Поисковый запрос: (<.>K=СОПРОТИВЛЕНИЕ<.>) |
Общее количество найденных документов : 22
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Хорунжий И. А. Экспериментальная проверка компьютерной модели радиатора для охлаждения мощного полупроводникового прибора/И. А. Хорунжий, Д. С. Доманевский , Д. С. Бобученко // Нано- и микросистемная техника , 2008. т.№ 3.-С.25-28
|
2.
| Спирин В. Г. Сопротивление электродов тонкопленочного резистора/В. Г. Спирин // Нано- и микросистемная техника , 2008. т.№ 7.-С.19-24
|
3.
| Спирин В. Г. Анализ технологических погрешностей сопротивления тонкопленочного резистора/В. Г. Спирин // Нано- и микросистемная техника , 2009. т.№ 9.-С.42-45
|
4.
| Новиков С. Г. Моделирование и исследование негатрона с передаточной n-образной вольт-амперной характеристикой /С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин, И. В. Корнеев // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 4.-С.17-20
|
5.
| Спирин В. Г. Математическая модель сопротивления тонкопленочного резистора /В. Г. Спирин // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 5.-С.38-40
|
6.
| Исследование влияния концентрации углеродных нанотрубок на электрическое сопротивление пленок полимерного нанокомпозита /О. А. Агеев, Ю. В. Сюрик, А. С. Коломийцев, Н. И. Сербу // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 10 .-С.2-6
|
7.
| Характеристики нанотолщинного композита на гибкой подложке при деформациях изгиба /Д. А. Мудрецов, А. А. Жуков , Е. С. Кузьменко, И. Н. Компанец // Нанотехника, 2010. т.№ 2 .-С.72-77
|
8.
| Заводинский В. Г. Карбид вольфрама на субнаноуровне: атомная структура, электронные состояния, механические свойства /В. Г. Заводинский // Российские нанотехнологии, 2010. т.Т. 5,N № 11-12.-С.120-124
|
9.
| ФМР, магнитные и резистивные свойства наноструктур {[(CoFeZr)m(Al2O3)100-m]x/(а-si)y}40 с гранулированными магнитными слоями. /С. А. Вызулин [и др.] // Нанотехника, 2010. т.№ 3 .-С.16-21
|
10.
| Модификация зондовых датчиков-кантилеверов для атомно-силовой микроскопии методом фокусированных ионных пучков /С. М. Аракелян [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 4.-С.4-8
|
|
|