Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (47)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (2)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (1)Изобретения уральских ученых (3)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (2)Расплавы (3)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (3)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=СВЧ<.>)
Общее количество найденных документов : 25
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-25 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 43
Автор(ы) : Белкин Л. М., Белкин М.Е.
Заглавие : Бесструктурная модель поверхностно излучающего лазера с полосой модуляции в свч диапазоне
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 9-17: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 17 (17 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Предложена бесструктурная (в виде эквивалентной электрической схемы) нелинейная модель поверхностно излучающего лазера с вертикальным резонатором (VCSEL), пригодная для разработчиков аппаратуры современных сверхскоростных цифровых и аналоговых ВОСП с полосой поднесущих в СВЧ диапазоне, локальных телекоммуникационных систем волоконно-эфирной структуры, устройств СВЧ оптоэлектроники, а также оптических межсоединений в ИМС. Исходными данными для разработки модели служат результаты измерения статической и динамической характеристик электрооптического преобразования и характеристики отражения по модулирующему входу испытуемого образца. Описывается методика экстракции параметров его эквивалентной схемы с помощью высокоразвитой электронной САПР. Приводятся результаты моделирования и измерения интермодуляционных искажений третьего и пятого порядков длинноволнового VCSEL сплавной конструкции с полосой модуляции в СВЧ диапазоне. Оценивается уровень линейности испытуемого типа VCSEL передаче аналоговых СВЧ сигналов
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 43
Автор(ы) : Белкин Л. М., Белкин М.Е.
Заглавие : Применение оптоэлектронного подхода для преобразования и размножения частот сигналов сверхвысокочастотного диапазона
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 4-10: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 10 (17 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследуется экономичная схема построения оптоэлектронного преобразователя частоты на базе поверхностно излучающего лазера с вертикальным резонатором (VCSEL). Приводятся результаты разработки моделей, описывающих его работу в режимах преобразования (ОЭПЧ) и размножения (ОЭРЧ) частот СВЧ диапазона, и расчета ключевого параметра преобразователя частоты - потерь преобразования. Согласно результатам расчетов и близким к ним экспериментальным данным, полученным с помощью разработанных макетов S-диапазона, потери повышающего преобразования ОЭПЧ составляют около 36 дБ, а ОЭРЧ - около 45 дБ. Рассматривается пример построения на базе ОЭРЧ экономичной схемы обратного канала базовой станции перспективной телекоммуникационной системы волоконно-эфирной структуры
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Б 43
Автор(ы) : Белкин М. Е., Белкин Л. М.
Заглавие : Исследование эффективности применения полупроводникового лазерного излучателя для передачи многоканального аналогового сигнала СВЧ диапазона
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 11. - С. 32-37: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 37 (13 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 43
Автор(ы) : Белкин М.Е., Лопарев А. В.
Заглавие : Оптоэлектронный генератор свч сигналов: моделирование, исследование спектральных и шумовых характеристик
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 9. - С. 29-33: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 33 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассматриваются схема построения и принцип функционирования оптоэлектронного генератора (ОЭГ) СВЧ диапазона, в котором сочетаются относительно низкие фазовые шумы и широкая полоса перестройки частоты генерации. Приводятся результаты разработки объектно-ориентированной модели оптоэлектронного генератора с помощью оптоэлектронной САПР VРI-transmission Maker™ и результаты моделирования его спектральных и шумовых характеристик. Описаны макет ОЭГ, перестраиваемый в полосе 2,5...15 ГГц, и результаты измерения с его помощью указанных параметров, подтверждающие корректность предложенной модели. Проводится сравнение с различными генераторами СВЧ диапазона в интегральном исполнении, построенными по традиционной схеме
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 35
Автор(ы) : Вернер В. Д., Луканов Н. М., Сауров А. Н.
Заглавие : Принципы конструирования биполярных СВЧ структур с предельно узкими эмиттерными областями
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 13-16: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 16 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Приведены конструктивные и технологические особенности формирования биполярных СВЧ самосовмещенных и полностью самосовмещенных транзисторных структур на кремнии. Эти структуры с предельно узкими эмиттерными областями предназначены для создания монолитных малошумящих широкополосных усилителей и радиочастотных ИС с рабочей частотой 10...160 ГГц. Разработан новый метод осаждения (или селективного наращивания) и анизотропного травления различных слоев с использованием исходной одной (вертикальной или наклонной) плоскости, задающей опорный рельеф самоформирования для всей структуры
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 64
Автор(ы) : Мальцев П. П., Лисицкий А. П., Павлов А. Ю., Щаврук Н. В., Побойкина Н. В., Хачатрян В. Д.
Заглавие : Возможности формирования МЭМС-варакторов с электростатическим управлением в GaAs-технологии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 28-33: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 33 (21 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варактор --варактор с переменной площадью--радиочастота--варактор с переменным диэлектриком-- система на кристалле --варактор с переменным зазором--мис--мэмс
Аннотация: Приведен обзор возможных технических решений варакторов, выполненных в виде конденсаторов переменной емкости по технологии микроэлектромеханических систем (МЭМС). Дана оценка пригодности этих решений и возможности их изготовления на подложках арсенида галлия в целях обеспечения интеграции МЭМС-варакторов с СВЧ приборами на одном кристалле с использованием одних технологических приемов. Данная интеграция позволит создавать систему на кристалле (СнК), что обеспечит экономическую выгоду и уменьшит размеры системы в целом
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 87
Автор(ы) : Громов Д. В., Матвеев Ю. А., Федоров Ю. В.
Заглавие : Влияние радиации на характеристики элементов на нитриде галлия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 39-48: табл., рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 48 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проведен анализ радиационных эффектов в СВЧ-полупроводниковых приборах на основе нитрида галлия воздействии ионизирующего излучения. Исследовались характеристики диодов с барьером Шоттки, а также полевых транзисторных структур. Установлены физические механизмы радиационного изменения характеристик рассматриваемых GaN элементов
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.2/Д 50
Автор(ы) : Самойлович М. И., Бовтун В., Белянин А. Ф., Кемпа М., Нужный Д., Савинов М.
Заглавие : Диэлектрические свойства опаловых матриц с заполнением межсферических нанополостей оксидом цинка
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2014. - № 7. - С. 3-9: рис., граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 9 (11 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанокомпозиты--метаматериалы--опаловые матрицы--оксид цинка--рентгенофазовый анализ-- спектроскопия кр--свч свойства
Аннотация: Рассмотрены условия формирования нанокомпозитов на основе решетчатых упаковок наносфер SiC2 (опаловых матриц), содержащих в межсферических нанополостях кластеры кристаллического пьезоэлектрического ZnC. Изучено строение таких нанокомпозитов методами электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния и рентгеновской дифрактометрии. Приведены результаты измерений диэлектрических характеристик в широком частотном диапазоне для полученных материалов
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/И 60
Автор(ы) : Сапогин В. Г., Прокопенко Н. Н., Марчук В. И., Манжула В. Г., Будяков А. С.
Заглавие : Индуктивные свойства микроскопического проводящего кольца с плотностью вихревого тока азимутального направления
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 1. - С. 22-26. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 26 (4 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вносимая индуктивность--индукция--микроскопическое кольцо--вихревое электрическое поле--переменный ток--поток магнитного поля
Аннотация: Предложен аналитический метод расчета индукционных и индуктивных свойств микроскопического проводящего кольца с азимутальной плотностью вихревого тока. Метод не ограничен по частоте и позволяет: рассчитать радиальные распределения азимутальной компоненты вектора напряженности вихревого электрического поля, плотности токов Фуко; определить зависимости среднего значения ЭДС в кольце, индукционного тока и интегрального омического сопротивления от приведенного радиуса полости кольца; вычислить с точки зрения энергетики индуктивность, вносимую проводящим кольцом, для исследуемых электромагнитных полей, в которых между током и потоком существует конечный фазовый сдвиг. Оценки, проведенные для существующих проводников и полупроводников, указывают на то, что больших значений индуктивности микроскопических колец можно добиться на низких частотах для материалов с малым удельным сопротивлением и малых значений индуктивности — на СВЧ и КВЧ для материалов с большим удельным сопротивлением.
Найти похожие
10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 620.3/К 93
Автор(ы) : Курганская Л. В.
Заглавие : Технология получения гетероструктур n-Sic/p-Si и исследование радиоэлектрического эффекта в 8-миллимитровом СВЧ-диапазоне
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 5. - С. 37-40: рис.
Примечания : Библиогр.: с. 40 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура n-sic/p-si --радиоэлектрический эффект--8-миллиметровый свч-диапазон
Найти похожие
 1-10    11-20   21-25 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика