Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (47)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (2)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (1)Изобретения уральских ученых (3)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (2)Расплавы (3)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (3)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=СВЧ<.>)
Общее количество найденных документов : 25
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-25 
1.
Инвентарный номер: 206797 - кх.
   537
   Я 89


    Яфаров, Равиль Кашишафович.
    Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий [] : монография / Р. К. Яфаров. - М. : Физматлит, 2009. - 216 с. - Библиогр.: с. 205-216. - ISBN 978-5-9221-1150-8 : 212.40 р.
ГРНТИ
ББК 537.527.2
Рубрики: ФИЗИКА--ЭЛЕКТРИЧЕСТВО

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   У 74


    Усанов, А. Д.
    Влияние внешних физических воздействий на свч характеристики композитных материалов, содержащих углеродные микро- и нановключения / А. Д. Усанов, А. В. Скрипаль , А. В. Романов // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 3. - С. 12-16 : рис. - Библиогр. : с. 16 (20 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
УЛЬТРАЗВУК -- КРИСТАЛЛЫ ФОТОННЫЕ МИКРОПОЛОСКОВЫЕ -- КОМПОЗИТЫ -- НАНОТРУВКИ УГЛЕРОДНЫЕ -- ПРОНИЦАЕМОСТЬ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ
Аннотация: Исследованы электрофизические свойства композитных материалов на основе эпоксидного клея с включениями в виде углеродных нанотрубок и частиц мелкодисперсного графита в диапазоне частот от 0,1 до 6 ГГц. Проведено исследование воздействия физических факторов (ультразвук, давление) на комплексную диэлектрическую проницаемость композитного материала с углеродными микро- и нановключениями в ходе его изготовления. Показано, что существует оптимальное время обработки композитного материала ультразвуком, при котором для заданной концентрации включений достигается максимальная его электропроводность. Получено, что с ростом внешнего давления при отверждении композитного материала мнимая часть диэлектрической проницаемости композита возрастает по линейному закону

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 56


    Томош, К. Н.
    Характеристики и использование вч и свч разрядов при создании твердотельных полупроводниковых приборов / К. Н. Томош // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 47-52 : рис. - Библиогр.: с. 52 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛАЗМА -- СВЧ РАЗРЯД -- ВЧ РАЗРЯД -- РЕАКТОР -- МАГНИТНОЕ ПОЛЕ -- ТРАВЛЕНИЕ
Аннотация: Представлена информация обзорного характера о применении плазмы ВЧ и СВЧ разряда в технологических процессах производства изделий электронной техники. Указаны области технического применения СВЧ разрядов и основные характеристики структур, формируемых под их воздействием

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 87


   
    Структура и СВЧ магнитная проницаемость тонких пленок кобальта / С. С. Маклаков, С. А. Маклаков, И. А. Рыжиков, К. Н. Розанов, А. В. Осипов, А. С. Набоко, В. А. Амеличев, С. В. Куликов // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 65-69 : рис., табл. - Библиогр.: с. 69 (29 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- ТЕКСТУРА КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКАЯ -- ПРОНИЦАЕМОСТЬ МАГНИТНАЯ -- КОБАЛЬТ -- РАСПЫЛЕНИЕ МАГНЕТРОННОЕ
Аннотация: Обнаружено увеличение частоты ферромагнитного резонанса от 3 до 5.5 ГГц в тонких пленках Co при увеличении размера кристаллитов от 6 до 70 нм. Изменение структуры достигается увеличением скорости нанесения металла от 4.2 до 7.1 нм/мин при магнетронном распылении на постоянном токе. Пленки Со обладают одноосной кристаллографической текстурой. Положение оси текстуры меняется в зависимости от параметров нанесения Со, что влияет на планарную магнитную анизотропию. Предложена модель, описывающая обнаруженные изменения

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 25


    Раткин , Л. С.
    Современные технологии проектирования, конструирования и производства нано-и микроэлектромеханических систем / Л. С. Раткин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 2-5. - Библиогр.: с. 5 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СПЕКТР ШИРОКИЙ АСПЕКТНЫХ ОТНОШЕНИЙ -- СВЧ СИСТЕМЫ НА КРИСТАЛЛЕ С ЭЛЕМЕНТАМИ МЭМС НА НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ -- СИСТЕМЫ ВИБРОАКУСТИЧЕСКИЕ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЕ -- КАНАЛ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ИНФОРМАЦИОННЫЙ -- ИНФОРМАТИКА КВАНТОВАЯ -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- НЭМС -- РАН
Аннотация: На состоявшейся 29 февраля 2012 г. научной сессии Отделения нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ) Российской академии наук (РАН) рассматривалась проблематика проектирования, конструирования и производства наноэлектромеханических и микроэлектромеханических систем (НЭМС и МЭМС). Особое внимание уделялось технологиям глубокого плазменного травления структур МЭМС с широким спектром аспектных отношений, созданию виброакустических микромеханических систем с волоконно-оптическим информационным каналом, квантовой информатике НЭМС, сверхвысокочастотным (СВЧ) системам на кристалле с элементами МЭМС на наногетероструктурах в арсениде галлия и технологическим основам создания микропреобразователей параметров движения на принципах переноса массы и заряда в электрохимических микросистемах

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 24


   
    Расчет и изготовление узкополосного СВЧ микроэлектромеханического переключателя для частотного диапазона 10...12 ГГц на подложках арсенида галлия / П. П. Мальцев, М. В. Майтама, А. Ю. Павлов, Н. В. Щаврук // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 30-33. - Библиогр.: с. 33 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ (МЭМС) -- СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ -- РАСЧЕТ МЭМС-ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Аннотация: Рассмотрены вопросы проектирования и изготовления дискретных электростатических СВЧ переключателей на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС) на пластинах арсенида галлия и оценки возможности интегрирования их в общую схему с монолитными интегральными схемами (МИС) приемо-передающих устройств, изготовленных в едином производственном цикле

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 44


   
    Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов: моделирование и эксперимент / Р. А. Хабибуллин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 21-24 : рис., табл. - Библиогр. : с. 24 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- СВЧ ЭЛЕКТРОНИКА -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовалась подвижность электронов в гетероструктурах с высокой электронной плотностью в составной квантовой яме AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs. Предложен новый тип структуры с двусторонним дельта-легированием кремнием переходных слоев GaAs, расположенных на границах квантовой ямы. При таком легировании одновременно с высокой концентрацией электронов ns = 1,37-1013 см-2 получено наибольшее значение электронной подвижности иН= 1520 см2/В. с при 300 К

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 41


    Побойкина, Н. В.
    Использование алмаза в качестве теплоотводяшего элемента: методы и устройства вырашивания алмазных пленок и пластин / Побойкина // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 3. - С. 23-27. - Библиогр.: с. 27 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ АЛМАЗНЫЕ ПЛЕНКИ -- CVD-МЕТОД -- ПЛАСТИНЫ
Аннотация: Приводится краткий обзор организаций, занимающихся в России выращиванием поликристаллических алмазных пленок. Рассмотрены наиболее распространенные в мире конструкции СВЧ плазменных технологических установок

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Н 69


   
    Нитридные приборы миллиметрового диапазона / П. Мальцев, Ю. Федоров, Р. Галиев, С. Михайлович, Д. Гнатюк // Наноиндустрия. - 2014. - № 3(49). - С. 40-51 : рис., табл., граф. - Библиогр.: с. 51 (33 назв.) . - ISSN 1993-8578
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА -- СВЧ-ПРИБОР -- ШИРОКОЗОННАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА
Аннотация: Анализ современного состояния и основных направлений развития технологии создания миллиметровых СВЧ-приборов на широкозонных гетероструктурах (Al,Ga,In)N/GaN показывает, что достигнутый в ИСВЧПЭ РАН технологический уровень находится в хорошем соответствии с общемировыми тенденциями и достижениями. Это создает предпосылки для создания и освоения российского промышленного производства комплектов монолитных интегральных схем для приемопередающих систем Ка-, V- и W-диапазонов частот, превосходящих по своим параметрам СВЧ-приборы на арсенидных гетероструктурах.

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 74


   
    Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs / Д. С. Пономарев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 16-19 : рис., табл. - Библиогр. : с. 19 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ТИПА А3В5
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InР с составной квантовой ямой (КЯ) InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова - де Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m*с с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в КЯ нановставками InAs позволяет уменьшить m*с на 26 % по сравнению с КЯ In0,53Ga0,47As

Найти похожие

 1-10    11-20   21-25 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика