Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (47)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (2)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (1)Изобретения уральских ученых (3)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (2)Расплавы (3)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (3)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=СВЧ<.>)
Общее количество найденных документов : 25
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-25 
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 620.3/К 93
Автор(ы) : Курганская Л. В.
Заглавие : Технология получения гетероструктур n-Sic/p-Si и исследование радиоэлектрического эффекта в 8-миллимитровом СВЧ-диапазоне
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 5. - С. 37-40: рис.
Примечания : Библиогр.: с. 40 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура n-sic/p-si --радиоэлектрический эффект--8-миллиметровый свч-диапазон
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 73
Автор(ы) : Луцев Л. В., Николайчук Г. А., Петров В. В., Яковлев С. В.
Заглавие : Многоцелевые радиопоглощающие материалы на основе магнитных наноструктур : получение, свойства и применение
Место публикации : Нанотехника. - 2008. - № 2. - С. 37-43: рис., табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 42-42 (19 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): свч диапазон--наночастицы 3d-металлов
Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 648.4/М 53
Автор(ы) : Месяц, Геннадий Андреевич, Пегель, Игорь Валериевич
Заглавие : Введение в наносекундную импульсную энергетику и электронику : курс лекций для физиков и инженеров
Выходные данные : М.: ФИАН, 2009
Колич.характеристики :191, [1] с.: граф., ил., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 189-191
ISBN, Цена 978-5-902622-17-8: 20.00 р.
ГРНТИ : 47.09.99
ББК : 648.47я7-2
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА
Экземпляры : всего : бр.ф.(1), кх(1)
Свободны : бр.ф.(1), кх(1)
Найти похожие

4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Я 89
Автор(ы) : Яфаров, Равиль Кашишафович
Заглавие : Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий
Выходные данные : М.: Физматлит, 2009
Колич.характеристики :216 с
Примечания : Библиогр.: с. 205-216
ISBN, Цена 978-5-9221-1150-8: 212.40 р.
ГРНТИ : 37.21.23
ББК : 537.527.2
Предметные рубрики: ФИЗИКА-- ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Б 43
Автор(ы) : Белкин М. Е., Белкин Л. М.
Заглавие : Исследование эффективности применения полупроводникового лазерного излучателя для передачи многоканального аналогового сигнала СВЧ диапазона
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 11. - С. 32-37: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 37 (13 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 74
Автор(ы) : Пономарев Д. С., Васильевский И. С., Галиев Г. Б., Климов Е. А., Хабибуллин Р. А., Кульбачинский В. А.
Заглавие : Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 16-19: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 19 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InР с составной квантовой ямой (КЯ) InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова - де Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m*с с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в КЯ нановставками InAs позволяет уменьшить m*с на 26 % по сравнению с КЯ In0,53Ga0,47As
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 35
Автор(ы) : Вернер В. Д., Луканов Н. М., Сауров А. Н.
Заглавие : Принципы конструирования биполярных СВЧ структур с предельно узкими эмиттерными областями
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 13-16: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 16 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Приведены конструктивные и технологические особенности формирования биполярных СВЧ самосовмещенных и полностью самосовмещенных транзисторных структур на кремнии. Эти структуры с предельно узкими эмиттерными областями предназначены для создания монолитных малошумящих широкополосных усилителей и радиочастотных ИС с рабочей частотой 10...160 ГГц. Разработан новый метод осаждения (или селективного наращивания) и анизотропного травления различных слоев с использованием исходной одной (вертикальной или наклонной) плоскости, задающей опорный рельеф самоформирования для всей структуры
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 33
Автор(ы) : Матвеенко О. С., Гнатюк Д. Л., Галиев Р. Р.
Заглавие : Интегрированные антенны на наногетероструктурах арсенида галлия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 50-51: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 51 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В настоящее время наблюдается ускоренное развитие исследований и разработок с технологическим освоением производства малогабаритных СВЧ приборов на основе интегральных активных антенных элементов. Данные устройства лежат в основе систем передачи данных, навигации, связи, а также позволяют создавать разнообразные миниатюрные сенсоры и датчики для систем охранной сигнализации, определения положения и скорости перемещения объектов и т. д. Настоящая работа посвящена разработке активных антенных элементов со встроенными малошумящими усилителями для частот 5 ГГц и 10...12 ГГц на основе РНЕМТ гетероструктуры с квантовой ямой типа АlGаА/InGаАs/GаА
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 44
Автор(ы) : Хабибуллин Р. А., Васильевский И. С., Пономарев Д. С., Галиев Г. Б., Кульбачинский В. А.
Заглавие : Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов: моделирование и эксперимент
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 21-24: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 24 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовалась подвижность электронов в гетероструктурах с высокой электронной плотностью в составной квантовой яме AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs. Предложен новый тип структуры с двусторонним дельта-легированием кремнием переходных слоев GaAs, расположенных на границах квантовой ямы. При таком легировании одновременно с высокой концентрацией электронов ns = 1,37-1013 см-2 получено наибольшее значение электронной подвижности иН= 1520 см2/В. с при 300 К
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 43
Автор(ы) : Белкин Л. М., Белкин М.Е.
Заглавие : Применение оптоэлектронного подхода для преобразования и размножения частот сигналов сверхвысокочастотного диапазона
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 4-10: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 10 (17 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследуется экономичная схема построения оптоэлектронного преобразователя частоты на базе поверхностно излучающего лазера с вертикальным резонатором (VCSEL). Приводятся результаты разработки моделей, описывающих его работу в режимах преобразования (ОЭПЧ) и размножения (ОЭРЧ) частот СВЧ диапазона, и расчета ключевого параметра преобразователя частоты - потерь преобразования. Согласно результатам расчетов и близким к ним экспериментальным данным, полученным с помощью разработанных макетов S-диапазона, потери повышающего преобразования ОЭПЧ составляют около 36 дБ, а ОЭРЧ - около 45 дБ. Рассматривается пример построения на базе ОЭРЧ экономичной схемы обратного канала базовой станции перспективной телекоммуникационной системы волоконно-эфирной структуры
Найти похожие

 1-10    11-20   21-25 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика