Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (272)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (46)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (36)Публикации об УрО РАН (15)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (3)Гибель династии Романовых (2)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (14)Труды Института истории и археологии УрО РАН (1)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (23)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (8)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (156)Расплавы (5)Публикации Черешнева В.А. (1)Публикации Чарушина В.Н. (3)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (13)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=РЕЗОНАНС<.>)
Общее количество найденных документов : 12
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-12 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 91
Автор(ы) : Астахов М. В., Дутов И. В., Родин А. О.
Заглавие : Взаимодействие аморфного ферромагнитного микропровода с электромагнитным излучением
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 4. - С. 28-30: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 30 (3 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ферромагнитный микропровод--резонанс--электромагнитное поле
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Е 50
Автор(ы) : Елесин В. Ф., Ремнев М. А.
Заглавие : Влияние уровня в спейсере эмиттера на пиковый ток резонансно-туннельного диода
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 85-88: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 88 (19 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): резонансно-туннельный диод--ток--диод --резонанс --шредингер--слой эмиттера спейсерного
Аннотация: При помощи численного решения уравнения Шредингера была исследована зависимость пикового тока на вольт-амперной характеристике резонансно-туннельного диода от толщины спейсерного слоя эмиттера. Эта зависимость имеет ярко выраженные максимумы. Причем пиковый ток в максимумах намного превышает пиковый ток в отсутствии спейсера. Был выяснен механизм образования максимумов. Они связаны с перекрытием уровня в треугольной яме, образованной спейсерным слоем эмиттера, и резонансным уровнем квантовой ямы. Исследование влияния межэлектронного взаимодействия на полученный эффект показало, что взаимодействие практически не влияет на пиковый ток в прямом направлении приложения напряжения и несколько уменьшает его в обратном
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.81; 53.082/Д 20
Автор(ы) : Бурдин Д. А., Фетисов Ю. К., Чашин Д. В., Экономов Н. А.
Заглавие : Датчик магнитных полей гетеродинного типа на основе нелинейного магнитоэлектрического эффекта
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 2. - С. 38-42. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 42 (14 назв.)
УДК : 537.81; 53.082
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магнитоэлектрический эффект--пьезоэлектрик--ферромагнетик--датчик магнитного поля
Аннотация: Описан широкополосный частотно-селективный датчик магнитных полей гетеродинного типа, использующий нелинейный магнитоэлектрический эффект в планарной структуре ферромагнетик—пьезоэлектрик. Изготовлен макет датчика на основе структуры со слоями из пьезоэлектрического лангатата и аморфного ферромагнетика. Смешение полей в структуре происходит из-за нелинейности магнитострикции ферромагнетика. Для фильтрации и усиления сигнала использован акустический резонанс структуры, что увеличивает чувствительность датчика на ~2 порядка по сравнению с датчиками, использующими линейный магнитоэлектрический эффект. Датчик работает без поля смещения, позволяет регистрировать минимальные поля до ~10 -5 Э и может быть использован в различных микроэлектромеханических системах
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/И 88
Автор(ы) : Малышев В. Н., Мамыкин А. И., Марголин В. И., Тупик В. А.
Заглавие : Исследование поверхностных аквакомплексов в пористых кристаллах методом ядерного магнитного резонанса
Место публикации : Нанотехника. - 2009. - № 1. - С. 99-103: ил.
Примечания : Библиогр. : с. 103 (7 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пористые кристаллы--ядерный магнитный резонанс
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 96
Автор(ы) : Ацаркин В. А., Демидов В. В., Ногинова Н. Е.
Заглавие : Магнитный резонанс в наночастицах : между ферро- и парамагнетизмом
Место публикации : Нанотехника. - 2008. - № 4. - С. 81-87: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 87 (30 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/М 12
Автор(ы) : Ринкевич А. Б., Устинов В. В., Самойлович М. И., Клещева С. М., Кузнецов Е. А.
Заглавие : Магнитный резонанс в опаловых матрицах с 3D-структурой, образованной наночастицами никель-цинкового и марганец-цинкового феррита
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 1. - С. 23-29: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 29 (10 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанокомпозиты--микрофотоника
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-11
Автор(ы) : Стороженко А. М., Полунин В. М., Танцюра А. О., Ряполов А. Н.
Заглавие : О влиянии концентрации магнитных наночастиц в магнитной жидкости на результаты акустогранулометрии
Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 3. - С. 49-53: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 53 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастица--поле магнитное--жидкость магнитная--метод акустогранулометрии --резонанс--наночастицы магнитные
Аннотация: Описана усовершенствованная методика оценки размеров наночастиц магнитной жидкости (МЖ) на основе анализа полевой зависимости амплитуды ЭДС, индуцируемой в колебательном контуре при распространении звуковой волны в намагниченной жидкости. Показано, что полевая зависимость магнитной восприимчивости измерительной катушки индуктивности может не учитываться при анализе результатов измерений. Сравниваются оценочные значения линейных размеров магнитных частиц дисперсной фазы в концентрированном образце МЖ, полученные методом акустогранулометрии и на основе анализа кривой намагничивания
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Е 50
Автор(ы) : Елесин В. Ф., Катеев И. Ю., Сукочев А. Ю.
Заглавие : Переходные процессы в резонансно-туннельном диоде с учетом межэлектронного взаимодействия
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 81-84: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 84 (14 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диод резонансно-туннельный--процессы переходные--взаимодействие межэлектронное --ток--ртд--резонанс
Аннотация: Исследовано влияние сильного межэлектронного взаимодействия на переходные процессы в резонансно-туннельном диоде (РТД). С помощью численного решения уравнения Шредингера в приближении Хартри рассчитан нестационарный ток, возникающий в РТД при мгновенном переключении напряжения смещения и включении потока. Рассчитан переход РТД при наличии гистерезиса из состояния с большим током в состояние с малым током. Изучен характер и найдено время этого перехода. Показано, что при скачках напряжения, больших ширины уровня Г, возможно очень быстрое переключение за времена порядка 10-13 c и РТД может быть использован как сверхбыстрый переключатель. Найдено, что установление процессов конструктивной интерференции в квантовой яме и деструктивной в эмиттере происходит за времена порядка 5/Г
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 96
Автор(ы) : Даниличев С. А., Лебедев С. В., Фетисов Ю. К., Чашин Д. В.
Заглавие : Пьезоэлектрический датчик магнитного поля на основе камертона с биморфными элементами
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 33-35: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 35 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): датчик магнитного поля --датчик пьезоэлектрический --элементы биморфные --сила ампера--пьезоэффект--цирконат-титанат свинца
Аннотация: Исследован датчик постоянных магнитных полей на основе камертона с биморфными элементами из пьезокерамики цирконата титаната свинца, возбуждаемый переменным электрическим током. Датчик использует силу Ампера, пьезоэффект и резонанс акустических колебаний камертона для повышения чувствительности. Датчик имеет чувствительность до 450 В/(А • Тл) и линейную зависимость выходного напряжения от тока и магнитной индукции в диапазоне от ~10 -6 до 0,3 Тл
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 96
Автор(ы) : Сопильняк А. А., Фетисов Ю. К., Лебедев С. В., Сегалла А. Г.
Заглавие : Пьезоэлектрический резонансный датчик магнитного поля на основе планарной биморфной структуры с возбуждающей электромагнитной катушкой
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 33-37: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 37 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Описан пьезоэлектрический датчик постоянных магнитных полей на основе планарной биморфной структуры из цирконата титаната свинца, возбуждаемый электромагнитной катушкой. Датчик использует силу Ампера, пьезоэффект и резонанс изгибных колебаний структуры для увеличения выходного напряжения. Датчик имеет чувствительность ~250 В/(А-Тл) и линейную зависимость выходного напряжения от поля в диапазоне полей ~10-5...0,3 Тл. Разработана методика расчета характеристик датчика
Найти похожие

 1-10    11-12 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика