Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (280)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (2)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (25)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (19)Публикации об УрО РАН (11)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (5)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (2)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (39)Расплавы (33)Публикации Чарушина В.Н. (2)Библиометрия (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИКИ<.>)
Общее количество найденных документов : 39
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-39 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-62
Автор(ы) : Ильин Н. А., Никонорова Т. В., Шерстюк Н. Э., Мишина Е. Д.
Заглавие : Оптические свойства фотонно-кристаллических структур на основе монокристаллического GaAs
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 3. - С. 17-20: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 20 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Представлены результаты численного моделирования и экспериментального исследования оптических свойств двумерных полупроводниковых фотонных кристаллов в зависимости от параметров структур. Исследовано распределение электромагнитного поля в структуре фотонный кристалл-волновод в зависимости от параметров структуры и длины волны излучения
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 76
Автор(ы) : Сякина С. Д., Никитина Л. В., Симаков В. В., Синев И. В., Чичварина О. Г.
Заглавие : Стабильность электрических свойств широкозонных газочувствительных наноструктурированных материалов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 7. - С. 10-14: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 14 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Влияние сорбции на сопротивление тонких пленок оксидов металлов широко применяется в сенсорах газа. Адсорбция на поверхности широкозонных полупроводников, например, диоксида олова, частиц газа-окислителя приводит к захвату носителей заряда из объема зерен и вызывает изменение электрофизических свойств материала. В качестве регистрируемого параметра у газочувствительных слоев обычно используют значение проводимости пленки в газовой пробе. В работе предлагается использовать для детектирования газов различной природы поликристаллические слои SnO2 с зернами цилиндрической формы (наностержни), вследствие большей термической стабильности их электрофизических свойств по сравнению со слоями, состоящими из зерен сферической формы. Такая особенность наностержней обусловлена слабой зависимостью проводимости отдельных зерен слоев от геометрических размеров межзерен-ных перешейков, которые образуются при повышенных температурах, вследствие сращивания отдельных зерен
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 74
Автор(ы) : Пономарев Д. С., Васильевский И. С., Галиев Г. Б., Климов Е. А., Хабибуллин Р. А., Кульбачинский В. А.
Заглавие : Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 16-19: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 19 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InР с составной квантовой ямой (КЯ) InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова - де Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m*с с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в КЯ нановставками InAs позволяет уменьшить m*с на 26 % по сравнению с КЯ In0,53Ga0,47As
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Е 28
Автор(ы) : Еганова Е. М., Воронков Э. Н.
Заглавие : Электрические свойства халькогенидных пленок, содержащих наночастицы золота
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - №12. - С. 15-17: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с.17 (2 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники халькогенидные стеклообразные--наночастицы--золото--электропроводность
Аннотация: Приведены результаты изучения электрических характеристик пленок As2Se3, содержащих наночастицы золота. Экспериментам предшествовал предварительный расчет зависимости электропроводности от объемного содержания наночастиц на основе стандартных моделей, используемых для композитных материалов. При сравнении экспериментальных данных с расчетными обнаружены значительные расхождения, которые указывают на взаимодействие структурной матрицы с внедренными наночастицами
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Е 80
Автор(ы) : Ершова Е. В., Овакимян К. Г., Григорьев Д. В.
Заглавие : Твердотельные солнечные батареи
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 12 . - С. 41-45: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 45 (3 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): батареи солнечные твердотельные--полупроводники--концентраторы--линза френеля
Аннотация: Обобщаются лучшие в России результаты по высокоэффективному преобразованию энергии Солнца твердотельными гетероэпитаксиальными полупроводниковыми элементами. КПД таких батарей стабильно превышает 35 %, и видны пути его повышения. Рассмотрены и структура фотоэлемента, и конструкции солнечных ячеек, и контроль качества, а также выводы и перспективы развития солнечных модулей
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 83
Автор(ы) : Григорьев Д. В.
Заглавие : Экономика солнечной энергетики
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 12 . - С. 49-50: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 50 (3 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): энергетика--полупроводники--энергетика альтернативная--мощности солнечные
Аннотация: Данная статья носит экономический характер. В ней показаны ключевые игроки рынка солнечных преобразователей, а также дан прогноз на изменение цены энергии, получаемой от Солнца
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Р 25
Автор(ы) : Раткин Л. С.
Заглавие : Отечественные и зарубежные нанотехнологические научные школы, взаимодействующие с Российской академией наук
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 2-5. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 5 (2 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): российская академия наук (ран) --нанотехнологии--наноматериалы--компьютеры квантовые--наножидкости--полупроводники--офн ран--онит ран--охнм ран
Аннотация: В декабре 2011 г. в Москве состоялась научная сессия Общего собрания Российской академии наук (РАН), посвященная трехсотлетию со дня рождения М. В. Ломоносова. На Общем собрании РАН состоялись выборы действительных членов (академиков), членов-корреспондентов и иностранных членов РАН. По Отделению физических наук (ОФН) РАН, Отделению нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ) РАН и Отделению химии и наук о материалах (ОХНМ) РАН от ряда отечественных и зарубежных научных школ были избраны члены РАН по нанотехнологическим специальностям
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 73
Автор(ы) : Богданов С. А.
Заглавие : Моделирование газовой чувствительности кондуктометрических сенсоров на основе неоднородных полупроводников
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 2-7: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 7 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники неоднородные--полупроводники--чувствительность газовая--сенсоры газа кондуктометрические
Аннотация: Разработана методика прогнозирования газовой чувствительности кондуктометрических сенсоров газов с чувствительным слоем на основе поликристаллического полупроводника, учитывающая размеры кристаллических зерен материала чувствительного слоя. Полученные результаты могут быть использованы для оптимизации технологических режимов формирования рассматриваемых сенсоров, а также для прогнозирования их газовой чувствительности
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 17
Автор(ы) : Самохвалов П. С., Артемьев М. В., Набиев И. Р.
Заглавие : Современные методы синтеза люминесцентных полупроводниковых нанокристаллов для биомедицинских приложений
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т.8, № 5-6. - С. 119-129: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 129 (83 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанокристаллы--полупроводники типа aiibvi--точки квантовые типа «ядро/оболочка» из cdse, cds, znse --метод синтеза коллоидных квантовых точек--нанокластеры--красители органические флуоресцентные
Аннотация: В обзоре представлены основные современные методы коллоидного синтеза квантовых точек типа «ядро/оболочка» из CdSe, CdS, ZnSe и других полупроводников типа AIIBVI, обладающих высоким квантовым выходом люминесценции. Обсуждаются достоинства и недостатки разрабатываемого в настоящее время безынжекционного метода синтеза коллоидных квантовых точек в сравнении с классическим инжекционным синтезом. На начальной стадии безынжекционного метода синтеза происходит образование метастабильных нанокластеров «магического» размера, причем их дальнейшая перекристаллизация обуславливает медленный контролируемый рост нанокристаллов строго определенного размера с минимальным количеством дефектов. Формирование защитной оболочки из более широкозонного материала на поздних стадиях роста ядер приводит к образованию градиентных квантовых точек с плавным переходом от ядра к оболочке без напряжений и дефектов в переходной зоне, сглаживает потенциальный барьер для носителей зарядов и приближает квантовый выход фотолюминесценции к 100 %. Такой подход может найти применение и в других полупроводниковых системах, позволяя получать люминесцентные нанокристаллы для всего видимого диапазона, а также в УФ- и ближней ИК-областях. Такие нанокристаллы могли бы заменить люминофоры на основе органических флуоресцентных красителей и редкоземельных соединений из областей их промышленного применения
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 88
Автор(ы) : Жуков Н. Д., Глуховской Е. Г., Браташов Д. Н.
Заглавие : Исследование фото-, авто-электронной эмиссии в нанозернах антимонида и арсенида индия
Место публикации : Нанотехника. - 2013. - № 1. - С. 51-56: рис., табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 56 (9 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанозерна антимонида и арсенида индия --метод туннельной микроскопии--полупроводники--полупроводники антимонида и арсенида индия --эмиссия низкополевая--явления кулоновской блокады--фоточувствительность--проводимость
Аннотация: Характеристики поля (автоэлектронной) эмиссии от нанозерен антимонида индия и арсенида узкозонных полупроводников были изучены методом туннельной микроскопии. Кулоновской блокады и низкий полевые явления выбросов были обнаружены и объяснены. Повышенная чувствительность фото было замечено для собственных полупроводников проводимости. Это делает их перспективным с точки зрения использования их в качестве ИК фото autocathodes
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-39 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика