Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Главная

Новые поступления

Описание

Базы данных

Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и продолжающихся изданий

Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН

Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )

Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)

Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)

Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН

Публикации об УрО РАН

Изобретения уральских ученых

Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)

Нанотехнологии

Демидовские премии

Гибель династии Романовых

История Урала

Личная библиотека С. В. Вонсовского

Книжная коллекция Шубиных

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН

Труды Института истории и археологии УрО РАН

Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН

Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН

Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН

Расплавы

Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН

Публикации Черешнева В.А.

Публикации Чарушина В.Н.

Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН

Электронная энциклопедия «Дискурсология»

Библиометрия

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и продолжающихся изданий (47)

Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (1)

Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (2)

Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (1)

Изобретения уральских ученых (3)

Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (2)

Расплавы (3)

Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=СВЧ<.>)

Общее количество найденных документов : 25
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-25

Инвентарный номер: нет.

   Т 56

    Томош, К. Н.
    Характеристики и использование вч и свч разрядов при создании твердотельных полупроводниковых приборов / К. Н. Томош // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 47-52 : рис. - Библиогр.: с. 52 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

621.382.002

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛАЗМА -- СВЧ РАЗРЯД -- ВЧ РАЗРЯД -- РЕАКТОР -- МАГНИТНОЕ ПОЛЕ -- ТРАВЛЕНИЕ
Аннотация: Представлена информация обзорного характера о применении плазмы ВЧ и СВЧ разряда в технологических процессах производства изделий электронной техники. Указаны области технического применения СВЧ разрядов и основные характеристики структур, формируемых под их воздействием

Найти похожие

Инвентарный номер: 206797 - кх.
   537
   Я 89

    Яфаров, Равиль Кашишафович.
    Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий [] : монография / Р. К. Яфаров. - М. : Физматлит, 2009. - 216 с. - Библиогр.: с. 205-216. - ISBN 978-5-9221-1150-8 : 212.40 р.

ГРНТИ

37.21.23

ББК 537.527.2
Рубрики: ФИЗИКА--ЭЛЕКТРИЧЕСТВО

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   К 93

    Курганская, Л. В.
    Технология получения гетероструктур n-Sic/p-Si и исследование радиоэлектрического эффекта в 8-миллимитровом СВЧ-диапазоне [] / Л. В. Курганская // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 5. - С. 37-40 : рис. - Библиогр.: с. 40 (4 назв.) . -

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГЕТЕРОСТРУКТУРА n-Sic/p-Si -- РАДИОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ -- 8-МИЛЛИМЕТРОВЫЙ СВЧ-ДИАПАЗОН

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   С 87


    Структура и СВЧ магнитная проницаемость тонких пленок кобальта / С. С. Маклаков, С. А. Маклаков, И. А. Рыжиков, К. Н. Розанов, А. В. Осипов, А. С. Набоко, В. А. Амеличев, С. В. Куликов // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 65-69 : рис., табл. - Библиогр.: с. 69 (29 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- ТЕКСТУРА КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКАЯ -- ПРОНИЦАЕМОСТЬ МАГНИТНАЯ -- КОБАЛЬТ -- РАСПЫЛЕНИЕ МАГНЕТРОННОЕ
Аннотация: Обнаружено увеличение частоты ферромагнитного резонанса от 3 до 5.5 ГГц в тонких пленках Co при увеличении размера кристаллитов от 6 до 70 нм. Изменение структуры достигается увеличением скорости нанесения металла от 4.2 до 7.1 нм/мин при магнетронном распылении на постоянном токе. Пленки Со обладают одноосной кристаллографической текстурой. Положение оси текстуры меняется в зависимости от параметров нанесения Со, что влияет на планарную магнитную анизотропию. Предложена модель, описывающая обнаруженные изменения

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Р 25

    Раткин , Л. С.
    Современные технологии проектирования, конструирования и производства нано-и микроэлектромеханических систем / Л. С. Раткин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 2-5. - Библиогр.: с. 5 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СПЕКТР ШИРОКИЙ АСПЕКТНЫХ ОТНОШЕНИЙ -- СВЧ СИСТЕМЫ НА КРИСТАЛЛЕ С ЭЛЕМЕНТАМИ МЭМС НА НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ -- СИСТЕМЫ ВИБРОАКУСТИЧЕСКИЕ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЕ -- КАНАЛ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ИНФОРМАЦИОННЫЙ -- ИНФОРМАТИКА КВАНТОВАЯ -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- НЭМС -- РАН
Аннотация: На состоявшейся 29 февраля 2012 г. научной сессии Отделения нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ) Российской академии наук (РАН) рассматривалась проблематика проектирования, конструирования и производства наноэлектромеханических и микроэлектромеханических систем (НЭМС и МЭМС). Особое внимание уделялось технологиям глубокого плазменного травления структур МЭМС с широким спектром аспектных отношений, созданию виброакустических микромеханических систем с волоконно-оптическим информационным каналом, квантовой информатике НЭМС, сверхвысокочастотным (СВЧ) системам на кристалле с элементами МЭМС на наногетероструктурах в арсениде галлия и технологическим основам создания микропреобразователей параметров движения на принципах переноса массы и заряда в электрохимических микросистемах

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Р 24


    Расчет и изготовление узкополосного СВЧ микроэлектромеханического переключателя для частотного диапазона 10...12 ГГц на подложках арсенида галлия / П. П. Мальцев, М. В. Майтама, А. Ю. Павлов, Н. В. Щаврук // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 30-33. - Библиогр.: с. 33 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

621.316.543.1

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ (МЭМС) -- СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ -- РАСЧЕТ МЭМС-ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Аннотация: Рассмотрены вопросы проектирования и изготовления дискретных электростатических СВЧ переключателей на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС) на пластинах арсенида галлия и оценки возможности интегрирования их в общую схему с монолитными интегральными схемами (МИС) приемо-передающих устройств, изготовленных в едином производственном цикле

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   В 35

    Вернер, В. Д.
    Принципы конструирования биполярных СВЧ структур с предельно узкими эмиттерными областями / В. Д. Вернер, Н. М. Луканов, А. Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 13-16 : рис. - Библиогр. : с. 16 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКТИВНЫЕ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ -- СВЧ САМОСОВМЕЩЕННЫЕ И ПОЛНОСТЬЮ САМОСОВМЕЩЕННЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ -- РЕЛЬЕФ ОПОРНЫЙ САМОФОРМИРОВАНИЯ ДЛЯ ВСЕЙ СТРУКТУРЫ -- КРЕМНИЙ -- ИС РАДИОЧАСТОТНЫЕ С РАБОЧЕЙ ЧАСТОТОЙ 10-160 ггЦ,
Аннотация: Приведены конструктивные и технологические особенности формирования биполярных СВЧ самосовмещенных и полностью самосовмещенных транзисторных структур на кремнии. Эти структуры с предельно узкими эмиттерными областями предназначены для создания монолитных малошумящих широкополосных усилителей и радиочастотных ИС с рабочей частотой 10...160 ГГц. Разработан новый метод осаждения (или селективного наращивания) и анизотропного травления различных слоев с использованием исходной одной (вертикальной или наклонной) плоскости, задающей опорный рельеф самоформирования для всей структуры

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Б 43

    Белкин, Л. М.
    Применение оптоэлектронного подхода для преобразования и размножения частот сигналов сверхвысокочастотного диапазона / Л. М. Белкин, М. Е. Белкин // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 4-10 : рис. - Библиогр. : с. 10 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ОПТОЭЛЕКТРОНИКА СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЧАСТОТЫ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ -- ЛАЗЕР ПОВЕРХНОСТНО ИЗЛУЧАЮЩИЙ -- ЛАЗЕР С ВЕРТИКАЛЬНЫМ РЕЗОНАТОРОМ (VCSEL) -- СИСТЕМА ВОЛОКОННО-ЭФИРНАЯ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННАЯ (ROF)
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследуется экономичная схема построения оптоэлектронного преобразователя частоты на базе поверхностно излучающего лазера с вертикальным резонатором (VCSEL). Приводятся результаты разработки моделей, описывающих его работу в режимах преобразования (ОЭПЧ) и размножения (ОЭРЧ) частот СВЧ диапазона, и расчета ключевого параметра преобразователя частоты - потерь преобразования. Согласно результатам расчетов и близким к ним экспериментальным данным, полученным с помощью разработанных макетов S-диапазона, потери повышающего преобразования ОЭПЧ составляют около 36 дБ, а ОЭРЧ - около 45 дБ. Рассматривается пример построения на базе ОЭРЧ экономичной схемы обратного канала базовой станции перспективной телекоммуникационной системы волоконно-эфирной структуры

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   П 44


    Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов: моделирование и эксперимент / Р. А. Хабибуллин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 21-24 : рис., табл. - Библиогр. : с. 24 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- СВЧ ЭЛЕКТРОНИКА -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовалась подвижность электронов в гетероструктурах с высокой электронной плотностью в составной квантовой яме AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs. Предложен новый тип структуры с двусторонним дельта-легированием кремнием переходных слоев GaAs, расположенных на границах квантовой ямы. При таком легировании одновременно с высокой концентрацией электронов ns = 1,37-1013 см-2 получено наибольшее значение электронной подвижности иН= 1520 см2/В. с при 300 К

Найти похожие

10.

Инвентарный номер: нет.

   М 21

    Мальцев, П. П.
    Перспективы создания систем на кристалле для СВЧ и КВЧ диапазонов / П. П. Мальцев // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 40-48 : рис., табл. - Библиогр.: с. 48 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АНТЕННА -- СИСТЕМЫ НА КРИСТАЛЛЕ (СНК) -- АНТЕННЫ ИНТЕГРИРОВАННЫЕ -- УСИЛИТЕЛЬ -- мэмс-КОММУТАТОРЫ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА -- МОНОЛИТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
Аннотация: Показана возможность создания российских систем на кристалле (СнК) для СВЧ и КВЧ диапазонов частот, включающих интегрированные антенны, усилители, МЭМС-коммутаторы, преобразователи частоты и генераторы, управляемые напряжением. Все микросхемы производятся на основе единой базовой технологии изготовления монолитных интегральных схем с использованием РНЕМТ и МНЕМТ гетероструктур арсенида галлия, что позволяет интегрировать их в единую СнК, обеспечивающую малые потери в тракте между элементами системы, низкий уровень шумов и большую передаваемую мощность. Приведены измеренные характеристики полученных в ИСВЧПЭ РАН МИС в сравнении с зарубежными аналогами для диапазона от 5 до 60 ГГц

Найти похожие

11.

Инвентарный номер: нет.

   Б 43

    Белкин, М. Е.
    Оптоэлектронный генератор свч сигналов: моделирование, исследование спектральных и шумовых характеристик / М. Е. Белкин, А. В. Лопарев // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 9. - С. 29-33 : рис., табл. - Библиогр. : с. 33 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ШУМЫ ЧАСТОТНЫЕ -- ГЕНЕРАТОР ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ СВЧ СИГНАЛОВ -- ОПТОЭЛЕКТРОНИКА СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ
Аннотация: Рассматриваются схема построения и принцип функционирования оптоэлектронного генератора (ОЭГ) СВЧ диапазона, в котором сочетаются относительно низкие фазовые шумы и широкая полоса перестройки частоты генерации. Приводятся результаты разработки объектно-ориентированной модели оптоэлектронного генератора с помощью оптоэлектронной САПР VРI-transmission Maker™ и результаты моделирования его спектральных и шумовых характеристик. Описаны макет ОЭГ, перестраиваемый в полосе 2,5...15 ГГц, и результаты измерения с его помощью указанных параметров, подтверждающие корректность предложенной модели. Проводится сравнение с различными генераторами СВЧ диапазона в интегральном исполнении, построенными по традиционной схеме

Найти похожие

12.

Инвентарный номер: нет.

   Н 69


    Нитридные приборы миллиметрового диапазона / П. Мальцев, Ю. Федоров, Р. Галиев, С. Михайлович, Д. Гнатюк // Наноиндустрия. - 2014. - № 3(49). - С. 40-51 : рис., табл., граф. - Библиогр.: с. 51 (33 назв.) . - ISSN 1993-8578

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА -- СВЧ-ПРИБОР -- ШИРОКОЗОННАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА
Аннотация: Анализ современного состояния и основных направлений развития технологии создания миллиметровых СВЧ-приборов на широкозонных гетероструктурах (Al,Ga,In)N/GaN показывает, что достигнутый в ИСВЧПЭ РАН технологический уровень находится в хорошем соответствии с общемировыми тенденциями и достижениями. Это создает предпосылки для создания и освоения российского промышленного производства комплектов монолитных интегральных схем для приемопередающих систем Ка-, V- и W-диапазонов частот, превосходящих по своим параметрам СВЧ-приборы на арсенидных гетероструктурах.

Найти похожие

13.

Инвентарный номер: нет.

   М 74


    Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs / Д. С. Пономарев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 16-19 : рис., табл. - Библиогр. : с. 19 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ТИПА А3В5
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InР с составной квантовой ямой (КЯ) InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова - де Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m*с с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в КЯ нановставками InAs позволяет уменьшить m*с на 26 % по сравнению с КЯ In0,53Ga0,47As

Найти похожие

14.

Инвентарный номер: нет.

   М 73


    Многоцелевые радиопоглощающие материалы на основе магнитных наноструктур : получение, свойства и применение [Текст] / Л. В. Луцев [и др.] // Нанотехника. - 2008. - № 2. - С. 37-43 : рис., табл. - Библиогр.: с. 42-42 (19 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВЧ ДИАПАЗОН -- НАНОЧАСТИЦЫ 3D-МЕТАЛЛОВ

Найти похожие

15.

Инвентарный номер: нет.

   Б 43

    Белкин, М. Е.
    Исследование эффективности применения полупроводникового лазерного излучателя для передачи многоканального аналогового сигнала СВЧ диапазона / М. Е. Белкин, Л. М. Белкин // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 11. - С. 32-37 : рис. - Библиогр. : с. 37 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586

ББК 623.7
Рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
ИЗЛУЧАТЕЛЬ ЛАЗЕРНЫЙ -- СИСТЕМЫ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЕ -- СВЧ ДИАПАЗОН

Найти похожие

16.

Инвентарный номер: нет.

   П 41

    Побойкина, Н. В.
    Использование алмаза в качестве теплоотводяшего элемента: методы и устройства вырашивания алмазных пленок и пластин / Побойкина // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 3. - С. 23-27. - Библиогр.: с. 27 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

537.534.2:679.826

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ АЛМАЗНЫЕ ПЛЕНКИ -- CVD-МЕТОД -- ПЛАСТИНЫ
Аннотация: Приводится краткий обзор организаций, занимающихся в России выращиванием поликристаллических алмазных пленок. Рассмотрены наиболее распространенные в мире конструкции СВЧ плазменных технологических установок

Найти похожие

17.

Инвентарный номер: нет.

   М 33

    Матвеенко , О. С.
    Интегрированные антенны на наногетероструктурах арсенида галлия / О. С. Матвеенко , Д. Л. Гнатюк, Р. Р. Галиев // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 50-51 : рис. - Библиогр. : с. 51 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РНЕМТ -- ЯМА КВАНТОВАЯ -- АНТЕННА -- УСИЛИТЕЛЬ МАЛОШУМЯЩИЙ
Аннотация: В настоящее время наблюдается ускоренное развитие исследований и разработок с технологическим освоением производства малогабаритных СВЧ приборов на основе интегральных активных антенных элементов. Данные устройства лежат в основе систем передачи данных, навигации, связи, а также позволяют создавать разнообразные миниатюрные сенсоры и датчики для систем охранной сигнализации, определения положения и скорости перемещения объектов и т. д. Настоящая работа посвящена разработке активных антенных элементов со встроенными малошумящими усилителями для частот 5 ГГц и 10...12 ГГц на основе РНЕМТ гетероструктуры с квантовой ямой типа АlGаА/InGаАs/GаА

Найти похожие

18.

Инвентарный номер: нет.

   И 60


    Индуктивные свойства микроскопического проводящего кольца с плотностью вихревого тока азимутального направления / В. Г. Сапогин, Н. Н. Прокопенко, В. И. Марчук, В. Г. Манжула, А. С. Будяков // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 1. - С. 22-26. - Библиогр.: с. 26 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВНОСИМАЯ ИНДУКТИВНОСТЬ -- ИНДУКЦИЯ -- МИКРОСКОПИЧЕСКОЕ КОЛЬЦО -- ВИХРЕВОЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ -- ПЕРЕМЕННЫЙ ТОК -- ПОТОК МАГНИТНОГО ПОЛЯ
Аннотация: Предложен аналитический метод расчета индукционных и индуктивных свойств микроскопического проводящего кольца с азимутальной плотностью вихревого тока. Метод не ограничен по частоте и позволяет: рассчитать радиальные распределения азимутальной компоненты вектора напряженности вихревого электрического поля, плотности токов Фуко; определить зависимости среднего значения ЭДС в кольце, индукционного тока и интегрального омического сопротивления от приведенного радиуса полости кольца; вычислить с точки зрения энергетики индуктивность, вносимую проводящим кольцом, для исследуемых электромагнитных полей, в которых между током и потоком существует конечный фазовый сдвиг. Оценки, проведенные для существующих проводников и полупроводников, указывают на то, что больших значений индуктивности микроскопических колец можно добиться на низких частотах для материалов с малым удельным сопротивлением и малых значений индуктивности — на СВЧ и КВЧ для материалов с большим удельным сопротивлением.

Найти похожие

19.

Инвентарный номер: нет.

   Д 50


    Диэлектрические свойства опаловых матриц с заполнением межсферических нанополостей оксидом цинка / М. И. Самойлович, В. Бовтун, А. Ф. Белянин, М. Кемпа, Д. Нужный, М. Савинов // Нано- и микросистемная техника . - 2014. - № 7. - С. 3-9 : рис., граф. - Библиогр.: с. 9 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

539.2

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОКОМПОЗИТЫ -- МЕТАМАТЕРИАЛЫ -- ОПАЛОВЫЕ МАТРИЦЫ -- ОКСИД ЦИНКА -- РЕНТГЕНОФАЗОВЫЙ АНАЛИЗ -- СПЕКТРОСКОПИЯ КР -- СВЧ СВОЙСТВА
Аннотация: Рассмотрены условия формирования нанокомпозитов на основе решетчатых упаковок наносфер SiC>2 (опаловых матриц), содержащих в межсферических нанополостях кластеры кристаллического пьезоэлектрического ZnC. Изучено строение таких нанокомпозитов методами электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния и рентгеновской дифрактометрии. Приведены результаты измерений диэлектрических характеристик в широком частотном диапазоне для полученных материалов

Найти похожие

20.

Инвентарный номер: нет.

   В 64


    Возможности формирования МЭМС-варакторов с электростатическим управлением в GaAs-технологии / П. П. Мальцев, А. П. Лисицкий, А. Ю. Павлов, Н. В. Щаврук, Н. В. Побойкина, В. Д. Хачатрян // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 28-33 : рис., табл. - Библиогр.: с. 33 (21 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВАРАКТОР -- ВАРАКТОР С ПЕРЕМЕННОЙ ПЛОЩАДЬЮ -- РАДИОЧАСТОТА -- ВАРАКТОР С ПЕРЕМЕННЫМ ДИЭЛЕКТРИКОМ -- СИСТЕМА НА КРИСТАЛЛЕ -- ВАРАКТОР С ПЕРЕМЕННЫМ ЗАЗОРОМ -- МИС -- МЭМС
Аннотация: Приведен обзор возможных технических решений варакторов, выполненных в виде конденсаторов переменной емкости по технологии микроэлектромеханических систем (МЭМС). Дана оценка пригодности этих решений и возможности их изготовления на подложках арсенида галлия в целях обеспечения интеграции МЭМС-варакторов с СВЧ приборами на одном кристалле с использованием одних технологических приемов. Данная интеграция позволит создавать систему на кристалле (СнК), что обеспечит экономическую выгоду и уменьшит размеры системы в целом

Найти похожие

1-20 21-25

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)