Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (44)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (4)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (22)Публикации об УрО РАН (5)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (57)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (1)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (14)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (4)Расплавы (12)Каталог библиотеки ИГД УрО РАН (1)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (5)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=СЛОЙ<.>)
Общее количество найденных документов : 27
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-27 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Е 50


    Елесин, В. Ф.
    Влияние уровня в спейсере эмиттера на пиковый ток резонансно-туннельного диода / В. Ф. Елесин, М. А. Ремнев // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 85-88 : рис. - Библиогр.: с. 88 (19 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД -- ТОК -- ДИОД -- РЕЗОНАНС -- ШРЕДИНГЕР -- СЛОЙ ЭМИТТЕРА СПЕЙСЕРНОГО
Аннотация: При помощи численного решения уравнения Шредингера была исследована зависимость пикового тока на вольт-амперной характеристике резонансно-туннельного диода от толщины спейсерного слоя эмиттера. Эта зависимость имеет ярко выраженные максимумы. Причем пиковый ток в максимумах намного превышает пиковый ток в отсутствии спейсера. Был выяснен механизм образования максимумов. Они связаны с перекрытием уровня в треугольной яме, образованной спейсерным слоем эмиттера, и резонансным уровнем квантовой ямы. Исследование влияния межэлектронного взаимодействия на полученный эффект показало, что взаимодействие практически не влияет на пиковый ток в прямом направлении приложения напряжения и несколько уменьшает его в обратном

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 18


    Танцерев, А. А.
    Изучение процесса включения металлов в поверхностный слой оксидной пленки при электрохимическом воздействии на алюминий / А. А. Танцерев, О. В. Рябова, А. И. Финаенов // Нанотехнологии. Наука и производство. - 2014. - № 3 (30). - С. 74-77 . - ISSN 2306-0581
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ОКСИДНАЯ ПЛЕНКА -- АЛЮМИНИЙ

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 55


    Вишневский, А. С.
    Исследование влияния структуры нижнего электрода на свойства пленок ЦТС, сформированных методом химического осаждения из растворов / А. С. Вишневский, К. А. Воротилов, О. М. Жигалина, А. Н. Ланцев, Ю. В Подгорный, Д. С. Серегин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 15-20 : рис., табл. - Библиогр.: с. 20 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОДЛОЖКИ КРЕМНИЕВЫЕ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ЦТС -- ПРОЦЕСС ТЕРМООБРАБОТКИ -- ПЛЕНКИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- СТЕКЛО ФОСФОРОСИЛИКАТНОЕ
Аннотация: Проведены исследования тонких золь-гель-пленок цирконата-титаната свинца PbZr 0,48Ti 0,52O 3 (ЦТС), сформированных на кремниевых подложках с различными вариантами многослойной структуры Pt /Тi (ТiO 2)/SiO2(ФСС)/Si формирующей нижний электрод сегнетоэлектрического конденсатора. Изучены диффузионные процессы, протекающие в данных гетероструктурах в процессе термообработки, а также роль толщины платины и вспомогательных слоев в формировании кристаллической структуры ЦТС. Установлено, что при кристаллизации ЦТС происходит взаимная диффузия слоев нижнего электрода: нижняя граница Pt размывается, слой Ti (TiO 2) становится толще, Ti диффундирует в Pt и в SiO 2 (ФСС). Использование слоя фосфоросиликатного стекла (ФСС) способствует формированию в пленках ЦТС преимущественной ориентации (100), что ухудшает их поляризационные свойства и ведет к снижению остаточной поляризации до ~10 мкКл/см 2. Нанесение слоя плазмохимического SiO 2 на слой ФСС позволяет стабилизировать границу раздела и улучшить электрические характеристики гетероструктур

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 19


    Аверин, И. А.
    Исследование поверхностей слоев резистивных структур на низкоразмерном уровне / И. А. Аверин, Ю. В. Аношкин, Р. М. Печерская // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 1. - С. 25-26. - Библиогр. : с. 26 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОРФОСТРУКТУРА -- СЛОЙ -- СТРУКТУРА РЕЗИСТИВНАЯ -- ПОВЕРХНОСТЬ -- ФРАКТАЛЬНОСТЬ -- КЛАСТЕР -- КОНДЕНСАЦИИ

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Г 16


    Галушка, В. В.
    Исследование управляемого массопереноса в наноструктурах AgL-Ag методом туннельной микроскопии / В. В. Галушка, Д. И. Биленко, Д. В. Терин // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 37-42 : граф. - Библиогр.: с. 42 (16 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАССОПЕРЕНОС -- ИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- ТУННЕЛЬНАЯ СТРУКТУРА -- AGI-AG -- РЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ
Аннотация: Приведены результаты исследования методом туннельной микроскопии массопереноса в структуре, содержащей нанометровый слой AgI. Показана возможность использования интерфейса Ag-AgI-диэлектрик-металл в качестве резистивной памяти с зарядом переключения Q » 5 пКл и кратностью сопротивления HRS/LRS > 10 4

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование чувствительности к этанолу переходов Zno—ZnO:Fe на основе тонких наноструктурированных пленок, полученных с помощью золь-гель-технологии / И. А. Пронин, И. А. Аверин, Д. Ц. Димитров, Л. К. Крастева, К. И. Паназова, А. С. Чаначев // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3 : рис. - Библиогр.: с. 10 (22 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ ТОНКИЕ ZNO -- СЕНСОР ГАЗОВЫЙ -- ZNO ДОПИРОВАННЫЙ FE -- ЗОЛЬ-ГЕЛЬ-ТЕХНОЛОГИЯ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ТЕМПЕРАТУРА
Аннотация: Исследуется чувствительность к этанолу гомопереходов на основе наноструктуруированнык слоев ZnO— ZnO:Fe, полученных с помощью золь-гель-технологии. В качестве отклика измерялась термоЭДС виртуальной термопары, горячий конец которой представляет собой контакт на слое ZnO вблизи интерфейса ZnO/ZnO:Fe, а холодный — контакт на поверхности ZnO:Fe. Выяснено, что максимальной чувствительностью обладают образцы, верхний слой которых сформирован двумя и тремя погружениями в золь. Тенденция температурной зависимости отклика существенно зависит от толщины верхнего слоя

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Х 58


    Хлопов, Б. В.
    Исследование эффекта мультипликации электромагнитных полей в устройствах бесконтактного стирания информации с электронных носителей с использованием нанокомпозитов на основе опаловых матриц / Б. В. Хлопов, М. И. Самойлович, В. Бовтун // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 7. - С. 6-13 : рис. - Библиогр.: с. 13 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОКОМПОЗИТЫ -- ПОЛЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ -- СКОРОСТЬ ФАЗОВАЯ -- НАНОЧАСТИЦЫ -- СЛОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ -- УСТРОЙСТВО СТИРАЮЩЕЕ
Аннотация: Исследованы свойства образцов метаматериалов на основе опаловых матриц для устройств бесконтактного стирания информации с электронных носителей. Разработан метод оценки восприимчивости к магнитным полям образцов композитных материалов при воздействии на них внешними электромагнитными полями. Приведены экспериментальные результаты эффекта мультипликации для электромагнитных полей в полеобразующей системе устройства стирания информации на частотах ниже 500 кГц. Экспериментально подтверждено, что в диапазоне частот до 500 кГц электромагнитная восприимчивость испытуемых образцов меняется, влияя на значение напряженности электромагнитного поля в полеобразующей системе устройства стирания информации. Приведены экспериментальные характеристики пространственного мультиплицирования электромагнитных полей на полупроводниковый носитель информации

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 41


   
    Кинетика травления неорганического "жертвенного" слоя при изготовлении чувствительных элементов инерциальных датчиков по технологии кремний-на-изоляторе / Н. Ю. Фирсова, А. С. Елшин, М. А. Марченкова, А. К. Болотов, М. С. Иванов, И. П. Пронин, С. В. Сенкевич, Д. А. Киселев, Е. Д. Мишина // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 7. - С. 38-43. - Библиогр.: с. 42 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
"ЖЕРТВЕННЫЙ" СЛОЙ -- ДИОКСИД КРЕМНИЯ -- ТРАВЛЕНИЕ -- ПЛАВИКОВАЯ КИСЛОТА
Аннотация: Исследован процесс травления неорганического "жертвенного" слоя в трехслойных подложках кремний-на-изоляторе. Представлены результаты исследования кинетики травления диоксида кремния в парах водного раствора плавиковой кислоты в зависимости от продолжительности процесса и температуры поверхности образцов. Показано увеличение скорости процесса по мере травления и при уменьшении температуры

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Г 95


    Гурский, Л. И.
    Многозатворный 3-мерный транзистор с полевым управлением транспорта отрицательно заряженных экситонов / Л. И. Гурский, Г. В. Крылова // Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 28-32. - Библиогр.: с. 32 (7 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
3D-ТРАНЗИСТОР -- НАНОРАЗМЕРНЫЙ СЛОЙ -- ПОДЗАТВОРНЫЕ НАНОРАЗМЕРНЫЕ СЛОИ -- ОКСИДА ТАНТАЛА -- ПЛЕНКА ЛЕНГМЮРА–БЛОДЖЕТТА -- ЗАРЯЖЕННЫЕ ЭКСИТОНЫ
Аннотация: Рассмотрены принципы построения многозатворного 3D-транзистора с полевым управлением, основанным на 3D-экситон¬но-диэлектрической структуре с наноразмерными слоями и подзатворной активной области в гетероструктуре.

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 19


    Васильев, В. В.
    Модель хрупкого поверхностного слоя с трещинами / В. В. Васильев // Композиты и наноструктуры. - 2013. - № 4. - С. 33-43 : граф. - Библиогр.: с. 43 (4 назв.) . - ISSN 1999-7590
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТОНКИЙ ПОВЕРХНОСТНЫЙ СЛОЙ -- ТРЕЩИНА -- МЕХАНИКА РАЗРУШЕНИЯ
Аннотация: Рассматривается полупространство, на верхней плоской поверхности которого нанесено тонкое упругое и хрупкое покрытие. Предполагается, что при внешнем воздействии (например, при приложении нагрузок, изменении температуры или влажности, а также при усадке покрытия или естественном росте материала основания) в результате совместной деформации пространства и связанного с ним слоя покрытия в последнем образуется система трещин. Предлагается модель слоя с трещинами, позволяющая определить расстояния между трещинами и их направления в зависимости от условий нагружения слоя

Найти похожие

11.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 37


    Деспотули, А. Л.
    Модель, метод и формализм нового подхода к описанию процессов ионного транспорта на блокирующих гетеропереходах твердый электролит/электронный проводник / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 16-21 : граф. - Библиогр.: с. 21 (29 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ПРИНЦИП ДЕТАЛЬНОГО РАВНОВЕСИЯ -- ПРОВОДНИКИ СУПЕРИОННЫЕ ПЕРЕДОВЫЕ -- ПОДХОД ДИНАМО-КИНЕТИЧЕСКИЙ В НАНОИОНИКЕ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОД ИДЕАЛЬНО ПОПЯРИЗУЕМЫЙ -- СЛОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВОЙНОЙ
Аннотация: Предложен новый динамико-кинетический подход в наноионике для детального описания процессов быстрого ионного транспорта (БИТ) в области идеально поляризуемых гетеропереходов твердый электролит/электронный проводник (ТЭ/ЭП) - функциональных элементов перспективных приборов наноэлектроники и нано(микро)системной техники. Подход включает: структурно-динамическую модель, которая с единых позиций рассматривает быстрые и медленные процессы в области ТЭ/ЭП как движение ионов подвижного сорта в потенциальном рельефе, искаженном на гетерогранице; метод "скрытых" переменных, описывающий на субнанометровом масштабе процессы БИТ в терминах концентраций подвижных ионов на кристаллографических плоскостях в области тонкой структуры двойного электрического слоя; физико-математический формализм, который оперирует "скрытыми" переменными и базируется на принципе детального равновесия и кинетическом уравнении в форме закона сохранения частиц

Найти похожие

12.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 74


   
    Модификация активной поверхности нанопорошков железа, получаемых методом электрического взрыва проволоки / А. П. Сафронов, А. В. Багазеев, Т. М. Демина, А. В. Петров, И. В. Бекетов // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 80-85 : рис., табл. - Библиогр.: с. 85 (13 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОПОРОШКИ ЖЕЛЕЗА -- ГЕКСАН -- НАНОЧАСТИЦЫ -- МАСС-СПЕКТОМЕТРИЯ -- МИКРОСКОПИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ -- КАУЧУК ИЗОПРЕНОВЫЙ
Аннотация: Исследован процесс модификации поверхности нанопорошков металлического железа, получаемых методом электрического взрыва проволоки, путем обработки гексаном, толуолом, хлороформом и растворами полимеров в гексане и толуоле непосредственно после получения. Показано, что нанопорошки, полученные в инертной газовой среде, благодаря своей активной поверхности взаимодействуют как с жидкими средами, так и с растворенными в них модификаторами. Методами рентгенофазового и термического анализа, включающего масс-спектрометрию, показано, что гексан является инертной жидкой средой по отношению к нанопорошку, обработка толуолом приводит к осаждению углерода в поверхностных слоях частиц, а хлороформ химически взаимодействует с наночастицами железа, образуя FeCl 2 с большим выходом. Методами термического анализа и просвечивающей электронной микроскопии показано, что обработка нанопорошков раствором олеиновой кислоты в гексане, а также растворами изопренового каучука и полистирола в толуоле приводит к формированию на поверхности наночастиц полимерного покрытия толщиной 3-6 нм. Количество полимера, осаждаемого на поверхности, достигает 0.4 мг/м 2, в зависимости от концентрации полимера в растворе. Осажденный слой полимера имеет рыхлую структуру, образованную макромолекулами, адсорбированными в конформации клубка

Найти похожие

13.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-11


   
    О структуре межфазного слоя на границе металлическое покрытие - полимерная подложка / Д. А. Панчук [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 5-6. - С. 114-120 : рис. - Библиогр. : с. 120 (19 назв.) . - ISSN 1195-078
ББК 623.7
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛИЭТИЛЕНТЕРЕФТАЛАТНЫЕ ПЛЕНКИ -- ИОННО-ПЛАЗМЕННОЕ НАПЫЛЕНИЕ -- МЕЖФАЗНЫЙ СЛОЙ

Найти похожие

14.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 19


    Васильев, В. В.
    Оптимальная форма композитного баллона давления с металлическим лейнером / В. В. Васильев, А. Ф. Разин, Ф. К. Синьковский // Композиты и наноструктуры. - 2014. - Т. 6, № 1. - С. 18-24 : граф., рис. - Библиогр.: с. 24 (3 назв.) . - ISSN 1999-7590
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КОМПОЗИТ -- БАЛЛОН ДАВЛЕНИЯ -- ОПТИМАЛЬНОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ
Аннотация: Рассматривается композитная оболочка вращения с внутренним металлическим слоем (лейнером). Для описания композитного слоя используется монотропная (сетчатая) модель материала, а металлический слой считается упругопластическим и описывается соотношениями деформационной теории пластичности. Оптимальная форма оболочки переделяется из условия минимума напряжений в лейнере. Доказывается, что это условие обеспечивается если композитная оболочка проектируется без учета несущей способности лейнера

Найти похожие

15.
Инвентарный номер: нет.
   
   З-63


    Зинченко, С. П.
    Оптический in situ контроль синтеза наноразмерных пленок цирконата титаната свинца в камере газового разряда / С. П. Зинченко, А. П. Ковтун, Г. Н. Толмачев // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 77-80 : рис. - Библиогр. : с. 80 (8 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КОНТРОЛЬ ОПТИЧЕСКИЙ IN SITU -- ПЛЕНКИ НАНОРАЗМЕРНЫЕ -- КАМЕРА ГАЗОВОГО РАЗРЯДА
Аннотация: В работе приводятся результаты применения оптического in-situ контроля физического состояния напыляемых газоразрядным способом пленок цирконата титаната свинца Pb(ZrxTi1-х)O3 (ЦТС) на подложке из нержавеющей стали. Обнаружена осцилляторно-затухающая в процессе напыления зависимость интенсивности оптического излучения, отраженного от пленки на подложке. Кривая в значительной мере зависит от вводимой в разряд мощности и от типа получаемой пленки. Структура пленок исследовалась методом рентгеноструктурного анализа. На начальном этапе напыления формируется буферный переходной слой ЦТС со структурой пирохлора, который присутствует в неизменном виде в процессе дальнейшего напыления ЦТС пленки со структурой перовскита. Предложенный метод позволяет в текущем режиме не только контролировать оптические характеристики синтезируемого материала, но и определять направление процесса синтеза пленок

Найти похожие

16.
Инвентарный номер: нет.
   
   З-17


    Зайцев, Н. А.
    Особенности формирования подзатворной системы наноприборов / Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 36-39 : граф. - Библиогр. : с. 39 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОКСИД КРЕМНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК ПОДЗАТВОРНЫЙ -- СЛОЙ ПЕРЕХОДНЫЙ
Аннотация: Определены свойства, которыми должна обладать подзатворная система в нанопpибоpах. Показано, что дефоpмация [SiO4]4--тетpаэдpов приводит к обpазованию диполей на гpанице Si-SiO2. Данный эффект необходимо учитывать о^еделении электpических свойств нанотpанзистоpов

Найти похожие

17.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 93


    Высикайло, Ф. И.
    Открытие физических принципов упрочнения материалов слоями объемного заряда / Ф. И. Высикайло, В. С. Тивков // Нанотехника. - 2010. - № 2. - С. 27-34 : рис. - Библиогр. : с. 34 (15 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЛОИ ОБЬЕМНОГО ЗАРЯДА -- НАНОТРУБКИ -- УПРОЧНЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ
Аннотация: Впервые обсуждается возможность упрочнения композитных материалов формированием на их поверхности слоев объемного заряда. В качестве ловушек для свободных электронов, формирующих отрицательно заряженный слой объемного заряда на поверхности упрочняемого материала, можно использовать фуллерены, нанотрубки и иные наноструктуры с большим сродством к электрону. Эти наноструктуры с большим сродством к электрону (модификаторы) присоединяют к себе свободные электроны и тем заряжают положительным зарядом модифицируемый материал. Как показывают аналитические расчеты, модификация прочностных характеристик композитных материалов слоями объемного заряда возможна в десятки раз! Проведены аналитические расчеты резонансных объемных процентных концентраций модификатора, при известных характерных размерах нанокристалла и самого модификатора. Согласно аналитическим расчетам можно надеяться на упрочнение молекулами Cgg до 104 ГПа кристаллов меди и других материалов со свободными электронами

Найти похожие

18.
Инвентарный номер: 206157 - кх.
   539.2
   Ш 12


    Шабалин, Леонид Иванович.
    Поверхностный разуплотненный слой твердых веществ [] : монография / Л. И. Шабалин. - Новосибирск : [б. и.], 2005. - 123 с. - Библиогр.: с. 113-121. - 20.00 р.
Посвящ. памяти Василия Ивановича Бгатова - одного из пенсионеров в области исслед. взаимоотношений живой и неживой природы
ГРНТИ
ББК 539.212.5
Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА--КРИСТАЛЛОГРАФИЯ

Найти похожие

19.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 19


    Канашевич, Г. В.
    Превращения в поверхностном слое оптического силикатного стекла и фотопластин из силикатного стекла от действия низкоэнергетического электронного потока [Текст] / Г. В. Канашевич // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 10. - С. 28-30 : рис. - Библиогр.: с. 30 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СИЛИКАТНОЕ ОПТИЧЕСКОЕ СТЕКЛО -- ПОВЕРХНОСТНЫЙ СЛОЙ -- НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ПОТОК -- ФОТОПЛАСТИНКА -- МИКРОРЕЛЬЕФ

Найти похожие

20.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 17


   
    Разработка и внедрение нанотехнологий в узлах трения аэрокосмической техники / Д. Г. Громаковский, Е. П. Кочеров, А. Г. Ковшов, М. В. Макарьянц // Нанотехника. - 2012. - № 4. - С. 81-85 : рис., табл. - Библиогр.: с. 85 (4 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТЕХНОЛОГИИ -- КОЭФФИЦИЕНТ ТРЕНИЯ -- РЕАКЦИЯ ХИМИЧЕСКАЯ -- ОКСИДЫ -- НАНОЧАСТИЦЫ -- ПОВЕРХНОСТЬ -- ШЕРОХОВАТОСТЬ
Аннотация: Разработка и использование нанотехнологий для обеспечения высокой работоспособности узлов трения, функционирующих в условиях космоса и высотных полетов авиации, в настоящее время является одним из наиболее востребованных направлений в научной и инженерной сфере, институтов РАН, головных НИИ отраслей и ВУЗов. На сегодня наиболее продвинуты способы получения наночастиц, используемых в металлургическом цикле, способы имплантации частиц в поверхностный слой трущихся деталей, использование в составе покрытий и присадок для повышения износостойкости и контактной выносливости. В статье рассмотрены технологии, разрабатываемые в целях повышения износостойкости деталей в авиационном двигателестроении и близких к нему узлах трения других машин. Показано, что одно из направлений, обеспечивающих низкое и стабильное трение, снижение нагрева и высокую долговечность поверхностей связано с повышением выносливости поверхностей трения методом диффузионного молекулярного армирования при формоизменении поверхностей, создании поверхностных слоев, модифицированных фтором, применением мультисмазки и др.

Найти похожие

 1-20    21-27 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика