Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539.2/Ш 12
Автор(ы) : Шабалин, Леонид Иванович
Заглавие : Поверхностный разуплотненный слой твердых веществ
Выходные данные : Новосибирск, 2005
Колич.характеристики :123 с
Примечания : Библиогр.: с. 113-121. - Посвящ. памяти Василия Ивановича Бгатова - одного из пенсионеров в области исслед. взаимоотношений живой и неживой природы
Цена : 20.00 р.
ГРНТИ : 29.19
ББК : 539.212.5
Предметные рубрики: ФИЗИКА-- ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА-- КРИСТАЛЛОГРАФИЯ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Х 58
Автор(ы) : Хлопов Б. В., Самойлович М. И., Бовтун В.
Заглавие : Исследование эффекта мультипликации электромагнитных полей в устройствах бесконтактного стирания информации с электронных носителей с использованием нанокомпозитов на основе опаловых матриц
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 7. - С. 6-13: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 13 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанокомпозиты--поле электромагнитное--скорость фазовая--наночастицы--слой тонкопленочный--устройство стирающее
Аннотация: Исследованы свойства образцов метаматериалов на основе опаловых матриц для устройств бесконтактного стирания информации с электронных носителей. Разработан метод оценки восприимчивости к магнитным полям образцов композитных материалов при воздействии на них внешними электромагнитными полями. Приведены экспериментальные результаты эффекта мультипликации для электромагнитных полей в полеобразующей системе устройства стирания информации на частотах ниже 500 кГц. Экспериментально подтверждено, что в диапазоне частот до 500 кГц электромагнитная восприимчивость испытуемых образцов меняется, влияя на значение напряженности электромагнитного поля в полеобразующей системе устройства стирания информации. Приведены экспериментальные характеристики пространственного мультиплицирования электромагнитных полей на полупроводниковый носитель информации
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Галперин В. А., Громов Д. Г., Кицюк Е. П., Маркеев А. М., Лебедев Е. А., Черникова А. Г., Дубков С. В.
Заглавие : Суперконденсатор на основе УНТ с использованием псевдоемкости тонких слоев оксидов металлов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 33-36: рис., граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 36 (10 назв.)
УДК : 544.643.076.2:539.2
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): суперконденсатор--двойной электрический слой--псевдоемкость--углеродные нанотрубки--атомно-слоевое осаждение
Аннотация: Исследуется роль псевдоемкости в повышении суммарной емкости суперконденсаторов. Продемонстрировано многократное увеличение емкости суперконденсаторов с электродами на основе углеродных нанотрубок, покрытых тонким слоем Al 2O 3 и TiO 2, наносимых методом атомно-слоевого осаждения
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.38+533.9/С 29
Автор(ы) : Милованов Р. А., Кельм Е. А., Косичкин О. А., Ляпунов Н. А.
Заглавие : Селективное травление меди в технологии анализа отказов ИМС с проводниками на основе меди
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 30-32. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 32 (8 назв.)
УДК : 621.38+533.9
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): анализ отказов--система межсоединений--медь--жидкохимическое травление--сухое травление--диффузионно-барьерный слой
Аннотация: Одним из этапов анализа отказов микросхем с системой межсоединений на основе меди является удаление слоя проводников. При этом основным требованием, которое предъявляется к процедуре травления, является селективность к диффузионно-барьерному слою, обеспечивающая полное удаление слоя проводников без повреждения нижележащего слоя. В работе рассмотрены подходы по селективному травлению медных проводников на основе использования методов жидкого и сухого травления. Результаты исследований показаны на примере кристаллов ПЛИС Virtex-4 фирмы Xilinx
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Р 17
Автор(ы) : Громаковский Д. Г., Кочеров Е. П., Ковшов А. Г., Макарьянц М. В.
Заглавие : Разработка и внедрение нанотехнологий в узлах трения аэрокосмической техники
Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 4. - С. 81-85: рис., табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 85 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотехнологии--коэффициент трения--реакция химическая --оксиды--наночастицы--поверхность--шероховатость
Аннотация: Разработка и использование нанотехнологий для обеспечения высокой работоспособности узлов трения, функционирующих в условиях космоса и высотных полетов авиации, в настоящее время является одним из наиболее востребованных направлений в научной и инженерной сфере, институтов РАН, головных НИИ отраслей и ВУЗов. На сегодня наиболее продвинуты способы получения наночастиц, используемых в металлургическом цикле, способы имплантации частиц в поверхностный слой трущихся деталей, использование в составе покрытий и присадок для повышения износостойкости и контактной выносливости. В статье рассмотрены технологии, разрабатываемые в целях повышения износостойкости деталей в авиационном двигателестроении и близких к нему узлах трения других машин. Показано, что одно из направлений, обеспечивающих низкое и стабильное трение, снижение нагрева и высокую долговечность поверхностей связано с повышением выносливости поверхностей трения методом диффузионного молекулярного армирования при формоизменении поверхностей, создании поверхностных слоев, модифицированных фтором, применением мультисмазки и др.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 88
Автор(ы) : Пронин И. А., Аверин И. А., Димитров Д. Ц., Крастева Л. К., Паназова К. И., Чаначев А. С.
Заглавие : Исследование чувствительности к этанолу переходов Zno—ZnO:Fe на основе тонких наноструктурированных пленок, полученных с помощью золь-гель-технологии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 10 (22 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки наноструктурированные тонкие zno--сенсор газовый --zno допированный fe--золь-гель-технология--чувствительность--температура
Аннотация: Исследуется чувствительность к этанолу гомопереходов на основе наноструктуруированнык слоев ZnO— ZnO:Fe, полученных с помощью золь-гель-технологии. В качестве отклика измерялась термоЭДС виртуальной термопары, горячий конец которой представляет собой контакт на слое ZnO вблизи интерфейса ZnO/ZnO:Fe, а холодный — контакт на поверхности ZnO:Fe. Выяснено, что максимальной чувствительностью обладают образцы, верхний слой которых сформирован двумя и тремя погружениями в золь. Тенденция температурной зависимости отклика существенно зависит от толщины верхнего слоя
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Е 50
Автор(ы) : Елесин В. Ф., Ремнев М. А.
Заглавие : Влияние уровня в спейсере эмиттера на пиковый ток резонансно-туннельного диода
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 85-88: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 88 (19 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): резонансно-туннельный диод--ток--диод --резонанс --шредингер--слой эмиттера спейсерного
Аннотация: При помощи численного решения уравнения Шредингера была исследована зависимость пикового тока на вольт-амперной характеристике резонансно-туннельного диода от толщины спейсерного слоя эмиттера. Эта зависимость имеет ярко выраженные максимумы. Причем пиковый ток в максимумах намного превышает пиковый ток в отсутствии спейсера. Был выяснен механизм образования максимумов. Они связаны с перекрытием уровня в треугольной яме, образованной спейсерным слоем эмиттера, и резонансным уровнем квантовой ямы. Исследование влияния межэлектронного взаимодействия на полученный эффект показало, что взаимодействие практически не влияет на пиковый ток в прямом направлении приложения напряжения и несколько уменьшает его в обратном
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гринькин Е. А., Жукова С. А., Обижаев Д. Ю., Тютюгин А. В., Турков В. Е.
Заглавие : Кинетика травления неорганического "жертвенного" слоя при изготовлении чувствительных элементов инерциальных датчиков по технологии кремний-на-изоляторе
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 7. - С. 38-43. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 42 (4 назв.)
УДК : 546.284-31 + 531.768 + 531.77
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): "жертвенный" слой--диоксид кремния--травление--плавиковая кислота
Аннотация: Исследован процесс травления неорганического "жертвенного" слоя в трехслойных подложках кремний-на-изоляторе. Представлены результаты исследования кинетики травления диоксида кремния в парах водного раствора плавиковой кислоты в зависимости от продолжительности процесса и температуры поверхности образцов. Показано увеличение скорости процесса по мере травления и при уменьшении температуры
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Э 94
Автор(ы) : Зайцев С. А., Орлов О. М., Горнев Е. С., Егоров К. В., Киртаев Р. В., Маркеев А. М., Заблоцкий А. В.
Заглавие : Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15
Примечания : Библиогр.: с. 15 (15 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эффект резистивного переключения--атомно-слоевое осаждение--энергонезависимая память--оксид гафния
Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Г 95
Автор(ы) : Гурский Л. И., Крылова Г. В.
Заглавие : Многозатворный 3-мерный транзистор с полевым управлением транспорта отрицательно заряженных экситонов
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 28-32
Примечания : Библиогр.: с. 32 (7 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 3d-транзистор--наноразмерный слой --подзатворные наноразмерные слои--оксида тантала--пленка ленгмюра–блоджетта--заряженные экситоны
Аннотация: Рассмотрены принципы построения многозатворного 3D-транзистора с полевым управлением, основанным на 3D-экситон¬но-диэлектрической структуре с наноразмерными слоями и подзатворной активной области в гетероструктуре.
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Т 18
Автор(ы) : Танцерев А. А., Рябова О. В., Финаенов А. И.
Заглавие : Изучение процесса включения металлов в поверхностный слой оксидной пленки при электрохимическом воздействии на алюминий
Место публикации : Нанотехнологии. Наука и производство. - 2014. - № 3 (30). - С. 74-77. - ISSN 2306-0581. - ISSN 2306-0581
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оксидная пленка--алюминий
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 544.6/Г 16
Автор(ы) : Галушка В. В., Биленко Д. И., Терин Д. В.
Заглавие : Исследование управляемого массопереноса в наноструктурах AgL-Ag методом туннельной микроскопии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 37-42: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 42 (16 назв.)
УДК : 544.6
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): массоперенос--ионная проводимость--туннельная структура--agi-ag--резистивная память
Аннотация: Приведены результаты исследования методом туннельной микроскопии массопереноса в структуре, содержащей нанометровый слой AgI. Показана возможность использования интерфейса Ag-AgI-диэлектрик-металл в качестве резистивной памяти с зарядом переключения Q » 5 пКл и кратностью сопротивления HRS/LRS 10 4
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/В 19
Автор(ы) : Васильев В. В.
Заглавие : Модель хрупкого поверхностного слоя с трещинами
Место публикации : Композиты и наноструктуры. - 2013. - № 4. - С. 33-43: граф. - ISSN 1999-7590. - ISSN 1999-7590
Примечания : Библиогр.: с. 43 (4 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкий поверхностный слой--трещина--механика разрушения
Аннотация: Рассматривается полупространство, на верхней плоской поверхности которого нанесено тонкое упругое и хрупкое покрытие. Предполагается, что при внешнем воздействии (например, при приложении нагрузок, изменении температуры или влажности, а также при усадке покрытия или естественном росте материала основания) в результате совместной деформации пространства и связанного с ним слоя покрытия в последнем образуется система трещин. Предлагается модель слоя с трещинами, позволяющая определить расстояния между трещинами и их направления в зависимости от условий нагружения слоя
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/В 19
Автор(ы) : Васильев В. В., Разин А. Ф., Синьковский Ф. К.
Заглавие : Оптимальная форма композитного баллона давления с металлическим лейнером
Место публикации : Композиты и наноструктуры. - 2014. - Т. 6, № 1. - С. 18-24: граф., рис. - ISSN 1999-7590. - ISSN 1999-7590
Примечания : Библиогр.: с. 24 (3 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): композит--баллон давления--оптимальное проектирование
Аннотация: Рассматривается композитная оболочка вращения с внутренним металлическим слоем (лейнером). Для описания композитного слоя используется монотропная (сетчатая) модель материала, а металлический слой считается упругопластическим и описывается соотношениями деформационной теории пластичности. Оптимальная форма оболочки переделяется из условия минимума напряжений в лейнере. Доказывается, что это условие обеспечивается если композитная оболочка проектируется без учета несущей способности лейнера
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/З-17
Автор(ы) : Зайцев Н. А., Матюшкин И. В.
Заглавие : Особенности формирования подзатворной системы наноприборов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 36-39: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 39 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоксид кремния--диэлектрик подзатворный--слой переходный
Аннотация: Определены свойства, которыми должна обладать подзатворная система в нанопpибоpах. Показано, что дефоpмация [SiO4]4--тетpаэдpов приводит к обpазованию диполей на гpанице Si-SiO2. Данный эффект необходимо учитывать о^еделении электpических свойств нанотpанзистоpов
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/З-63
Автор(ы) : Зинченко С. П., Ковтун А. П., Толмачев Г. Н.
Заглавие : Оптический in situ контроль синтеза наноразмерных пленок цирконата титаната свинца в камере газового разряда
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 77-80: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 80 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): контроль оптический in situ --пленки наноразмерные--камера газового разряда
Аннотация: В работе приводятся результаты применения оптического in-situ контроля физического состояния напыляемых газоразрядным способом пленок цирконата титаната свинца Pb(ZrxTi1-х)O3 (ЦТС) на подложке из нержавеющей стали. Обнаружена осцилляторно-затухающая в процессе напыления зависимость интенсивности оптического излучения, отраженного от пленки на подложке. Кривая в значительной мере зависит от вводимой в разряд мощности и от типа получаемой пленки. Структура пленок исследовалась методом рентгеноструктурного анализа. На начальном этапе напыления формируется буферный переходной слой ЦТС со структурой пирохлора, который присутствует в неизменном виде в процессе дальнейшего напыления ЦТС пленки со структурой перовскита. Предложенный метод позволяет в текущем режиме не только контролировать оптические характеристики синтезируемого материала, но и определять направление процесса синтеза пленок
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 93
Автор(ы) : Высикайло Ф. И., Тивков В. С.
Заглавие : Открытие физических принципов упрочнения материалов слоями объемного заряда
Место публикации : Нанотехника. - 2010. - № 2. - С. 27-34: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 34 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): слои обьемного заряда--нанотрубки--упрочнения материалов
Аннотация: Впервые обсуждается возможность упрочнения композитных материалов формированием на их поверхности слоев объемного заряда. В качестве ловушек для свободных электронов, формирующих отрицательно заряженный слой объемного заряда на поверхности упрочняемого материала, можно использовать фуллерены, нанотрубки и иные наноструктуры с большим сродством к электрону. Эти наноструктуры с большим сродством к электрону (модификаторы) присоединяют к себе свободные электроны и тем заряжают положительным зарядом модифицируемый материал. Как показывают аналитические расчеты, модификация прочностных характеристик композитных материалов слоями объемного заряда возможна в десятки раз! Проведены аналитические расчеты резонансных объемных процентных концентраций модификатора, при известных характерных размерах нанокристалла и самого модификатора. Согласно аналитическим расчетам можно надеяться на упрочнение молекулами Cgg до 104 ГПа кристаллов меди и других материалов со свободными электронами
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 19
Автор(ы) : Канашевич Г. В.
Заглавие : Превращения в поверхностном слое оптического силикатного стекла и фотопластин из силикатного стекла от действия низкоэнергетического электронного потока
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 10. - С. 28-30: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 30 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): силикатное оптическое стекло--поверхностный слой--низкоэнергетический электронный поток--фотопластинка--микрорельеф
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/О-11
Автор(ы) : Панчук Д. А., Садакбаева Ж. К., Пуклина Е. А., Большакова А. В., Абрамчук С. С., Ярышева Л. М., Волынский А. Л., Бакеев Н. Ф.
Заглавие : О структуре межфазного слоя на границе металлическое покрытие - полимерная подложка
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 5-6. - С. 114-120: рис. - ISSN 1195-078. - ISSN 1195-078
Примечания : Библиогр. : с. 120 (19 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полиэтилентерефталатные пленки--ионно-плазменное напыление--межфазный слой
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/А 19
Автор(ы) : Аверин И. А., Аношкин Ю. В., Печерская Р. М.
Заглавие : Исследование поверхностей слоев резистивных структур на низкоразмерном уровне
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 1. - С. 25-26. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 26 (4 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие

1-20 21-27

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)