Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (67)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (23)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (6)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (2)Гибель династии Романовых (3)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (42)Труды Института истории и археологии УрО РАН (3)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (16)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (14)Расплавы (9)Публикации Черешнева В.А. (2)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (5)Библиометрия (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=СОПРОТИВЛЕНИЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 22
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-22 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Н 25

   
    Наноразмерный дисилицид титана: синтез, структура, свойства. часть 2* / А. А. Ковалевский, В. В. Цыбульский, Л. А. Власукова, А. С. Строгова, А. Р. Лученок, А. А. Шевченок // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 6-11 : рис. - Библиогр.: с. 11 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВОДОРОД -- ДИСИЛИЦИД ТИТАНА -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УДЕЛЬНОЕ -- ВОДА -- КОЭФФИЦИЕНТ ПОГЛОЩЕНИЯ
Аннотация: Предложен и реализован эффективный способ создания дисилицида титана с полупроводниковыми свойствами, который апробирован как фотокатализатор в реакции разложения воды до водорода и кислорода. Рассмотрен механизм разложения воды через образование промежуточного наноструктурированного катализатора TiSiO4

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 79

   
    Болометр с термочувствительным слоем из оксида ванадия VO x // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 44-52 : рис., табл. - Библиогр.: с. 52 (13 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ВОЛЬТОВАЯ -- СПОСОБНОСТЬ БОЛОМЕТРОВ ОБНАРУЖИТЕЛЬНАЯ -- БОЛОМЕТР -- ОКСИД ВАНАДИЯ
Аннотация: Исследованы электрические параметры термочувствительного слоя болометра VO x и морфология его поверхности. Определена относительная погрешность измерения, вносимая оксидным слоем VO x. Представлены расчетные и экспериментальные данные нагрева слоя VO x на 1 и 200 °С в диапазонах длин волн 0.5—3.39 мкм и 5.0—12 мкм в зависимости от длительности импульса излучения в диапазоне 1 — 10 -9 с на различных подложках. Исследованы зависимости: постоянной времени, вольтовой чувствительности болометра от размера приемной площадки и материала подложки. Рассчитаны: постоянная времени болометра, вольтовая чувствительность и эквивалентные значения напряжений фундаментальных шумов в зависимости от размеров приемной площадки, материалов подложки и частоты регистрируемого излучения. Приведены значения удельного теплового потока и обнаружительной способности болометров на частотах 1, 10, 20 Гц, выполненных на различных диэлектрических подложках. Описана модульная конструкция болометра, включающая герметичный корпус с приемным окном и преобразователь сопротивление-напряжение. Приведены зависимости напряжения с выхода болометра от величины воздействующего постоянного и импульсного излучения

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ч-87

    Чуйко, О. В.
    Динамические характеристики чувствительного элемента микроакселерометра с повышенным фактором демпфирования / О. В. Чуйко, А. Е. Кузнецов // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 38-40 : рис., табл. - Библиогр. : с. 40 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОАКСЕЛЕРОМЕТР МАЯТНИКОВЫЙ -- ЭЛЕМЕНТ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ -- МАССА ИНЕРЦИОННАЯ -- ЧАСТОТА РЕЗОНАНСНАЯ -- ДОБРОТНОСТЬ -- ДЕМПФИРОВАНИЕ ВОЗДУШНОЕ
Аннотация: Исследуются динамические характеристики чувствительного элемента (ЧЭ) заданной конструкции, обеспечивающей повышенное воздушное сопротивление. Возбуждение колебаний инерционной массы (ИМ) осуществляется с помощью пьезоэлемента, регистрация колебаний выполняется по отклонению лазерного луча от поверхности ИМ. Получены зависимости резонансной частоты и добротности ЧЭ от давления воздуха в диапазоне от 1 до 105 Па, а также зависимость добротности от размера воздушного зазора между ИМ и подложкой

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 76

   
    Стабильность электрических свойств широкозонных газочувствительных наноструктурированных материалов / С. Д. Сякина [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 7. - С. 10-14 : граф. - Библиогр. : с. 14 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- МАТЕРИАЛЫ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ -- НАНОСТЕРЖНИ -- СТАБИЛЬНОСТЬ ТЕРМИЧЕСКАЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ШИРОКОЗОННЫЕ
Аннотация: Влияние сорбции на сопротивление тонких пленок оксидов металлов широко применяется в сенсорах газа. Адсорбция на поверхности широкозонных полупроводников, например, диоксида олова, частиц газа-окислителя приводит к захвату носителей заряда из объема зерен и вызывает изменение электрофизических свойств материала. В качестве регистрируемого параметра у газочувствительных слоев обычно используют значение проводимости пленки в газовой пробе. В работе предлагается использовать для детектирования газов различной природы поликристаллические слои SnO2 с зернами цилиндрической формы (наностержни), вследствие большей термической стабильности их электрофизических свойств по сравнению со слоями, состоящими из зерен сферической формы. Такая особенность наностержней обусловлена слабой зависимостью проводимости отдельных зерен слоев от геометрических размеров межзерен-ных перешейков, которые образуются при повышенных температурах, вследствие сращивания отдельных зерен

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-62

   
    Оптимизация условий формирования тонких пленок ZnO для использования в интегральных МЭМС-устройствах / Д. Г. Громов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 27-30 : рис. - Библиогр. : с. 30 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ZNO -- СОПРОТИВЛЕНИЕ УДЕЛЬНОЕ -- ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ПЬЕЗОЭФФЕКТ -- РАСПЫЛЕНИЕ МАГНЕТРОННОЕ -- МЭМС-УСТРОЙСТВА
Аннотация: Представлены результаты исследований тонких пленок ZnO для использования в составе интегральных МЭМС-устройствах. Пленки ZnO:Ga получены в процессе магнетронного распыления соответствующей мишени в среде аргона без нагрева подложки. Показано, что удельное сопротивление и стабильность во времени пленок ZnO:Ga существенно зависит от их толщины, воздействия солнечного излучения, внешней окружающей среды. Комплекс доведенных исследований указывает на то, что ужиной нестабильности тонких пленок ZnO являются процессы генерации и залечивания кислородных вакансий, создающие донорные уровни в запрещенной зоне ZnO. Для формирования пленок ZnO с пьезоэлектрическими свойствами требуется осаждение в среде кислорода или последующий отжиг в аналогичной среде, а повышения стабильности пленок во времени можно достигнуть с помощью покрытия, защищающего от воздействия внешней газовой среды

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 53

   
    Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора / Т. Ф. Шкляр, Е. П. Дьячкова, О. А. Динисламова, А. П. Сафронов, Д. В. Лейман, Ф. А. Бляхман // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 89-94 : рис. - Библиогр.: с. 94 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОР -- СЛОИ УЛЬТРАТОНКИЕ -- ЭЛЕМЕНТЫ КНИ МДП-НАНОТРАНЗИСТОРА -- МЕТОД ВЫСОКОЧАСТОТНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНОК HFO2 -- КНИ-СТРУКТУРА -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ИМПЛАНТАЦИЯ
Аннотация: Рассмотрены методы получения и свойства таких элементов КНИ МДП-нанотранзистора, как затвор/подзатворный диэлектрик, области истока/стока и омические контакты. Затворные структуры HfO2(50 нм)/Si (100) и W/HfO2(4 нм)/Si (100) создавались методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что кристаллическая структура пленок HfO2 и их электрические характеристики (напряжение пробоя) являются взаимосвязанными. Для создания ультрамелких областей стока/истока использовалась высокодозовая плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора. В процессе быстрого термического отжига имплантированных слоев обнаружено существенное снижение количества бора у поверхности в КНИ-структуре. Образование омических контактов CoSi2 осуществлялось с использованием структур Ti(8 нм)/Co(10 нм)/Ti(5 нм), сформированных на Si-подложке ориентации (100). Установлено, что образовавшаясяся в результате двухстадийного отжига пленка CoSi2 обладает поверхностным сопротивлением 20 Ом/□

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 70

    Троицкий, А. А.
    Электрические и оптические свойства углеродных пленок, осаждаемых электроннолучевым методом / А. А. Троицкий, В. М. Березин, В. С. Лукашев // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 15-19. - Библиогр.: с. 19 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
539.234
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГРАФЕН -- УГЛЕРОД -- ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЕ РАСПЫЛЕНИЕ -- УГЛЕРОДНЫЕ ПЛЕНКИ -- ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ПРОЗРАЧНОСТЬ
Аннотация: Методом распыления электронным лучом в вакууме были получены тонкие углеродные пленки (толщиной до 30 нм) на нагретой стеклянной подложке. Было измерено удельное поверхностное сопротивление пленок и их коэффициент пропускания (при l= 560 нм), найдены зависимости от толщины пленки. Проведен анализ результатов и сравнение с другими работами

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 53

   
    Полупроводниковые приборы с s-образной передаточной вольт-амперной характеристикой / С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин, А. В. Беринцев, В. А. Родионов, А. А. Штанько, И. С. Федоров // Нано- и микросистемная техника . - 2014. - № 7. - С. 52-56. - Библиогр.: с. 55 (14 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
621.383.5
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ПЕРЕДАТОЧНАЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
Аннотация: Рассмотрен новый класс полупроводниковых приборов с передаточными вольт-амперными характеристиками, содержащими участок отрицательного дифференциального сопротивления. Предложены способы описания и реализации приборов с передаточными S-образными вольт-амперными характеристиками. Проведено моделирование передаточных характеристик данных приборов. Показано, что рассмотренные приборы обладают встроенной защитой от перегрузки по напряжению на входе. Такие приборы могут найти применение в различных областях электроники, микроэлектроники, мехатроники и микросистемной техники

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 19

    Аверин, И. А.
    Исследование процессов деградации выходных параметров тензорезистивных структур / И. А. Аверин, Ю. В. Аношкин, Р. М. Печерская // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 10. - С. 2-4. - Библиогр.: с. 4 (9 назв.)
УДК
621.316.8
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РЕЗИСТИВНАЯ СТРУКТУРА -- ПРОЦЕСС ДЕГРАДАЦИИ -- ИК-ФУРЬЕ -- СПЕКТРОМЕТР -- МОДЕЛИ -- КОНЦЕНТРАЦИЯ -- СОПРОТИВЛЕНИЕ
Аннотация: Установлены механизмы, вызывающие деградацию выходных параметров тензорезистивных структур во времени. Разработаны методика определения концентрации кислорода в тензорезистивных структурах с использованием Фурье-спектроскопии и модель стабилизации выходных параметров тензорезистивных структур на основе хромоникелевых сплавов

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 88

   
    Исследование сенсорных свойств перколированных сеток из углеродных нанотрубок и нановолокон ZnO // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 32-37 : рис. - Библиогр.: с. 37 (25 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
УДЕЛЬНАЯ ПОВЕРХНОСТЬ -- СЕНСОРЫ ГАЗОВЫЕ -- АММИАК -- НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ -- НАНОВОЛОКНА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- НАНОПРОВОДНИКИ -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ
Аннотация: Предложен метод повышения чувствительности сенсорных структур на основе нанопроводников за счет использования гетерогенных композитов из углеродных нанотрубок и полупроводниковых нановолокон. Разработана сенсорная структура с чувствительным слоем в виде композита нанотрубки/нановолокна. Исследована зависимость удельной поверхности композита углеродных нанотрубок и нановолокон оксида цинка, а также электрического сопротивления и откликов сенсорных структур на пары аммиака от соотношения концентраций нанопроводников в смеси. Выявлена максимальная чувствительность сенсорных структур при комнатной температуре, а также показана корреляция чувствительности с изменением массовой доли УНТ в смеси УНТ/ZnO, что может быть использовано при создании сенсорных систем типа "электронный нос"

Найти похожие
 1-10    11-20   21-22 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика