Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (280)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (2)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (25)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (19)Публикации об УрО РАН (11)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (5)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (2)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (39)Расплавы (33)Публикации Чарушина В.Н. (2)Библиометрия (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИКИ<.>)
Общее количество найденных документов : 39
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-39 
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З86/У 74
Автор(ы) : Усанов, Дмитрий Александрович, Скрипаль, Анатолий Владимирович
Заглавие : Полупроводниковые лазерные автодины для измерения параметров движения при микро- и наносмещениях
Выходные данные : Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2014
Колич.характеристики :134, [1] с
Коллективы : Саратовский гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского
Примечания : Библиогр.: с. 128-135
ISBN, Цена 978-5-292-04232-7: 230.00, 230.00, р.
ГРНТИ : 47.35
ББК : З86-5
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
  Оглавление
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 73
Автор(ы) : Богданов С. А.
Заглавие : Моделирование газовой чувствительности кондуктометрических сенсоров на основе неоднородных полупроводников
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 2-7: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 7 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники неоднородные--полупроводники--чувствительность газовая--сенсоры газа кондуктометрические
Аннотация: Разработана методика прогнозирования газовой чувствительности кондуктометрических сенсоров газов с чувствительным слоем на основе поликристаллического полупроводника, учитывающая размеры кристаллических зерен материала чувствительного слоя. Полученные результаты могут быть использованы для оптимизации технологических режимов формирования рассматриваемых сенсоров, а также для прогнозирования их газовой чувствительности
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 74
Автор(ы) : Заблоцкий А. В., Кузин А. Ю., Михеев Н. Н., Никифорова Н. А., Степович М. А., Тодуа П. А., Филиппов М. Н.
Заглавие : Модель квадратичной рекомбинации неосновных носителей заряда в прямозонных полупроводниках для катодолюминесцентной идентификации электрофизических параметров
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 10-12: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 12 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники прямозонные--модель квадратичной рекомбинации --рекомбинация--микроскопия электронная --параметры электрофизические
Аннотация: Рассмотрена возможность использования математической модели квадратичной рекомбинации неосновных носителей заряда, генерированных в однородном прямозонном полупроводниковом материале электронным пучком, для идентификации электрофизических параметров мишени
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Л 27
Автор(ы) : Латохин Д. В., Коновалов А. В., Воронков Э. Н.
Заглавие : Оценка параметров барьеров в нанокристаллических полупроводниковых пленках
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 8-11: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 11 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки--пленки нанокристаллические полупроводниковые--полупроводники--электропроводность--температурная зависимость
Аннотация: Сообщается о методике, с помощью которой на основе температурных зависимостей электропроводности и барьерной модели нанокристаллической полупроводниковой пленки можно выполнить оценку высоты барьеров, их концентрации и размеров кристаллитов. Применение предложенной методики расчетов к нанокристаллическим пленкам Si:H дало удовлетворительные результаты
Найти похожие

5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539.2/С 84
Автор(ы) : Стрекалов, Юрий Анатольевич, Тенякова, Надежда Архиповна
Заглавие : Физика твердого тела : учеб. пособие для вузов
Выходные данные : М.: Инфра-М, [2013]
Колич.характеристики :305, [1] с
Серия: Высшее образование
Примечания : Библиогр.: с. 305
ISBN, Цена 978-5-369-00967-3: 463.71 р.
ГРНТИ : 29.19
ББК : 539.2я73
Предметные рубрики: ФИЗИКА-- ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА-- КРИСТАЛЛОГРАФИЯ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 88
Автор(ы) : Жуков Н. Д., Глуховской Е. Г., Браташов Д. Н.
Заглавие : Исследование фото-, авто-электронной эмиссии в нанозернах антимонида и арсенида индия
Место публикации : Нанотехника. - 2013. - № 1. - С. 51-56: рис., табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 56 (9 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанозерна антимонида и арсенида индия --метод туннельной микроскопии--полупроводники--полупроводники антимонида и арсенида индия --эмиссия низкополевая--явления кулоновской блокады--фоточувствительность--проводимость
Аннотация: Характеристики поля (автоэлектронной) эмиссии от нанозерен антимонида индия и арсенида узкозонных полупроводников были изучены методом туннельной микроскопии. Кулоновской блокады и низкий полевые явления выбросов были обнаружены и объяснены. Повышенная чувствительность фото было замечено для собственных полупроводников проводимости. Это делает их перспективным с точки зрения использования их в качестве ИК фото autocathodes
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 17
Автор(ы) : Самохвалов П. С., Артемьев М. В., Набиев И. Р.
Заглавие : Современные методы синтеза люминесцентных полупроводниковых нанокристаллов для биомедицинских приложений
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т.8, № 5-6. - С. 119-129: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 129 (83 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанокристаллы--полупроводники типа aiibvi--точки квантовые типа «ядро/оболочка» из cdse, cds, znse --метод синтеза коллоидных квантовых точек--нанокластеры--красители органические флуоресцентные
Аннотация: В обзоре представлены основные современные методы коллоидного синтеза квантовых точек типа «ядро/оболочка» из CdSe, CdS, ZnSe и других полупроводников типа AIIBVI, обладающих высоким квантовым выходом люминесценции. Обсуждаются достоинства и недостатки разрабатываемого в настоящее время безынжекционного метода синтеза коллоидных квантовых точек в сравнении с классическим инжекционным синтезом. На начальной стадии безынжекционного метода синтеза происходит образование метастабильных нанокластеров «магического» размера, причем их дальнейшая перекристаллизация обуславливает медленный контролируемый рост нанокристаллов строго определенного размера с минимальным количеством дефектов. Формирование защитной оболочки из более широкозонного материала на поздних стадиях роста ядер приводит к образованию градиентных квантовых точек с плавным переходом от ядра к оболочке без напряжений и дефектов в переходной зоне, сглаживает потенциальный барьер для носителей зарядов и приближает квантовый выход фотолюминесценции к 100 %. Такой подход может найти применение и в других полупроводниковых системах, позволяя получать люминесцентные нанокристаллы для всего видимого диапазона, а также в УФ- и ближней ИК-областях. Такие нанокристаллы могли бы заменить люминофоры на основе органических флуоресцентных красителей и редкоземельных соединений из областей их промышленного применения
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 38
Автор(ы) : Плеханов В. Г., Журавлева Л. М.
Заглавие : Изотоптроника - новое направление нанонауки
Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 88-93: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 93 (18 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): изотоптроника--экситоны--структуры низкоразмерные--компьютеры квантовые--полупроводники--материалы изотопические для инженерии
Аннотация: Изотоптроника - это новое направление нанонауки. Настоящая работа посвящена краткому описанию основ и главных приложений этого нового и весьма перспективного направления в медицине, геохронологии, волоконно-оптической связи наряду с запоминающими устройствами, а также твердотельными процессорами для квантовых компьютеров
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Р 25
Автор(ы) : Раткин Л. С.
Заглавие : Отечественные и зарубежные нанотехнологические научные школы, взаимодействующие с Российской академией наук
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 2-5. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 5 (2 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): российская академия наук (ран) --нанотехнологии--наноматериалы--компьютеры квантовые--наножидкости--полупроводники--офн ран--онит ран--охнм ран
Аннотация: В декабре 2011 г. в Москве состоялась научная сессия Общего собрания Российской академии наук (РАН), посвященная трехсотлетию со дня рождения М. В. Ломоносова. На Общем собрании РАН состоялись выборы действительных членов (академиков), членов-корреспондентов и иностранных членов РАН. По Отделению физических наук (ОФН) РАН, Отделению нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ) РАН и Отделению химии и наук о материалах (ОХНМ) РАН от ряда отечественных и зарубежных научных школ были избраны члены РАН по нанотехнологическим специальностям
Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 53/О-74
Автор(ы) : Осипьян, Юрий Андреевич (1931-2008)
Заглавие : Избранные труды : сборник
Выходные данные : М.: Борей, 2012
Колич.характеристики :477, [2] с
Коллективы : Ин-т физики твердого тела РАН
ISBN, Цена 978-5-98393-020-9: 200.00 р.
ГРНТИ : 29
ББК : 53д(2)я43(2)
Предметные рубрики: ФИЗИКА-- ФИЗИКА В ЦЕЛОМ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-39 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика