Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Главная

Новые поступления

Описание

Базы данных

Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и продолжающихся изданий

Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН

Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )

Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)

Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)

Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН

Публикации об УрО РАН

Изобретения уральских ученых

Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)

Нанотехнологии

Демидовские премии

Гибель династии Романовых

История Урала

Личная библиотека С. В. Вонсовского

Книжная коллекция Шубиных

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН

Труды Института истории и археологии УрО РАН

Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН

Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН

Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН

Расплавы

Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН

Публикации Черешнева В.А.

Публикации Чарушина В.Н.

Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН

Электронная энциклопедия «Дискурсология»

Библиометрия

Область поиска

Найдено в других БД:

Каталог книг и продолжающихся изданий (11)

Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (1)

Демидовские премии (4)

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (2)

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (4)

Публикации Черешнева В.А. (2)

Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=РЭМ<.>)

Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8

Инвентарный номер: нет.

   Т 36


    Тест-объекты с прямоугольным и трапециевидным профилями рельефа для растровой электронной и атомно-силовой микроскопии [Текст] / В. Гавриленко [и др.] // Наноиндустрия. - 2008. - № 4. - С. 24-30 : рис., табл. - Библиогр.: с. 30 (14 назв.) . - ISSN 1993-8578

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗОНД -- АНИЗОТРОПНОЕ ТРАВЛЕНИЕ
Аннотация: В конце XX и начале XXI века экономику высокоразвитых стран характеризует освоение высоких технологий, главная из которых - нанотехнология. Она оперирует с размерами, лежащими в диапазоне 1-100 нм, что требует обеспечения единства линейных измерений в нанометровом диапазоне. В мировой практике линейные измерения в нанометрической области осуществляются на растровых электронных (РЭМ) [2-4] и атомно-силовых (АСМ) [5-7] микроскопах. Для калибровки РЭМ и АСМ в качестве тест-объектов используются периодические [3], шаговые [2, 8] и одиночные [4] рельефные структуры на поверхности твердого тела

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Р 76


    Российский прототип международного тест-объекта нанорельефа для РЭМ и АСМ [] / В. Гавриленко [и др.] // Наноиндустрия. - 2008. - № 6. - С. 22-26 : рис. - Библиогр. : с. 26 (10 назв.) . - ISSN 1993-8578

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   П 76


    Применение виртуального растрового электронного микроскопа для определения диаметра проецирующей микролинзы атомного нанолитографа / А. В. Заболоцкий [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 11. - С. 2-7 : рис. - Библиогр. : с. 7 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586

ББК 623.7
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
РЭМ -- НАНОМЕТРОЛОГИЯ -- ОПТИКА АТОМНАЯ -- НАНОЛИТОГРАФИЯ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Р 25

    Раткин , Л. С.
    Перспективы развития размерной метрологии в сфере нанотехнологий и микроэлектроники / Л. С. Раткин // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 2-6. - Библиогр. : с. 6 (18 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОТЕХНОЛОГИИ -- МЕТРОЛОГИЯ -- МЕТРОЛОГИЯ РАЗМЕРНАЯ -- АСМ -- РЭМ
Аннотация: Научная сессия Отделения нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ) Российской академии наук (РАН), доведенная в Москве в 2010 году под председательством директора Физико-технологического института РАН академика Орликовского А. А., была посвящена перспективам развития размерной метрологии в сфере нанотехнологий и микроэлектроники. На сессии, в частности, обсуждались вопросы стандартизации и метрологического обеспечения в микро- и нанотехнологиях, нанометрологии при измерениях геометрических параметров изделий, калибровки растровых электронных микроскопов (РЭМ) и атомно-силовых микроскопов (АСМ), прецизионных измерений в нанометровом диапазоне, нейтронно-синхротронного исследования наноматериалов, сканирующей зондовой микроскопии для изучения наносистем и наноматериалов

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   К 63


    Компьютерное моделирование средств измерений в нанометрологии / А. В. Заблоцкий [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 8. - С. 2-6 : рис. - Библиогр. : с. 6 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АСМ -- РЭМ -- НАНОМЕТРОЛОГИЯ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   И 88


    Исследование структуры однослойных покрытий TiN и многослойных покрытий TiN/ZrN / П. Л. Журавлева, И. А. Тренинков [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 9-10. - С. 112-116 : рис., табл. - Библиогр. : с. 116 (4 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОКРЫТИЯ ОДНОСЛОЙНЫЕ TIN -- ПОКРЫТИЯ МНОГОСЛОЙНЫЕ TIN/ZRN -- МЕТОД ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ (пэм) -- МЕТОД РЕНТГЕНОСТРУКТУРНОГО АНАЛИЗА (РСА)
Аннотация: B работе исследована структура ионоплазменных покрытий (однослойное - TiN и многослойное - TiN/ZrN), нанесенных на подложки из сплава ЭИ961, и определены величины остаточных напряжений в основных фазах покрытий. Исследование методом растровой электронной микроскопии (РЭМ) показало, что покрытие TiN/ZrN имеет периодичную слоистую структуру. Измерены толщины покрытий (~ 17 мкм) и толщины отдельных слоев (~ 75 нм). Результаты темнопольных исследований методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) показали, что слои TiN и ZrN являются поликристаллическими, размеры зерен сопоставимы с размерами слоев. Методом рентгеноструктурного анализа (РСА) определен фазовый состав покрытий, выбраны рентгеновские линии для определения остаточных напряжений (ОН), установлена однородность химического состава по глубине покрытия. В результате анализа остаточных напряжений показано, что в многослойном покрытии величина ОН на 40 % меньше, чем в однослойном. Напряжения в покрытиях являются сжимающими. Образцы с покрытием находятся в объемном напряженном состоянии, следовательно, напряжения в подложках обратны по знаку напряжениям в покрытиях. В многослойном покрытии величина ОН в фазе TiN на порядок меньше, чем в фазе ZrN

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   В 58


    Влияние контаминации в РЭМ на профиль рельефных элементов нанометрового диапазона / В. П. Гавриленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 2. - С. 2-6 : рис. - Библиогр. : с. 6 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕМЕНТЫ РЕЛЬЕФНЫЕ -- ДИАПАЗОН НАНОМЕТРОВЫЙ -- МИКРОСКОП РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ -- КОНТАМИНАЦИЯ
Аннотация: Представлены результаты исследований влияния контаминации в РЭМ S-4800 на профиль рельефных элементов меры нанометрового диапазона МШПС-2.0К. Показано, что в результате электронного облучения изменяется форма профиля рельефных элементов, представлены зависимости их параметров от дозы электронного облучения для разных режимов облучения

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   В 58


    Влияние контаминации в низковольтном растровом электронном микроскопе на профиль рельефных элементов нанометрового диапазона / В. П. Гавриленко, А. Ю. Кузин, В. Б. Митюхляев, А. В. Раков, П. А. Тодуа, М. Н. Филиппов, В. А. Шаронов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 2-5 : рис. - Библиогр.: с. 5 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДОЗА ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ -- ЭЛЕМЕНТЫ РЕЛЬЕФНЫЕ -- КОНТАМИНАЦИЯ -- МИКРОСКОП НИЗКОВОЛЬТНЫЙ РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ
Аннотация: Представлены результаты исследований влияния контаминации в РЭМ S-4800 при энергии электронов 1 кэВ на профиль рельефных элементов меры МШПС-2.0К. Показано, что в результате электронного облучения увеличивается ширина нижнего основания рельефных элементов и получены зависимости ширины нижнего основания от дозы электронного облучения при разных режимах облучения. Приведены результаты влияния режима облучения на толщину контаминационной пленки

Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)