сенсоров: высокоэффективных фоторезисторов и МДП-фотодиодов для регистрации биолюминесценции, ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) и МДП-варакторов, реагирующих на изменение рН в результате биохимических процессов. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии РФЭС показал, что в зависимости от технологических режимов, прежде всего от температуры подложки, изменяется соотношение концентраций ионов Се3+ и Се4+ в пленках СеОх, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны. Установлена корреляция этих изменений с оптическими и фотоэлектрическими характеристиками. На основе разработанных высокочувствительных фотоприемников и живых организмов (дафнии и биолюминесцентные бактерии) создан портативный электронный биолюменометрический комплекс для определения общей токсичности среды, вызванной патулином, бифентрином и хлорпирофосом. Минимальный порог чувствительности составил для патулина 0.1 мг/л за 2 ч и 0.01 мг/л за 6 и 24 ч эксперимента, бифентрина - 0.01 мг/л за 3 ч и 0.0001 мг/л за 24 ч эксперимента. Показано, что применение нанокристаллических пленок оксида церия СеОх в качестве диэлектрика МДП-структур повышает чувствительность и стабильность сенсоров этого типа благодаря высокой плотности поверхностных чувствительных центров CeOх (до 1020 м-2), большому значению диэлектрической проницаемости (? = 26) и ширине запрещенной зоны (3.6 эВ), низким значениям токов утечек. Приведены результаты применения ИСПТ и МДП-варакторов с нанокристаллической пленкой CeOх для создания иммунных и ферментных биосенсоров. Порог чувствительности ферментного сенсора на основе холинэстеразы к фосфорорганическим пестицидам составляет 10-9 М, ионам тяжелых металлов - 10-7 М. рН-чувствительность ИСПТ - 58 мВ/рН, что близко к максимально возможной чувствительности для структуры полупроводник-диэлектрик-раствор, т.н. Нернстовской чувствительности - 59 мВ/рН
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 91
Автор(ы) : Тутов Е. А.
Заглавие : Адсорбционно-стимулированный фазовый переход полупроводник — металл в диоксиде ванадия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 26-28: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 28 (23 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводник — металл --диоксид ванадия --переход фазовый--терморезистор пленочный--сенсоры--температура
Аннотация: По измерениям температурной зависимости проводимости пленочного терморезистора на основе диоксида ванадия обнаружено повышение температуры фазового перехода полупроводник — металл в VO 2 в атмосфере паров этанола и понижение температуры в парах воды. Проанализированы перспективы использования данного явления в сенсорах
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 60
Автор(ы) : Дайнеко С. В., Артемьев М. В., Набиев И. Р., Тедорадзе М. Г., Чистяков А. А.
Заглавие : Солнечные ячейки на основе гибридных гетероструктур из органических полупроводников и квантовых точек
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 2-6: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 6 (17 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ячейка солнечная--материалы гибридные--нанокристаллы --фотовольтаика--фотолюминесценция--полупроводник органический
Аннотация: Полупроводниковые квантовые точки (КТ) характеризуются высоким коэффициентом экстинкции, зависимым от размера наночастиц, и дают высокий квантовый выход заряда. КТ имеют высокий коэффициент переноса заряда в органический полупроводник. Описаны разработанные гибридные материалы на основе органического полупроводника полиимида (PI) или поли-(2-метокси-5(2'-этил-гексилокси)-1,4-фениленви-нелен) (MEH-PPV) и КТ CdSe. Эффективность фотовольтаического преобразования оптимизированных структур PI-КТ приближается к лучшим структурам на основе MEH-PPV. Включение КТ в MEH-PPV приводит к дополнительному увеличению фотоэффективности этой системы на 50 %, что открывает новые возможности разработки структур на основе неорганических/органических гибридных материалов со значительно улучшенными фотоэлектрическими свойствами
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/С 17
Автор(ы) : Николенко Л. М., Бричкин С. Б., Николаева Т. М., Разумов В. Ф.
Заглавие : Самосборка гибридных наноструктур "полупроводник/J-агрегат органического красителя" в обратных мицеллах АОТ/вода/гексан
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. - С. 72-80: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 80 (25 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гибридные наноструктуры--нанокристаллы--мицеллярный раствор--j-агрегат
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Р 17
Автор(ы) : Фалчари М. М., Семенистая Т. В., Плуготоренко Н. К., Лу П.
Заглавие : Разработка технологии получения газочувствительного материала на основе пан с применением квантово-химических расчетов и метода Монте-Карло
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 34-40: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 40 (31 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводник-- расчеты квантово-химические--метод монте-карло --материал газочувствительный--моделирование энтропическое --пленки электропроводящие
Аннотация: Проведен расчет димера, тримера и тетрамера молекулы полиакрилонитрила (ПАН) с использованием квантово-химического метода. Проведено моделирование образования молекул ПАН методами Ванга—Ландау и энтропического моделирования Монте-Карло на основе модели с фиксированным валентным углом. Разработана технология получения газочувствительного материала на основе ПАН и Ag-содержащего ПАН. Получены электропроводящие пленки ПАН и Ag-содержащего ПАН методом пиролиза под действием некогерентного ИК излучения
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621/383/П 89
Автор(ы) : Пустовалов А. А., Цветков Л. А.
Заглавие : Производство радионуклида никеля-63 высокого обогащения — главное условие создания эффективных бета-вольтаических атомных батарей
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 19-24. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 24 (16 назв.)
УДК : 621/383
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): радионуклид--никель-63--бета-излучение--атомная батарея--центрифужное разделение--бета-вольтаический эффект--полупроводник--срок службы
Аннотация: Рассмотрены и обоснованы существующие возможности получения в промышленном масштабе высокообогащенного (80—85 %) радионуклида никеля-63 с использованием реальных технологий действующих предприятий отечественной промышленности. Никель-63 — искусственный радионуклид, чистый бета-излучатель со средней энергией бета-излучения 18 кэВ, что позволяет на его основе создавать миниатюрные и безопасные в обращении бета-вольтаические атомные батареи микромилливаттного диапазона мощностей со сроком службы не менее 50 лет для применения в разнообразных приборах и устройствах микросистемной техники
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 38
Автор(ы) : Плеханов В. Г., Журавлева Л. М.
Заглавие : Изотопическое создание полупроводникового графена
Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 3. - С. 34-38: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 38 (24 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): графен--полуметалл--изотопы--полупроводник--легирование нейтронное трансмутационное
Аннотация: Многочисленными экспериментами показано, что изотопический эффект в твердом теле перенормирует величину запрещенной энергии Eg в широком классе полупроводников и диэлектриков. Механизм этой перенормировки связан с изменением сильного (ядерного) взаимодействия. В настоящей работе впервые описывается изотопическое открытие Eg в полуметалле графене -важном в современной нанонауке материале, для которого характерно дираковское поведение электронов
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-75
Автор(ы) : Бараночников М. Л., Леонов А. В., Мокрушин А. Д., Мордкович В. Н., Омельяновская Н. М., Пажин Д. М.
Заглавие : Особенности характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двучзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 12. - С. 45-48: рис.
Примечания : Библиогр. : с. 48 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кни-структура--полевой датчик холла--двухзатворная управляющая система--моп-транзистор--ток-затворные и холл-затворные характеристики
Аннотация: Проведены измерения ток-затворных и холл-затворных характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двухзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл. Продемонстрирована возможность управления характеристиками КНИ ПДХ путем раздельного и совместного упрваления потенциалами затворов.
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-75
Автор(ы) : Назаров Д. В, Осмоловская О. М., Бобрышева Н. П., Смирнов В. М., Мурин И. В.
Заглавие : Особенности фазовых переходов в наноразмерном диоксиде ванадия: магнитные характеристики
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 11-12. - С. 75-82: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 82 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоксид ванадия наноразмерный--характеристики магнитные--метод молекулярного наслаивания --матрицы--фппм--температура
Аннотация: Методом молекулярного наслаивания получены образцы чистого и легированного хромом или железом наноразмерного диоксида ванадия различной морфологии на поверхности матриц с различной структурой: аморфном кремнеземе и монокристаллическом кремнии. Образцы охарактеризованы методами фотометрии и магнетохимического анализа. На основании анализа температурных зависимостей магнитных характеристик продемонстрировано наличие в образцах фазового перехода полупроводник-металл (ФППМ) и показано, что его характеристики зависят от типа матрицы, природы и количества легирующего элемента. Температура ФППМ понижается с 340 К (значение, характерное для массивного материала) до 100—180 К в зависимости от состава и строения наших образцов
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-53
Автор(ы) : Олейник А. С., Федоров А. В.
Заглавие : Регистрация лазерного излучения пленочными реверсивными средами на основе диоксида ванадия
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 5-6. - С. 120-129: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 129 (22 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В статье описаны пленочные реверсивные среды на основе диоксида ванадия Al-VO2-Д (диэлектрик) и VO2-Д (диэлектрик), реализующие изменение соответственно оптических и электрических свойств при фотоиндуцированном фазовом переходе полупроводник-металл (ФППМ). Среды получены путем окисления на воздухе напыленных в вакууме пленок ванадия. Приведены оптические, светотехнические параметры, а также разрешающая способность, дифракционная эффективность, энергетическая чувствительность среды Al-VO2-Д в зави- симости от характера лазерного излучения и указаны области ее применения (знакосинтезирующие индикаторы, визуализатор излучения, голографический транспарант). Определен термический гистерезис ФППМ в средах (величина скачка сопротивления, ширина петли гистерезиса) в зависимости от вариации технологии изготовления. Показано применение среды VO2-Д в качестве термочувствительного слоя теплового приемника излучения. Определена постоянная времени приемника, его чувствительность и фундаментальные шумы, ограничивающие чувствительность приемника. Приведены конструкции тепловых приемников излучения
Найти похожие

 1-10    11-21   21-21 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика