Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (16)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (1)Публикации об УрО РАН (4)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (67)Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН (1)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (10)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (28)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (31)Расплавы (5)Публикации Черешнева В.А. (2)Публикации Чарушина В.Н. (4)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (6)Библиометрия (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=СПЕКТР<.>)
Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-11 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 55
Автор(ы) : Глухова О. Е., Жничков Р. Ю., Слепченков М. М.
Заглавие : Программный комплекс для наноэлектроники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 1. - С. 5-11: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 11 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Разработан программно-вычислительный комплекс, теоретическую основу которого составляет квантово-химический метод сильной связи. С помощью данного комплекса рассчитан электронный спектр сжатых на различное число процентов графеновых нанолент. Установлено, что сжатые наноленты обладают улучшенными эмиссионными свойствами. С помощью разработанного комплекса можно исследовать атомное строение и свойства многоатомных наноструктур
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Л 21
Заглавие : Лампа накаливания на основе двухслойных углеродных нанотрубок
Место публикации : Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 1. - С. 44-45
Примечания :
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спектр излучения--вольфрамовые нити
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : К 620.3/Л 64
Автор(ы) : Литинский А. О., Та Динь Хиен
Заглавие : Энергетический спектр электронов в многослойных графенах, допированных атомами щелочных металлов
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - № 3-4. - С. 71-75: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 75 (20 назв.)
УДК : К 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Исследован электронно-энергетический спектр k-слойных графенов (k = 1—4) как чистых, так и с внедренными в межплоскостное пространство атомами М щелочных металлов (M: Na, K, Rb, Cs). Концентрация «гостевых атомов» x варьировалась. Использована вычислительная процедура на основе теории функционала плотности, обобщенная на случай периодических структур (циклические граничные условия накладывались на симметрично-расширенную элементарную ячейку). Обсуждены зависимости от k и x уровня химического потенциала, выигрыша энергии, обусловленного внедрением атомов M, и барьеров перехода M между их ближайшими устойчивыми состояниями в межплоскостном пространстве многослойного графена
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 73
Автор(ы) : Алфимов М. В., Багатурьянц А. А., Сафонов А. А., Щербинин А. В., Владимирова К. Г., Белоусов С. А., Богданова М. В., Валуев И. А., Дейнега А. В., Лозовик Ю. Г., Потапкин Б. В.
Заглавие : Многомасштабный компьютерный дизайн материалов для оптических хемосенсоров на основе фотонных кристаллов
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 3-4 . - С. 84-91: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 91 (37 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): хемосенсеры оптические--кристаллы фотонные--дизайн компьютерный многомасштабный
Аннотация: Предложен многомасштабный метод моделирования элементов оптического хемосенсора с использованием фотонных кристаллов, основанный на квантово-химических и электродинамических расчетах из первых принципов. В рамках метода конечных разностей на пространственно-временной сетке предложен метод учета источников электромагнитного излучения. Проведено сквозное моделирование: выполнен квантово-химический расчет спектра поглощения и излучения красителя на поверхности носителя; показано, как модифицируется спектр излучения молекулы красителя, помещенной в трехмерный фотонный кристалл
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-62
Автор(ы) : Усанов А. Д., Скрипаль А. В., Кащавцев Е. О., Калинкин М. Ю.
Заглавие : Определение амплитуды нановибраций с помощью полупроводникового лазерного автодина с учетом внешней оптической обратной связи
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 43-49: рис., табл.,схема. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 49 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нановибрации--лазер полупроводниковый--сигнал автодинный--измерение амплитуд вибраций--связь обратная оптическая внешняя
Аннотация: Проведен анализ влияния внешней оптической обратной связи на форму и спектр продетектированного сигнала полупроводникового лазерного автодина. Предложен метод определения амплитуды нановибраций, заключающийся в измерении отношения амплитуд первых спектральных составляющих автодинного сигнала при нановибрациях и при наложении дополнительных механических колебаний, с учетом уровня внешней оптической обратной связи. Экспериментально показано, что учет внешней оптической обратной связи позволяет существенно повысить точность измерений амплитуд нановибраций
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 27
Автор(ы) : Воронина Л. В., Мешков Б. Б., Цыбышев В. П., Алфимов М. В., Лившиц В. А.
Заглавие : Перенос энергии электронного возбуждения от нафталина на флуорофор-индикатор на поверхности микросфер силикагеля с ковалентно или физически связанными циклодекстринами
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 9-10. - С. 30-37: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 37 (19 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нафталин--возбуждение электронное--микросферы силикагеля--циклодекстрины (cd)--углеводороды ароматические--флуорофор-индикатор--дансилглицин (дг)
Аннотация: C целью использования переноса энергии электронного возбуждения (ПЭ) для детектирования ароматических углеводородов (АУ)в газовой фазе исследован ПЭ с нафталина (Н) на флуорофор-индикатор на поверхности микросфер силикагеля (МС), модифицированных ковалентно или физически адсорбированными циклодекстринами (CD). Было найдено, что подходящим акцептором энергии является дансилглицин (ДГ), так как его спектр поглощения смещен в красную область и имеет хорошее перекрывание со спектрами флуоресценции АУ, в то время как при возбуждении на 290 нм его флуоресценция (Ф) невелика. Показано, что при внесении МС в пары Н и возбуждении Н на 290 нм разгорается Ф от ДГ на 500 нм, более интенсивная, чем у Н. Разработан метод количественного варьирования давления пара Н и, соответственно, концентрации адсорбированного Н, основанный на измерении убыли веса раствора Н в нелетучем растворителе (ДОС). С использованием этого метода определены зависимости интенсивности Ф для Н и ДГ и эффективности ПЭ от концентрации адсорбированного Н. В предположении ферстеровского механизма ПЭ оценены радиус Ферстера (23.4 Å) и средние расстояния между Н и ДГ. Показано, что при возбуждении в полосе поглощения Н интенсивность флуоресценции ДГ растет линейно с концентрацией ДГ, что позволяет использовать ПЭ для детектирования малых концентраций Н. Изучена кинетика Ф при быстром введении паров Н: сначала происходит сорбция Н на поверхность и быстрый рост мономерной Ф, далее через ~200 с проявляются эксимерная Ф и ПЭ. Для МС с адсорбированными полимерными ЦД эффективность ПЭ от Н к ДГ в несколько раз меньше, чем для МС с ковалентно связанными CD
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 37
Автор(ы) : Пивоваренок С. А., Дунаев А. В., Ефремов А. М., Светцов В. И.
Заглавие : Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 69-71: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 71 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и хлороводорода применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС. Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, который является одним из самых перспективных материалов электроники будущего. Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1]
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Р 25
Автор(ы) : Раткин Л. С.
Заглавие : Современные технологии проектирования, конструирования и производства нано-и микроэлектромеханических систем
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 2-5. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 5 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спектр широкий аспектных отношений --свч системы на кристалле с элементами мэмс на наногетероструктурах--системы виброакустические микромеханические --канал волоконно-оптический информационный --информатика квантовая --наногетероструктуры--нэмс--ран
Аннотация: На состоявшейся 29 февраля 2012 г. научной сессии Отделения нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ) Российской академии наук (РАН) рассматривалась проблематика проектирования, конструирования и производства наноэлектромеханических и микроэлектромеханических систем (НЭМС и МЭМС). Особое внимание уделялось технологиям глубокого плазменного травления структур МЭМС с широким спектром аспектных отношений, созданию виброакустических микромеханических систем с волоконно-оптическим информационным каналом, квантовой информатике НЭМС, сверхвысокочастотным (СВЧ) системам на кристалле с элементами МЭМС на наногетероструктурах в арсениде галлия и технологическим основам создания микропреобразователей параметров движения на принципах переноса массы и заряда в электрохимических микросистемах
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 71
Автор(ы) : Дунаев А. В., Пивоваренок С. А., Капинос С. П., Ефремов А. М., Светцов В. И.
Заглавие : Спектральный контроль процесса травления арсенида галлия в хлороводороде
Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 93-95: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 95 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): травление--контроль --спектр--хлороводород--травление плазмохимическое--арсенид галлия
Аннотация: Было выполнено исследование спектров плазмохимического травления GaAs в HCl. На обзорных спектрах выбраны контрольные линии и полосы. На временных зависимостях интенсивности излучения продуктов травления (в частности, линии атомарного Ga) в начале процесса обработки наблюдается нестационарный участок продолжительностью около 1 мин. Соотношение интенсивности излучения продуктов и скорости травления носит прямопропорциональный характер. Это свидетельствует о возможности спектрального контроля процесса травления в реальном времени
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 71
Автор(ы) : Вощинский Е. А., Вощинский Ю. А., Горелик В. С., Злобина Л. И. , Самойлович М. И., Свербиль П. П.
Заглавие : Спектры пропускания искусственных опалов, пропитанных жидкостью
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 7. - С. 27-32: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 32 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): опал--спектр пропускания--запрещенная фотонная зона--отрицательный показатель преломления--селективный фильтр
Найти похожие
 1-10    11-11 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика