Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (2)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (5)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (26)Расплавы (4)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИК<.>)
Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-21   21-21 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1)
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 27-37. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 37 (82 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--металл-диэлектрик-полупроводник--наноэлектроника
Аннотация: Проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 28-41. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 41 (148 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--наноэлектроника--металл-диэлектрик-полупроводник
Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 29-42. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 42 (148 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--наноэлектроника--структура мдп
Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания «эры» данного типа приборных структур
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 19
Автор(ы) : Аверин И. А., Мошников В. А., Пронин И. А.
Заглавие : Влияние типа и концентрации собственных дефектов на свойства структур диоксида олова
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 27-29: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 29 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоксид олова--полупроводник--вакансии кислорода--температура--дефекты точечные
Аннотация: Представлен анализ влияния термодинамически равновесных дефектов на свойства диоксида олова. Показано, что основным источником электронов в исследуемом полупроводнике являются двукратно ионизованные вакансии кислорода. Исследовано распределение собственных точечных дефектов в SnO 2 в зависимости от температуры и времени обработки
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Б 44
Автор(ы) : Беляева А. О., Солнцев В. А.
Заглавие : Моделирование диффузионных процессов через барьерное покрытие в полупроводниковые ветви термоэлектрических модулей
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 1. - С. 2-7: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 7 (4 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: МАТЕМАТИКА-- ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ МАТЕМАТИКА, ЧИСЛЕННЫЙ АНАЛИЗ И ПРОГРАММИРОВАНИЕ
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 73
Автор(ы) : Богданов С. А., Захаров А. Г., Лытюк А. А.
Заглавие : Моделирование распределения потенциала в барьерах шоттки с учетом краевых эффектов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 12-15: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 15 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Разработана методика определения электростатического потенциала в полупроводниковом материале контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки, учитывающая краевые эффекты, а также неоднородное пространственное распределение электрически активных примесей в полупроводнике. Методика позволяет прогнозировать наиболее вероятный механизм переноса носителей заряда в контакте металл-полупроводник с учетом его топологии, а также выполнить дальнейшее моделирование его вольт-амперной характеристики
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/В 65
Автор(ы) : Войлов Д. Н., Новиков Г. Ф., Метелёва-Фишер Ю. В.
Заглавие : Релаксационные свойства нанокомпозита цеолит-полупроводник H-Beta-ZnS: широкополосная диэлектрическая спектроскопия
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 5-6. - С. 72-77: рис., табл. - ISSN 1195-078. - ISSN 1195-078
Примечания : Библиогр. : с. 77 (12 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спектроскопия--диэлектрическая релаксация--цеолитная матрица
Найти похожие
8.

Вид документа :
Шифр издания : 621.317/Д 20
Автор(ы) : Бараночников М. Л., Леонов А. В., Малых А. А., Мордкович В. Н., Мурашев В. Н., Пажин Д. М.
Заглавие : Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 8-11
Примечания : Библиогр.: с. 11 (8 назв.)
УДК : 621.317
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): датчик--преобразование воздействие-частота--кремний-на-изоляторе
Аннотация: Показано, что полевой транзистор со встроенным каналом и управляющей системой типа металл — диэлектрик — полупроводник — диэлектрик — металл может функционировать как чувствительный элемент датчиков внешних воздействий (таких как магнитное поле, температура, радиация), преобразующих воздействия в цифровой сигнал. Датчик основан на принципе изменения частоты автогенератора, в схему которого в качестве нагрузки, изменяющейся при внешних воздействиях, включен упомянутый транзистор. В качестве основы автогенератора может быть использована как специальная ИС, так и эффект самовозбуждения в чувствительном элементе, благодаря особенностям его ВАХ на участке лавинного умножения. Датчики изготовлены по технологии кремний-на-изоляторе
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Д 38
Автор(ы) : Бурлаков И. Д., Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Журавлев К. С.
Заглавие : Детекторы ультрафиолетового диапазона на основе контакта металл- полупроводник из соединения AlGaN
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 37-47: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 47 (27 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): детекторы ультрафиолетового диапазона--барьер шоттки--структуры металл-полупроводник-металл--algan--диапазон длин волн "солнечно-слепой"
Аннотация: Рассмотрены детекторы ультрафиолетового диапазона на основе контакта металл-полупроводник из AlGaN. Проанализированы последние разработки в области дискретных и матричных детекторов на основе барьеров Шоттки, структур металл-полупроводник-металл
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/К 65
Автор(ы) : Биленко Д. И., Галушка В. В., Мысенко И. Б., Терин Д. В.
Заглавие : Контролируемое in situ получение гибридных структур полупроводник-металл на основе пористого кремняи
Место публикации : Нанотехнологии. Наука и производство. - 2014. - № 2 (29). - С. 44-47. - ISSN 2306-0581. - ISSN 2306-0581
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие
 1-10    11-21   21-21 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика